场效应管参数符号意义.docx
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场效应管参数符号意义
场效应管参数符号意义
发表于2008-6-112:
11:
48
Cds---漏-源电容
Cdu---漏-衬底电容
Cgd---栅-源电容
Cgs---漏-源电容
Ciss---栅短路共源输入电容
Coss---栅短路共源输出电容
Crss---栅短路共源反向传输电容
D---占空比（占空系数，外电路参数）
di/dt---电流上升率（外电路参数）
dv/dt---电压上升率（外电路参数）
ID---漏极电流（直流）
IDM---漏极脉冲电流
ID（on）---通态漏极电流
IDQ---静态漏极电流（射频功率管）
IDS---漏源电流
IDSM---最大漏源电流
IDSS---栅-源短路时，漏极电流
IDS（sat）---沟道饱和电流（漏源饱和电流）
IG---栅极电流（直流）
IGF---正向栅电流
IGR---反向栅电流
IGDO---源极开路时，截止栅电流
IGSO---漏极开路时，截止栅电流
IGM---栅极脉冲电流
IGP---栅极峰值电流
IF---二极管正向电流
IGSS---漏极短路时截止栅电流
IDSS1---对管第一管漏源饱和电流
IDSS2---对管第二管漏源饱和电流
Iu---衬底电流
Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）
gfs---正向跨导
Gp---功率增益
Gps---共源极中和高频功率增益
GpG---共栅极中和高频功率增益
GPD---共漏极中和高频功率增益
ggd---栅漏电导
gds---漏源电导
K---失调电压温度系数
Ku---传输系数
L---负载电感（外电路参数）
LD---漏极电感
Ls---源极电感
rDS---漏源电阻
rDS（on）---漏源通态电阻
rDS（of）---漏源断态电阻
rGD---栅漏电阻
rGS---栅源电阻
Rg---栅极外接电阻（外电路参数）
RL---负载电阻（外电路参数）
R（th）jc---结壳热阻
R（th）ja---结环热阻
PD---漏极耗散功率
PDM---漏极最大允许耗散功率
PIN--输入功率
POUT---输出功率
PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）
to（on）---开通延迟时间
td（off）---关断延迟时间
ti---上升时间
ton---开通时间
toff---关断时间
tf---下降时间
trr---反向恢复时间
Tj---结温
Tjm---最大允许结温
Ta---环境温度
Tc---管壳温度
Tstg---贮成温度
VDS---漏源电压（直流）
VGS---栅源电压（直流）
VGSF--正向栅源电压（直流）
VGSR---反向栅源电压（直流）
VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）
VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）
Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）
VGS（th）---开启电压或阀电压
V（BR）DSS---漏源击穿电压
V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压
VDS（on）---漏源通态电压
VDS（sat）---漏源饱和电压
VGD---栅漏电压（直流）
Vsu---源衬底电压（直流）
VDu---漏衬底电压（直流）
VGu---栅衬底电压（直流）
Zo---驱动源内阻
η---漏极效率（射频功率管）
Vn---噪声电压
aID---漏极电流温度系数
ards---漏源电阻温度系数
电子词典
发表于2008-6-111:
46:
57
微电子辞典
Abruptjunction突变结Acceleratedtesting加速实验
Acceptor受主Acceptoratom受主原子
Accumulation积累、堆积Accumulatingcontact积累接触
Accumulationregion积累区Accumulationlayer积累层
Activeregion有源区Activecomponent有源元
Activedevice有源器件Activation激活
Activationenergy激活能Activeregion有源（放大）区
Admittance导纳Allowedband允带
Alloy-junctiondevice合金结器件Aluminum（Aluminium）铝
Aluminum–oxide铝氧化物Aluminumpassivation铝钝化
Ambipolar双极的Ambienttemperature环境温度
Amorphous无定形的，非晶体的Amplifier功放扩音器放大器
Analogue（Analog）comparator模拟比较器Angstrom埃
Anneal退火Anisotropic各向异性的
Anode阳极Arsenic（AS）砷
Auger俄歇Augerprocess俄歇过程
Avalanche雪崩Avalanchebreakdown雪崩击穿
Avalancheexcitation雪崩激发
Backgroundcarrier本底载流子Backgrounddoping本底掺杂
Backward反向Backwardbias反向偏置
Ballastingresistor整流电阻Ballbond球形键合
Band能带Bandgap能带间隙
Barrier势垒Barrierlayer势垒层
Barrierwidth势垒宽度Base基极
Basecontact基区接触Basestretching基区扩展效应
Basetransittime基区渡越时间Basetransportefficiency基区输运系数
Base-widthmodulation基区宽度调制Basisvector基矢
Bias偏置Bilateralswitch双向开关
Binarycode二进制代码Binarycompoundsemiconductor二元化合物半导体
Bipolar双极性的BipolarJunctionTransistor（BJT）双极晶体管
Bloch布洛赫Blockingband阻挡能带
Blockingcontact阻挡接触Body-centered体心立方
Body-centredcubicstructure体立心结构Boltzmann波尔兹曼
Bond键、键合Bondingelectron价电子
Bondingpad键合点Bootstrapcircuit自举电路
Bootstrappedemitterfollower自举射极跟随器Boron硼
Borosilicateglass硼硅玻璃Boundarycondition边界条件
Boundelectron束缚电子Breadboard模拟板、实验板
Breakdown击穿Breakover转折
Brillouin布里渊Brillouinzone布里渊区
Built-in内建的Build-inelectricfield内建电场
Bulk体/体内Bulkabsorption体吸收
Bulkgeneration体产生Bulkrecombination体复合
Burn-in老化Burnout烧毁
Buriedchannel埋沟Burieddiffusionregion隐埋扩散区
Can外壳Capacitance电容
Capturecrosssection俘获截面Capturecarrier俘获载流子
Carrier载流子、载波Carrybit进位位
Carry-inbit进位输入Carry-outbit进位输出
Cascade级联Case管壳
Cathode阴极Center中心
Ceramic陶瓷（的）Channel沟道
Channelbreakdown沟道击穿Channelcurrent沟道电流
Channeldoping沟道掺杂Channelshortening沟道缩短
Channelwidth沟道宽度Characteristicimpedance特征阻抗
Charge电荷、充电Charge-compensationeffects电荷补偿效应
Chargeconservation电荷守恒Chargeneutralitycondition电中性条件
Chargedrive/exchange/sharing/transfer/storage电荷驱动/交换/共享/转移/存储
Chemmicaletching化学腐蚀法Chemically-Polish化学抛光
Chemmically-MechanicallyPolish（CMP）化学机械抛光Chip芯片
Chipyield芯片成品率Clamped箝位
Clampingdiode箝位二极管Cleavageplane解理面
Clockrate时钟频率Clockgenerator时钟发生器
Clockflip-flop时钟触发器Close-packedstructure密堆积结构
Close-loopgain闭环增益Collector集电极
Collision碰撞CompensatedOP-AMP补偿运放
Common-base/collector/emitterconnection共基极/集电极/发射极连接
Common-gate/drain/sourceconnection共栅/漏/源连接
Common-modegain共模增益Common-modeinput共模输入
Common-moderejectionratio（CMRR）共模抑制比
Compatibility兼容性Compensation补偿
Compensatedimpurities补偿杂质Compensatedsemiconductor补偿半导体
ComplementaryDarlingtoncircuit互补达林顿电路
ComplementaryMetal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor（CMOS）
互补金属氧化物半导体场效应晶体管
Complementaryerrorfunction余误差函数
Computer-aideddesign（CAD）/test（CAT）/manufacture（CAM）计算机辅助设计/测试/制
造
CompoundSemiconductor化合物半导体Conductance电导
Conductionband（edge）导带（底）Conductionlevel/state导带态
Conductor导体Conductivity电导率
Configuration组态Conlomb库仑
ConpledConfigurationDevices结构组态Constants物理常数
Constantenergysurface等能面Constant-sourcediffusion恒定源扩散
Contact接触Contamination治污
Continuityequation连续性方程Contacthole接触孔
Contactpotential接触电势Continuitycondition连续性条件
Contradoping反掺杂Controlled受控的
Converter转换器Conveyer传输器
Copperinterconnectionsystem铜互连系统Couping耦合
Covalent共阶的Crossover跨交
Critical临界的Crossunder穿交
Crucible坩埚Crystaldefect/face/orientation/lattice晶体缺陷/晶面/晶向/晶
格
Currentdensity电流密度Curvature曲率
Cutoff截止Currentdrift/dirve/sharing电流漂移/驱动/共享
CurrentSense电流取样Curvature弯曲
Customintegratedcircuit定制集成电路Cylindrical柱面的
Czochralshicrystal直立单晶
Czochralskitechnique切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J）
Danglingbonds悬挂键Darkcurrent暗电流
Deadtime空载时间Debyelength德拜长度
De.broglie德布洛意Decderate减速
Decibel（dB）分贝Decode译码
Deepacceptorlevel深受主能级Deepdonorlevel深施主能级
Deepimpuritylevel深度杂质能级Deeptrap深陷阱
Defeat缺陷
Degeneratesemiconductor简并半导体Degeneracy简并度
Degradation退化DegreeCelsius（centigrade）/Kelvin摄氏/开氏温度
Delay延迟Density密度
Densityofstates态密度Depletion耗尽
Depletionapproximation耗尽近似Depletioncontact耗尽接触
Depletiondepth耗尽深度Depletioneffect耗尽效应
Depletionlayer耗尽层DepletionMOS耗尽MOS
Depletionregion耗尽区Depositedfilm淀积薄膜
Depositionprocess淀积工艺Designrules设计规则
Die芯片（复数dice）Diode二极管
Dielectric介电的Dielectricisolation介质隔离
Difference-modeinput差模输入Differentialamplifier差分放大器
Differentialcapacitance微分电容Diffusedjunction扩散结
Diffusion扩散Diffusioncoefficient扩散系数
Diffusionconstant扩散常数Diffusivity扩散率
Diffusioncapacitance/barrier/current/furnace扩散电容/势垒/电流/炉
Digitalcircuit数字电路Dipoledomain偶极畴
Dipolelayer偶极层Direct-coupling直接耦合
Direct-gapsemiconductor直接带隙半导体Directtransition直接跃迁
Discharge放电Discretecomponent分立元件
Dissipation耗散Distribution分布
Distributedcapacitance分布电容Distributedmodel分布模型
Displacement位移Dislocation位错
Domain畴Donor施主
Donorexhaustion施主耗尽Dopant掺杂剂
Dopedsemiconductor掺杂半导体Dopingconcentration掺杂浓度
Double-diffusiveMOS（DMOS）双扩散MOS.
Drift漂移Driftfield漂移电场
Driftmobility迁移率Dryetching干法腐蚀
Dry/wetoxidation干/湿法氧化Dose剂量
Dutycycle工作周期Dual-in-linepackage（DIP）双列直插式封装
Dynamics动态Dynamiccharacteristics动态属性
Dynamicimpedance动态阻抗
Earlyeffect厄利效应Earlyfailure早期失效
Effectivemass有效质量Einsteinrelation（ship）爱因斯坦关系
ElectricEraseProgrammableReadOnlyMemory（E2PROM）一次性电可擦除只读存储器
Electrode电极Electrominggratim电迁移
Electronaffinity电子亲和势Electronic-grade电子能
Electron-beamphoto-resistexposure光致抗蚀剂的电子束曝光
Electrongas电子气Electron-gradewater电子级纯水
Electrontrappingcenter电子俘获中心ElectronVolt（eV）电子伏
Electrostatic静电的Element元素/元件/配件
Elementalsemiconductor元素半导体Ellipse椭圆
Ellipsoid椭球Emitter发射极
Emitter-coupledlogic发射极耦合逻辑Emitter-coupledpair发射极耦合对
Emitterfollower射随器Emptyband空带
Emittercrowdingeffect发射极集边（拥挤）效应
Endurancetest=lifetest寿命测试Energystate能态
Energymomentumdiagram能量-动量（E-K）图Enhancementmode增强型模式
EnhancementMOS增强性MOSEntefic（低）共溶的
Environmentaltest环境测试Epitaxial外延的
Epitaxiallayer外延层Epitaxialslice外延片
Expitaxy外延Equivalentcurcuit等效电路
Equilibriummajority/minoritycarriers平衡多数/少数载流子
ErasableProgrammableROM（EPROM）可搽取（编程）存储器
Errorfunctioncomplement余误差函数
Etch刻蚀Etchant刻蚀剂
Etchingmask抗蚀剂掩模Excesscarrier过剩载流子
Excitationenergy激发能Excitedstate激发态
Exciton激子Extrapolation外推法
Extrinsic非本征的Extrinsicsemiconductor杂质半导体
Face-centered面心立方Falltime下降时间
Fan-in扇入Fan-out扇出
Fastrecovery快恢复Fastsurfacestates快界面态
Feedback反馈Fermilevel费米能级
Fermi-DiracDistribution费米-狄拉克分布Femipotential费米势
Fickequation菲克方程（扩散）Fieldeffecttransistor场效应晶体管
Fieldoxide场氧化层Filledband满带
Film薄膜Flashmemory闪烁存储器
Flatband平带Flatpack扁平封装
Flickernoise闪烁（变）噪声Flip-floptoggle触发器翻转
Floatinggate浮栅Fluorideetch氟化氢刻蚀
Forbiddenband禁带Forwardbias正向偏置
Forwardblocking/conducting正向阻断/导通
Frequencydeviationnoise频率漂移噪声
Frequencyresponse频率响应Function函数
Gain增益Gallium-Arsenide（GaAs）砷化钾
Gamyrayr射线Gate门、栅、控制极
Gateoxide栅氧化层Gauss（ian）高斯
Gaussiandistributionprofile高斯掺杂分布Generation-recombination产生-复合
Geometries几何尺寸Germanium（Ge）锗
Graded缓变的Graded（gradual）channel缓变沟道
Gradedjunction缓变结Grain晶粒
Gradient梯度Grownjunction生长结
Guardring保护环Gummel-Poommodel葛谋-潘模型
Gunn-effect狄氏效应
Hardeneddevice辐射加固器件Heatofformation形成热
Heatsink散热器、热沉Heavy/lightholeband重/轻空穴带
Heavysaturation重掺杂Hell-effect霍尔效应
Heterojunction异质结Heterojunctionstructure异质结结构
HeterojunctionBipolarTransistor（HBT）异质结双极型晶体
Highfieldproperty高场特性
High-performanceMOS.（H-MOS）高性能MOS.Hormalized归一化
Horizontalepitaxialreactor卧式外延反应器Hotcarrior热载流子
Hybridintegration混合集成
Image-force镜象力Impactionization碰撞电离
Impedance阻抗Imperfectstructure不完整结
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