电子技术样本.docx

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电子技术样本

一、填空题（每题2分，共20分）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

1．实际使用电源，按其外特性可以分为（）和（）。

2．有一种物质，它导电性介于导体和绝缘体之间，这就是（），如硅、锗。

3．数字工程中，按存取方式分类，惯用存储器有顺序方向存储器，（）存储器，（）存储器三种。

4．电路功能大体可以分为两类，一类是作为（）传播和转换，如电力电路；一类是作为实现（）传递和解决，如信号电路。

5．如右图所示电路中，B点电位为（）V。

6．测得工作在放大区晶体三极管三个电极电位分别为+2.3V、+2V、+8V，则此管三个电极先后为基极、（）极和（）极。

7．存储器（）和（）是反映系统性能两个重要指标。

_

8．某放大电路在负载开路时输出电压为4V，接入3KΩ负载电阻后输出电压为3V,这阐明放大电路输出电阻为（）。

9．将十进制数18.625化为二进制数为（），化为十六进制数为（）。

10．设输入变量为A、B、C，鉴别当三个变量中有奇数个1时，函数F=1，否则F=0，实现它异或表达式为F=（）。

二、单项选取题（每小题2分，共10分）

1．PN结加上反向电压，自建电场与外加电场方向（），内电场（）。

A.相反加强B.一致加强

C.相反削弱D.一致削弱

2．下列电路中，（）不是时序电路。

A.计数器B.触发器

C.寄存器D.译码器

3．图示电路中，AB之间电压V相应方程式为（）。

A.V=IR+EB.V=IR-EC.V=-IR-ED.-V=IR+E

4．右图是下面哪类场效应管图符？

A.N沟道耗尽型场效应管B.P沟道耗尽型场效应管

C.N沟道耗尽型MOS管D.P沟道耗尽型MOS管

5．组合逻辑电路险象消除办法不涉及（）

A.多余项插入法B.变化电路构造

C.加接惯性环节D.消除选通脉冲

三、分析计算题（共70分）

1．求图中电路中a、b、c各点电位。

（其中E1=5V，E2=10V，R1=2Ω，R2=5Ω，R3=4Ω）

2．逻辑电路输入A、B波形和输出F波形之间关系如图所示，试列出真值表，写出函数F逻辑关系式，并画出实现此函数逻辑图。

3．已知电路如图所示，求电流I。

（其中E1=12V，E2=24V，E3=4V，R1=6Ω，R2=12Ω，R3=1Ω,R4=3Ω）

4．由两个电源共同向负载R供电电路如下，已知电源电动势E1=E2=110V，内阻r1=10Ω，r2=5Ω,负载两端电压读数为90V，试求两电源供电电流I1、I2，负载电阻R以及两电源发出功率。

（电压表内阻影响忽视不计）

5．在电路图输入端υi（t）加入如图所示波形，视D为抱负开关，试相应画出输出υo（t）波形。

6．今有一种额定电压VN=110V，功率PN=45W电烙铁，要接在220V电源上工作，为了保证正常工作，试问要串入多大电阻值？

这样连接工作在经济上与否合理？

7．已知电路如图所示，US=18V，RO=4Ω，求RL为什么值时，负载获得功率最大，并求出最大功率。

8．电路如图所示，设t<0时，电路已达稳定，在t=0时，开关K由位置1转到位置2，与具备R1电压源E相接通。

求电容电压υc（t）变化规律，并画出波形。

9．描述逻辑电路方称为F=AB+，试写出它真值表，画出逻辑电路图。

====================================

答案:

一、填空题

1．电压源电流源2．半导体3．随机存取只读4．能量信号5．2

6．发射极集电极7．存储容量存取时间8．1KΩ9．10010.101

10．ABC

二、选取题

1．B2．D3．A4．C5．D

三、分析计算题

1．解：

在计算时注意电阻元件上与否有电流流过，由于E2、R2以及E1没有构成回路，因此它们中没有电流流过，各点电位为：

Vb=Vbo=E2=10V

Vc=Vco=Vcb+Vbo=-5V+10V=15V

Va=Vao=Vab+Vbo=-I*R3+Vbo=6V

2．解：

依照输入输出波形关系列真值表，如表所示。

由此写出函数F逻辑表达式为

F=A+B

于是，实现F逻辑图如图所示：

3．解：

I=（16V+4V）/（4Ω+1Ω+3Ω）=2.5A

4．解：

由于I1r1+VAB=E1因此I1=（110-90）/10=2A

由于I2r2+VAB=E2因此I2=（110-90）/5=4A

由于I1+I2=I因此I=2+4=6A，RL=90/6=15Ω

5．解：

Vo（t）波形如图所示：

6．解：

串联电阻R=269Ω串联电阻功率P=45W

当电烙铁在正常工作时，串入电阻也消耗功率，并等于45W，因而这种工作方式，在电路上是可行，但从经济上考虑其效率只有50%。

7．解：

由图可知，当RL=R0=4Ω时，负载获得最大功率

Pmax=Us2/4R0=182/（4*4）=20.25W

8．解：

由于υc（0-）=0V因此υc（0+）=0V

9．解：

F真值表和逻辑电路图如下：

一、填空题（每题2分，共20分）

1．基尔霍夫定律涉及（）和（）两某些。

2．二极管（）导电性，应用范畴很广，可用于整流、检波、限幅等。

3．用二进制异步计数器从零计到十进制数178，则最大需要（）个触发器。

4．电阻律ρ可以用电阻R，电阻材料长度L，横截面积S表达，表达式为（），ρ国际单位是（）。

5．为获得一种电压控制电流源，应选（）负反馈电路。

6．函数F=,当变量取值状况为（）时不会浮现冒险现象。

7．已知某存储器芯片容量为32KB，则它地址线为（）根，数据线为（）根。

8．当电容两端电压不随时间变化时，电容电路中电流为（）。

这时直流电路可视为（）。

9．国内民用交流电电压有效值是220V，频率为（），它最大值为（），瞬时值表达式μ（t）=（）。

10．某存储器具备8根地址线和6根双向数据线，则该存储器容量为（）。

二、单项选取题（每小题2分，共10分）

1．在同相和反相比例运算电路中，（）相比例电路反相输入端为虚地点；（）相比例运算电路中运放两个输入端对地电压基本上等于输入电压。

A.同同B.同反

C.反同D.反反

2．8位DAC工作在参照电压Vaf=10V时，最低输出电压为（）。

A.5mVB.10mV

C.20mVD.40mV

3．N极反馈移位寄存器状态数为（）。

A.nB.2n+1C.2nD.2n-1

4．已知整流二极管反向击穿电压为20V，按普通规定，此二极管最大整流电压为（）？

A.20VB.15VC.10VD.5V

5．用（）电路构成模8计数器译码逻辑电路最简。

A.环形计数器B.同步计数器

C.异步计数器D.扭环形计数器

三、分析计算题（共70分）

1．在下图所示电路中，求电路最大输出功率。

（RL=8Ω）

2．已知电路如下图所示，画出其状态转换图。

3．设A、B、C、D代表四个二进制数码，且X=8A+4B+2C+D。

试写出1≤X≤9判断条件。

4．在图示电桥电路中，若调节变阻器滑动触头C，使电压表读数为零，试求Rx值（电压表内阻影响忽视不计，R=120Ω，R1=R2=20Ω）。

5．图示是一电阻分压电路，电源电压V=30V，滑线电阻R=200Ω，当负载RL不接时Vab=15V，若电源电压V保持不变，试问：

（1）当负载RL接入后，测得流过RL中电流为100mA，这是Vab等于多少伏？

（2）若仍需要保持负载RL两端电压为15V，滑线电阻活动触头应位于何处（即求出ab间电阻值）？

6．若要对余3循环码进行传播，为了检测在传播过程中与否有错，在发送端将形成一位监督码元S。

试写出该余3循环BCD码奇校验位So和偶校验位Se真值表。

7．已知电路如图所示，在开关K打开状况下，a、b两点之间等效电阻。

8．纯电阻负载MOS倒相器如图所示，已知NMOS管启动电压VTN=4V，导通电阻ROS=500Ω，输入低电平为0，高电平为12V，试求NMOS管在高、低电平作用下管子工作状态和相应输出电压VO。

9．判断图示电路是时序电路还是组合电路？

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答案:

一、填空题

1．基尔霍夫电压定律基尔霍夫电流定律2．单向3．8　4．

Ωm　5．电流串联6．B=C=07．15　8

8．零断路9．311V　　

二、选取题

1．C2．D3．C4．B5．A

三、分析计算题

1．解：

最大输出功率为1W。

2．

3．解：

设函数F2=1时，满足1≤X≤9条件，否则F2=0。

4．解：

Rx=80Ω

5．解：

（1）Vab=10V

（2）Rab=141Ω

6．解：

7．解：

Rab=2.2Ω

8．解：

当Vi=0时，Vo=12V，T截止

Vi=12V时，Vo=0.57V，T导通

9．解：

F表达式是：

由F表达式看出，输出函数F不但与该时刻输入A、B关于，并且还与D关于，而D又取决于此前时刻输入值，故此电路是一种时序电路。

一、填空题（每题2分，共20分）

1．电路由能路、（）和（）三种工作状态。

2．场效应管按其构造不同分为（）场效应管和（）场效应管。

3．当P型半导体和N型半导体发生接触，在中间某些将产生（），会浮现一种由PN结自身建立电场，自建电场方向由（）指向（）。

4．将一种包具有16384个基本存储单元存储电路设计成8位为一种字节ROM，该ROM有（）个地址，有（）个数据读出线。

5．负反馈放大电路构造由（）和（）两某些构成。

6．在直流电路中，直流电源电动势或电流（）和（）保持不变。

7．有两个电阻，其中一种比另一种电阻值大得多，在串联时，两个电阻中阻值较（）那个电阻作用可以忽视。

8．测得工作在放大区晶体三级管三个电极电位分别为+2.5V，+8V，+2V，则此管为（）型（）管。

9．为充分提高负反馈效果，当信号源为高内阻电流信号源，若规定放大电路电压稳定，应选（）负反馈电路。

10．十六进制数9D.12转换为二进制数为（）。

二、单项选取题（每小题2分，共10分）

1．某仪表放大电路，规定Ri大，输出电流稳定，应选（）。

A.电流串联负反馈B.电压并联负反馈

C.电流并联负反馈D.电压串联负反馈

3．按存储介质不同来划分，存储器分为（）。

A.随机存取存储器RAM和只读存储器ROM

B.磁存储器和光存储器

C.半导体存储器、磁存储器和光存储器

D.半导体存储器和光存储器

4．某放大电路在负载开路时输出电压为4V，接入12KΩ负载电阻后，输出电压为3V,这阐明放大电路输出电阻为（）

A.2KΩB.3KΩC.4KΩD.10KΩ

5．负反馈放大电路产生自激震荡条件是（）。

A.AF=0B.AF=1

C.AF=∞D.AF=-1

三、分析计算题（共70分）

1．在下图所示电路中，R1=6Ω，R2=R5=4Ω，R3=R4=8Ω，E=12V，I1=1A，I2=I3=0.5A，试求各点电位，并从电位求电压Vcd。

（选取F点为参照点）

2．求下图函数表达式，将其化简为与或表达式。

3．已知电路如下图所示，其中Vcc=12V，RB=200K?

，RE=RL=RS=3KΩ，β=40，求输入电阻ri和输出电阻ro。

4．电路如下图（a）、（b）中，设开关闭合为1，断开为0，灯亮为1，灯灭为0，试写出灯亮逻辑表达式。

5．如下图所示主从JK触发器，加入周期性时钟脉冲，设Q初始状态为0，试画出每个触发器Q端波形。

6．试求图示电路中Vab值。

7．写出如下图所示门电路逻辑表达式。

8．用两输入端与非门实现函数：

9．分析下图所示电路状态变化规律。

（设初态均为0）

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答案:

一、填空题

1．开路短路2．结型绝缘栅3．自建电场N区P区

4．204885．基本放大电路反馈电路6．大小方向7．小

8．NPN硅9．电压并联10．（10011101.0001001）

二、选取题

1．A2．A3．C4．C5．B

三、分析计算题

1．解：

选取F点为参照电位点，即VF=0，则

电压VCD即为C点和D点电压差，VCD=VC–VD=4–2=2V

2．解：

3．解：

4．

5．解：

6．解：

7．

8．解：

由卡诺图化简，得

9．解：

状态真值表如下：

一、填空题（每题2分，共20分）

1．叠加原理是应用（）性质分析电路一种重要原理，它合用于（）线性电路。

2．两个电容C1和C2串联后，总电容大小变为（）。

并联后总电容大小变为（）。

3．深度饱和时，硅管UCE约为（）V，锗管UCE约为（）V，由于深度饱和时，UCE约为0，晶体管在电路中犹如一种闭合开关。

4．场效应晶体管有很高（）电阻，因而功耗小，体积小，易于集成化。

5．已知反馈放大器A=1000，反馈系数F=0.009，则Af=（）。

6．电路中汇聚三条或更多条导线端点称为（），连接任意两节点之间某些电路成为（）。

7．电容容抗可以用角速度w和电容C表达为（）。

电感感抗可以用角速度w和电感L表达为（）。

8．用直流电压表测得放大电路中晶体管T各电极对地电位分别为V1=+3.6V，V2=+3V，V3=+11V，则此管为（）型（）管。

9．三极管重要性能参数有共射极电流放大系数（），极间反向饱和电流（）。

10．ROM存储器是由（）、（）和读出电路三某些构成。

二、单项选取题（每小题2分，共10分）

1．图示电路中，A点电位VA应为（）。

A.-10VB.-6V　　　　　　　　　

C.-5VD.0V

2．外加（）电压时，P区接电源正极，N区接负极，空间电荷区变（）。

A.反向窄B.反向宽C.正向窄D.反向宽

3．图示电路稳定后，（）状况绝不会浮现。

A.QA=QB=0B.QA=0QB=1C.QA=1QB=0D.QA=QB=1

4．图示电路中，6Ω电阻消耗功率P为（）。

A．2WB.3W

C．4WD.6W

5．一种16选1数据选取器，其地址输入端有（）

A.4B.2

C.1D.16

三、分析计算题（共70分）

1．运用支路电流法求图示电路中各支路电流。

已知E1=12V，E2=9V，E3=8V，R1=6Ω，R2=3Ω，R3=1Ω。

2．已知电路如下图所示，写出电路状态方程和输出方程（设触发器初始状态均为0）。

3．用节点电压法求解如图所示电路中节点a和b电压。

4．图示电路中，已知E2=40V，R2=10Ω，R1=4Ω，R3=40，试求：

（1）若使电流I1=0时，电动势E1值为多大？

（2）若使电流I2=0时，E1又为什么值？

校验上述三种状况下电路功率与否平衡。

5．结型场效应管构成模仿开关如图所示，视D为抱负二极管，设输入信号vi在-5V到+5V之间变化，管子夹断电压vp=-4V。

（1）欲在取样脉冲高电平VcH期间，使输出电压Vo=Vi（传播信号），试求取样脉冲Vc高电平最小值VcHmin。

（2）欲在取样脉冲低电平VcL期间，使输出电压Vo=Vi（不传播信号），试求取样脉冲Vc低电平最大值VcLmax。

6．今有一种额定电压VN=110V，功率PN=45W电烙铁，要接在220V电源上工作，为了保证正常工作，试问要串入多大电阻值？

这样连接工作在经济上与否合理？

7．已知电路如图所示，US=18V，RO=4Ω，求RL为什么值时，负载获得功率最大，并求出最大功率。

8．电路如图所示，设t<0时，电路已达稳定，在t=0时，开关K由位置1转到位置2，与具备R1电压源E相接通。

求电容电压υc（t）变化规律，并画出波形。

9．

描述逻辑电路方程为

试写出它真值表，画出逻辑电路图。

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答案:

一、填空题

1．线性各种独立源作用

3．0.30.14．输入或输出

5．1006．节点支路

7．1/WCWL8．NPN硅管

10．地址译码驱动器存储矩阵

二、选取题

1．C2．C3．C4．D5．A

三、分析计算题

1．解：

对节点A列KCL方程有：

3．解：

由节点方程

4．解：

由题意，得到下列一组方程：

5．解：

（1）为使Vo=Vi，则规定二极管D是截止，故VcHmin=ViH=+5V

（2）为使Vo=0，则规定二极管D是导通，故

　　　　　　　VcLmax=-（|ViL|+|Vp|）=－9V

6．解：

7．解：

　　　　R=4Ω

　　　　Pmax=U2/4R=882/（4*4）=484W

8．解：

由于υc（0-）=0V　　因此υc（0+）=0V

9．解：

F真值表和逻辑电路图如下：