模电第一章练习习题.docx
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模电第一章练习习题
第一章常用半导体器件
自测题
一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素,可将其改型为N型半导体。
(√)
(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
(×)
(3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
(√)
(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)
(5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。
(√)
(6)若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。
(×)
解:
二、选择正确答案填入空内。
(1)PN结加正向电压时,空间电荷区将。
A.变窄B.基本不变C.变宽
(2)稳压管的稳压区是其工作在。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿
(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。
A.前者反偏、后者也反偏
B.前者正偏、后者反偏
C.前者正偏、后者也正偏
(4)UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。
A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管
解:
(1)A
(2)C(3)B(4)AC
三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD=0.7V。
图T1.3
解:
UO1≈1.3V,UO2=0,UO3≈-1.3V,UO4≈2V,UO5≈1.3V,
UO6≈-2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。
求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
图T1.4
解:
(a)图能击穿稳压,UO1=6V;(b)图不能击穿,靠电阻分压,UO2=5V。
五、电路如图T1.5所示,VCC=15V,β=100,UBE=0.7V。
试问:
(1)Rb=50kΩ时,uO=?
(2)若T临界饱和,则Rb≈?
解:
(1)Rb=50kΩ时,基极电流、集电极电流和管压降分别为
μA
所以输出电压UO=UCE=2V。
图T1.5
(2)设临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以
六.测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1.7所示,它们的开启电压也在表中。
试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区),并填入表内。
表T1.7
管号
UGS(th)/V
US/V
UG/V
UD/V
工作状态
T1
4
-5
1
3
T2
-4
3
3
10
T3
-4
6
0
5
解:
因为三只管子均有开启电压,所以它们均为增强型MOS管。
根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态,如解表T1.7所示。
解表T1.7
管号
UGS(th)/V
US/V
UG/V
UD/V
工作状态
T1
4
-5
1
3
恒流区
T2
-4
3
3
10
截止区
T3
-4
6
0
5
可变电阻区
习题
1.1选择合适答案填入空内。
(1)在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入元素可形成P型半导体。
A.五价B.四价C.三价
(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。
A.增大B.不变C.减小
(3)工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为。
A.83B.91C.100
(4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将。
A.增大看P43图B.不变C.减小
解:
(1)A,C
(2)A(3)C(4)A
1.2电路如图P1.3所示,已知ui=10sinωt(v),试画出ui与uO的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.2
解图P1.2
解:
ui和uo的波形如解图P1.3所示。
1.3电路如图P1.4所示,已知ui=5sinωt(V),二极管导通电压UD=0.7V。
试画出ui与uO的波形,并标出幅值。
图P1.3
解图P1.3
解:
波形如解图P1.3所示。
1.4电路如图P1.4所示,二极管导通电压UD=0.7V,常温下UT≈26mV,电容C对交流信号可视为短路;ui为正弦波,有效值为10mV。
试问二极管中流过的交流电流有效值为多少?
解:
二极管的直流电流
ID=(V-UD)/R=2.6mA
其动态电阻
rD≈UT/ID=10Ω
故动态电流有效值
Id=Ui/rD≈1mA图P1.4
1.5现有两只稳压管,它们的稳定电压分别为6V和8V,正向导通电压为0.7V。
试问:
(1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?
各为多少?
(2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?
各为多少?
解:
(1)两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.6已知图P1.6所示电路中稳压管的稳定电压UZ=6V,最小稳定电流IZmin=5mA,最大稳定电流IZmax=25mA。
(1)分别计算UI为10V、24V、35V三种情况下输出电压UO的值;
(2)若UI=35V时负载开路,则会出现什么现象?
为什么?
解:
(1)当UI=10V时,若UO=UZ=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。
故
当UI=24V时,稳压管中的电流大于最图P1.6
小稳定电流IZmin,所以
UO=UZ=6V
同理,当UI=35V时,UO=UZ=6V。
(2)
29mA>IZM=25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。
1.7在图P1.7所示电路中,发光二极管导通电压UD=1.5V,正向电流在5~15mA时才能正常工作。
试问:
(1)开关S在什么位置时发光二极管才能发光?
(2)R的取值范围是多少?
解:
(1)S闭合。
(2)R的范围为
图P1.7
1.8现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图P1.8所示。
分别求另一电极的电流,标出其实际方向,并在圆圈中画出管子,且分别求出两只晶体管的电流放大系数β。
图P1.8
解:
答案如解图P1.8所示。
解图P1.8
1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。
在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。
图P1.9
解:
晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如解表P1.9所示。
解表P1.9
管号
T1
T2
T3
T4
T5
T6
上
e
c
e
b
c
b
中
b
b
b
e
e
e
下
c
e
c
c
b
c
管型
PNP
NPN
NPN
PNP
PNP
NPN
材料
Si
Si
Si
Ge
Ge
Ge
1.10电路如图P1.10所示,晶体管导通时UBE=0.7V,β=50。
试分析VBB为0V、1V、3V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。
解:
(1)当VBB=0时,T截止,uO=12V。
(2)当VBB=1V时,因为
μA
所以T处于放大状态。
(3)当VBB=3V时,因为
mA
mA<
mA,所以T处于饱和状态。
1.11电路如图P1.11所示,晶体管的β=50,|UBE|=0.2V,饱和管压降|UCES|=0.1V;稳压管的稳定电压UZ=5V,正向导通电压UD=0.5V。
试问:
当uI=0V时uO=?
当uI=-5V时uO=?
解:
当uI=0时,晶体管截止,稳压管击穿,uO=-UZ=-5V。
当uI=-5V时,晶体管饱和,uO=0.1V。
因为
图P1.11
1.12分别判断图P1.12所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
图P1.12
解:
(a)可能(b)可能(c)不能
(d)不能,T的发射结会因电流过大而损坏。
(e)可能
1.13已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极①、②、③的电位分别为4V、8V、12V,管子工作在恒流区。
试判断它可能是哪种管子(结型管、MOS管、增强型、耗尽型),并说明①、②、③与G、S、D的对应关系。
解:
管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管,三个极①、②、③与G、S、D的对应关系如解图P1.13所示。
解图P1.13
1.14已知场效应管的输出特性曲线如图P1.14所示,画出它在恒流区的转移特性曲线。
图P1.14
解:
在场效应管的恒流区作横坐标的垂线〔如解图P1.14(a)所示〕,读出其与各条曲线交点的纵坐标值及UGS值,建立iD=f(uGS)坐标系,描点,连线,即可得到转移特性曲线,如解图P1.14(b)所示。
解图P1.14
1.15电路如图1.15所示,场效应管T的输出特性如图P1.14所示,分析当uI=4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。
解:
据图P1.14所示输出特性可知,其开启电压为5V,据图P1.15电路可知uGS=uI。
当uI=4V时,uGS小于开启电压,故T截止。
当uI=8V时,据输出特性可知iD≈0.6mA,管压降uDS≈VDD-iDRd≈10V,T工作在恒流区。
当uI=12V时,T工作在可变电阻区。
1.16分别判断图P1.16所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。
图P1.16
解:
(a)可能(b)不能(c)不能(d)可能