电子陶瓷要求掌握内容附答案版.docx

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电子陶瓷要求掌握内容附答案版

《电子陶瓷》学习的基本要求

第一章电子瓷瓷料的制备原理

1、掌握机械粉碎（细磨）的方法、原理、粉碎方式及特点（适用范围）

粉碎方式：

冲击、研磨、劈裂、压碎

1、球磨

粉碎方式：

以冲击和研磨作用为主

2、振动磨——超细粉碎设备（快速磨）干磨：

→1μm；湿磨：

→0.1μm

原理：

利用研磨体在磨机内作高频振动而将物料粉碎，以冲击、研磨作用为主

3、砂磨（搅拌磨，摩擦磨）：

超细粉碎设备，适合加工0.1μm的超细粉，入磨粒度一般≤1mm。

粉碎方式：

以研磨作用为主

4、气流磨（能流磨或无介质磨）：

超细粉碎设备粒度：

→1μm

2、理解、掌握影响球磨效率的因素

①转速

②研磨介质的形状、大小、比重

③内衬材质：

燧石、橡胶、瓷质

④料球水比合理

⑤干磨与湿磨

⑥球磨机直径：

直径大——好！

⑦助磨剂

3、掌握结合能、表面能（表面自由能）的概念

结合能：

等于离子由高度分散状态结合成晶体所放出的能量（KJ/mol），结合能越大，其坚固程度越大，越难破碎，耐火度也越高。

表面能（表面自由能）：

晶体表面离子比晶体内部离子多具有的那部分能量。

比表面能用γ表示，单位KJ/m2

4、熟悉、理解粉料粒度分析方法及特点

（1）记数法:

光学显微镜（1mm-1μm）、电子显微镜（10μm-1nm）、激光粒度分析仪、Zata电位分析仪（→2nm）等;

（2）筛分法（1mm-10μm）;

（3）沉降法（1mm-1μm）;

（4）吸附法（BET法）（10μm-1nm）

5、掌握陶瓷原料合成的方法及特点

一、固相法

1、高温固相反应法（PZT\PLZT\PT等）

▲优点：

工艺简单，成本低

▲缺点：

合成原料纯度低，颗粒粗，活性差

2、分解法

▲优点：

合成原料纯度高、颗粒较细、活性较好，工艺简单，成本低

▲缺点：

需选择合适的原料

3、燃烧法

4、低热固相反应

二、液相法：

1、沉淀法2、醇盐水解法3、水热法4、溶剂蒸发法

▲液相法的优点：

合成原料性能优异（纯度高、颗粒细、活性好等）

▲液相法的缺点：

工艺较复杂，成本较高

6、理解改善坯料性能的添加剂及其作用

1、解胶剂（解凝剂，减水剂）：

用来提高泥浆的流动性。

2、结合剂（包括塑化剂）：

用来提高可塑泥团的塑性，增强生坯的强度。

7、掌握原料预烧的作用（目的）

原料预烧的目的:

（1）改变物性;

（2）稳定晶型;（3）破坏层片状结构

9、熟悉、理解、掌握粉料粒度分布的表示方法

（个数，体积，重量，面积）频度分布曲线，（个数，体积，重量，面积）累积分布曲线

第二章电子瓷成型原理

1、掌握各种成型方法的特点（或适用范围）

▲压制成型：

适合成型形状简单、坯体厚度不大的扁平状制品。

▲流法成型：

适合成型形状复杂、规格尺寸较大的制品。

▲可塑成型：

适合成型带有回转中心的杯碟状的制品。

2、理解成型压力-坯体密度的关系及压力-坯体强度的关系

3、理解粉料的性能要求

（1）容重；

（2）压缩比；（3）流动性；（4）含水率；

4、掌握压制成型的种类

1、半干压成型（含水率5-7%）

2、干压成型（含水率≦3%）

（1）普通干压成型

（2）冷等静压成型（含水率1＜%）

（3）热等静压成型（含水率1＜%,热等静压成型）

5、理解并掌握压制成型的操作规程：

▲一轻：

第一次加压要轻；

▲二重：

第二次加压要重；

▲三加压：

第三次加压要达到最大成型压力，并有适当的稳压时间；

▲慢提起：

缓慢卸压（提起上模）

6、掌握层裂及层密度的概念，压制成型常见的缺陷（层裂、层密度）及解决措施

1、层裂：

压制成型的坯体在卸压后、干燥后或烧成后出现层状开裂的现象

原因：

压制成型过程中，残余气体未充分排除。

解决措施：

控制粉料性能，调整操作规程。

2、层密度：

压制成型的坯体在靠近加压面的地方，其密度较大，越远离加压面的部位，其密度越小。

原因：

压制成型过程中，粉料存在内、外摩擦力，造成压力分布不均。

解决措施：

（1）减小内摩擦力（加入润滑剂）；

（2）减小外摩擦力（加入润滑剂，提高模具光洁度，对适当加热）；

（3）减小压制成型坯体的高/径（H/D）比；

（4）采用双向或多向加压。

7、掌握可塑性、可塑性指数、可塑性指标、塑限、液限等概念

可塑性：

泥团在外力作用下发生变形而不开列的性质称为可塑性。

可塑性指数=液限-塑限

可塑性指标=σp×εp（工作水分下）

塑限：

由固体状态进入塑性状态时的含水量

液限：

由塑性状态进入流动状态时的含水量

8、轧膜成型适合成型何种形状的制品？

片状，常见0.7mm左右

9、轧膜成型的工艺

配料→初混→切料→粗轧/碾、拉片→干燥→精轧→切坯

10、流法成型的种类

注浆成型：

利用多孔模具的吸水性

热压铸成型：

利用热塑性物质的特性

流延法成型：

利用坯料流态流动性

11、流延法成型适合成型何种形状的制品？

可获得高质量、超薄型瓷片（厚度可达几十个μm）

12、热压铸成型适合成型何种形状的制品？

热压铸成型的工艺包括哪三个主要工序？

可获得形状复杂、尺寸精度要求高的产品

成型工艺：

蜡浆制备→热压铸成型→高温脱蜡（在惰性粉料的保护下）

第三章电子瓷烧结原理

2、影响粉料烧结活性的主要因素

粒度、结晶状况、晶格缺陷

3、掌握陶瓷烧结的方法及其推动力

方法:

常压烧结、压力烧结、反应烧结、气氛烧结等

推动力:

1、表面能2、化学能3、机械能4、电场、磁场、超声波等能量

4、理解并掌握固相烧结及液相烧结的主要传质机构

1、流动传质——粘性流动传质是液相烧结的主要传质机构

塑性流动传质是固相烧结的主要传质机构

在表面张力或其它外力的作用下，通过变形、流动引起的物质迁移。

2、蒸发-凝结传质——固相烧结的主要传质机构

颗粒表面各处的曲率不同，根据凯尔文方程式，各处相应的蒸气压大小也不同。

质点容易从蒸气压大的凸面（如颗粒表面）蒸发,通过气相传质到蒸气压小的凹面（颈部）凝结,使颗粒的接触面积增大,颗粒和空隙的形状改变而导致逐步致密。

3、溶解-沉淀传质——固相烧结的主要传质机构

在有液相参与的烧结中，若液相能润湿和溶解固相，由于小颗粒的表面能较大，曲率半径较小，其溶解度大于大（平面）颗粒大。

4、扩散传质——固相烧结的主要传质机构

质点（或空位）借助于浓度梯度的推动而实现物质的迁移传递。

5、掌握固相烧结、液相烧结、二次再结晶、一次莫来石、二次莫来、一次莫来石化、二次莫来石化的概念。

二次晶粒长大（二次再结晶）：

是指在烧结后期少数晶粒的过分（异常）长大。

致密陶瓷：

是指烧结体基本没有气孔而接近理论密度的陶瓷。

一次莫来石（粒状）：

由粘土矿物在高温下分解生成的莫来石。

二次莫来石（针状）：

在高温下，游离的SiO2和Al2O3反应生成的莫来石。

一次莫来石化（过程）：

粘土矿物在高温下分解生成莫来石的过程

二次莫来石化（过程）：

在高温下，游离的SiO2和Al2O3反应生成的莫来石的过程

6、促进烧结添加剂的选择及其作用

A、产生液相：

利用溶解-沉淀传质或粘性流动传质来促进烧结

B、形成固溶体：

晶格畸变，活化晶格，促进烧结

C、阻滞作用的添加剂：

抑制二次再结晶，防止大气孔

7、理解并掌握确定烧结制度的依据

（一）坯体在加热过程中的物理化学（性状）变化

在坯体出现剧烈膨胀/收缩、化学反应、相变的温度区域——应缓慢升降温或适当保温

（二）坯体形状、厚度、大小和入窑水分

坯体形状复杂，厚度大，规格尺寸大，入窑水分高——应缓慢生降温或适当保温

（三）窑炉的结构、燃料种类、装窑密度

明焰窑——传热效率高，可快速升降温，烧结周期短

隔焰窑——传热效率低，升降温速度慢，烧结周期长

装窑密度——窑炉断面温差大——应缓慢升降温

（四）烧结方法

素烧/本烧;常压烧结/热压烧结/热等静压烧结;气氛烧结等

8、掌握烧结（烧成）制度及温度制度的内容

▲烧结制度：

包括温度制度、压力制度和气氛制度

1、温度制度包括升降温制度、烧结温度和保温时间

2、气氛制度：

气氛及气氛与温度的关系

3、压力制度：

保证温度制度和气氛制度的实现，或促进烧结

9、熟悉、理解影响陶瓷烧结的主要因素

（1）粉料细度及其活性：

粉料颗粒越细,活性越好,表面自由能越高,即Fa越大,△F=Fb-Fa也就越低,（△F/=Fa-Fc）↑,烧结越容易,烧结温度越低。

粉料结晶程度越差,活性越好。

（2）添加剂（烧结促进剂）：

添加剂使颗粒表面形成某种缺陷或化合物，使表面自由能增加，Fa↑，△F=Fb-Fa减小，烧结容易，烧结温度降低。

（3）烧结方法：

烧结推动力不同。

（4）烧结制度

第四章电子瓷的表面及烧结后的加工处理

1、表面平整度（粗糙度）的测定方法及特点

（1）粗糙仪：

探针法

缺点：

设备复杂，操作烦琐，代表性较差。

（2）光泽计法

特点：

对于厚膜电路（膜厚约为5μm），对基片的表面光洁度没有太高的要求。

对于薄膜电路（膜厚约为1μm），必然对基片的表面光洁度提出了要求较高要求。

2、掌握电子瓷与金属封接的方法

（1）玻璃釉封接；

（2）金属化焊料封接；（3）活化金属封接。

3、理解、掌握玻璃釉的基本工艺过程

工艺：

配料—混料、细磨---制备（釉）熔快---封接（热处理）

4、理解、掌握表面金属化与金属化焊料（烧结金属粉末法）封接的基本工艺过程

烧结金属粉末法是在高温还原气氛中使金属粉末在瓷件表面上烧结成金属薄膜，再进行金属与陶瓷封接的一种方法。

陶瓷表面作金属化烧渗→沉积金属薄层→加热焊料使陶瓷与金属封接

（1）料浆制备：

金属氧化物+金属粉末+无机粘接剂+有机粘接剂→球磨刷浆或印刷（平均粒径1-2μm）

（2）刷浆或印刷：

涂覆在陶瓷表面（干后厚度12-25μm）

（3）烧渗（温度900-1800℃）：

沉积金属薄层

通常在还原气氛下进行，一部分金属氧化物将还原成金属，另一部分则可能熔入陶瓷的玻璃相中

（4）金属与陶瓷的封接（焊封）

用焊料在还原气氛或真空气氛下封接

焊料有：

银-铜、金-铜、镍-铜、纯铜及纯银等。

5、熟悉活化金属的基本工艺过程

特点：

采用对氧特别活泼的特殊金属焊料，不需要事先的金属化，直接封接。

必须是在高真空（＜10-4Pa）下进行封接。

6、熟悉、理解表面强化的方法

1、表面抛光——减少裂纹2、化学腐蚀、高温熔融——减小应力集中

3、离子注入——物理及化学离子注入4、施釉5、表面结晶

第一章电子陶瓷结构基础

一、熟悉配位数与正负离子半径比的关系

（1）三配位（正离子配位数）——[平面三角形]，SP2杂化

理论值：

r+/r-=0.155，0.155≤r+/r-＜0.225

（2）四配位——正四面体，SP3杂化

理论值：

r+/r-=0.225，0.225≤r+/r-＜0.414

（3）六配位——八面体

理论值：

r+/r-=0.414，0.414≤r+/r-＜0.732

（4）八配位——立方体/六面体

理论值：

r+/r-=0.732，0.732≤r+/r-＜0.904

（5）十二配位——二十面体（六方密堆积）或十四面体（六方密堆积）

理论值：

r+/r-=0.904，r+/r-≥0.904

二、了解离子半径与配位数、键性、电价数的关系

▲配位数↑——离子半径↑

▲键性——金属键比共价键的离子半径大，共价键比离子键的离子半径大；

▲电价——共价键的离子半径随单键、双键、三键而递减，（正）离子键的离子半径随电价增加而下降。

第二章低介装置瓷

一、与电容器瓷相比，低介装置瓷的性能特点是什么（两点）？

低介装置瓷的用途？

▲低介装置瓷：

介电常数通常﹤10，陶瓷电介质的ρ＞108Ω·m电信号传播速度～ε-0.5主要用于电子技术、微电子技术和光电子技术中起绝缘作用的陶瓷装置零件、陶瓷基片及多层陶瓷包封材料等。

二、了解低介装置瓷的性能要求

▲低介装置瓷要求：

介电常数小，介电损耗低，绝缘性能优异，尺寸精确，机械强度高，散热性能优良，工作温度高，环境与经时稳定性好，陶瓷材料完全能满足上述要求。

三、掌握滑石瓷的缺点（老化）、产生其原因及解决措施

（1）优点：

机械强度较高,高频下tgδ小[（1-7）×10-4]（1MHz），原料来源广泛而低廉，易于制成各种复杂的零件，性能较好、价格低廉、用途广泛。

（2）缺点：

热稳定性差（老化）

滑石瓷的主晶相原顽辉石（MS）→缓慢→斜原顽辉石（收缩，粉化）

（3）防止滑石瓷老化的措施

A、利用高粘度的玻璃相包裹原顽辉石；滑石瓷主晶相？

B、防止晶粒过分长大（大晶粒比小晶粒易于晶型转变）

四、论述滑石瓷的生产工艺（三点）

（1）滑石的预烧（1300-1350℃）

滑石为2（Si-O）：

1（Mg-O）的层状硅酸盐（Si-O四面体,Mg-O/OH八面体），层片状解理，片状颗粒。

预烧的目的：

破坏其各向异性的层片状结构，防止烧成的开裂及产品的各向异性。

（2）防止滑石瓷老化的措施

A、利用高粘度的玻璃相包裹原顽辉石

B、防止晶粒过分长大（大晶粒比小晶粒易于晶型转变）

（3）烧成温度范围窄（CaO、MgO助熔剂）

五、掌握镁橄榄石瓷的特点和缺点

优点：

高温、高频下介电性能优于滑石瓷（见P29表2-3）。

缺点：

热膨胀系数大（可与Ti-Ag或Ti-Ni合金匹配），抗热冲击性能差。

六、掌握堇青石瓷的特点和缺点

优点：

热膨胀系数小[（0.9-1.4）×10-6/℃]，抗热冲击性能好。

缺点：

tgδ大，难烧结（晶体结构疏松，类似于非氧化物陶瓷材料），烧成温度范围窄。

七、Al2O3瓷生产中，为什么要对工业氧化铝和高铝矾土原料进行预烧？

工业氧化铝和高铝矾土原料预烧的目的是什么？

工业氧化铝预烧后的质量评价方法？

工业氧化铝一般为γ-Al2O3,使γ-Al2O3转变为α-Al2O3。

经过高温预烧还可以使氧化铝钝化，以去除其中的碱金属氧化物，从而保证产品有良好的电气性能。

此外，由于γ-Al2O3转变为α-Al2O3的过程中伴随有13%左右的体积收缩，因此，预烧可减少制品在烧成时的收缩率，以保证产品尺寸的准确性。

真密度法和染色法

八、掌握滑石类装置瓷的种类及特点

1、镁橄榄石瓷

优点：

高温、高频下介电性能优于滑石瓷（见P29表2-3）。

缺点：

热膨胀系数大（可与Ti-Ag或Ti-Ni合金匹配），抗热冲击性能差。

2、堇青石瓷

优点：

热膨胀系数小[（0.9-1.4）×10-6/℃]，抗热冲击性能好。

缺点：

tgδ大，难烧结（晶体结构疏松，类似于非氧化物陶瓷材料），烧成温度范围窄。

特点是具有较高的机械强度，在1MHz下介质损耗角正切值小，工艺性能好，易于制成各种复杂形状的零件。

缺点是热稳定性能差。

九、AlN、BeO装置瓷的最大优点是什么？

介电性能和导热性能（声子导热，理论值——320W/m·℃）优异，同时也是一种性能优异的结构陶瓷。

热膨胀系数与Si接近，机械强度是Al2O3瓷的2倍。

介电性能接近与氧化铝，抗碱性熔渣性能好。

第三章高介电容器瓷

一、高介电容器瓷属于高频还是低频电容器瓷，为什么？

高频，高频下损耗低

二、根据用途（介电温度系数）的不同，高介电容器瓷可分为哪三类电容器？

高频电容器瓷:

包括高频热补偿电容器瓷、高频热稳定电容器瓷和高频介电温度系数系列化的电容器瓷

二、金红石瓷老化的原因是什么（两点）？

（1）在烧成过程中氧化气氛没有充分保证，尤其是在降温过程中也必须保证充分的氧化气氛；

（2）烧成温度过高（尤其是在1400℃以上）：

TiO2→TiO2-X+1/2O2↑

四、掌握金红石瓷的生产工艺要点（两点）

（1）TiO2原料的预烧（形成金红石，≥1200℃）。

（2）氧化气氛烧成（防止Ti4+被还原成Ti3+,影响其介电性能）

五、含TiO2电容器陶瓷一般采用何种气氛烧成？

氧化气氛

六、金红石瓷电容器主要用于直流还是交流电路？

为什么？

交流；直流电路中Ti4+易获得电子被还原。

七、熟悉高频热补偿电容器瓷的主要瓷料

金红石（-700×10-6/℃）瓷、CaTiO3（-1500×10-6/℃）瓷

八、熟悉高频热稳定电容器瓷的主要瓷料

钛酸镁瓷、锡酸钙瓷

九、熟悉高频介电温度系数系列化的主要瓷料

钛锆系瓷、镁镧钛系瓷和硅钛钙系瓷

十、与低介装置瓷相比，电容器瓷的性能特点是什么？

含钛陶瓷中由于TiO2的再结晶能力很强，当烧成温度稍高或者保温时间过长，都会引起TiO2的二次再结晶，生长成粗大的晶粒，从而破坏了晶粒的均匀度，使材料的机械性能和介电性能恶化。

十一、掌握二次再结晶对电容器瓷性能的危害

含钛陶瓷中由于TiO2的再结晶能力很强，当烧成温度稍高或者保温时间过长，都会引起TiO2的二次再结晶，生长成粗大的晶粒，从而破坏了晶粒的均匀度，使材料的机械性能和介电性能恶化。

十二、烧成（结）温度太窄对陶瓷或电容器瓷的生产有什么影响？

十三、掌握强介铁电陶瓷和高介电容器瓷的特点

第四章强介铁电陶瓷

一、掌握概念：

铁电陶瓷、反铁电陶瓷、铁电陶瓷（体）的居里温度、电畴、铁电体的居里峰、铁电体的居里区、铁电陶瓷的扩散相变现象、铁电陶瓷的异相共存、铁电老化、铁电疲劳现象。

铁电陶瓷:

是指具有自发极化,且自发极化能为外电场所转向的一类陶瓷。

其介电常数可高达103～104,故又称之为强介瓷。

反铁电陶瓷：

是指沿反平行方向自发极化,且其自发极化能为外电场所转向的一类陶瓷。

居里温度：

铁电晶体由铁电体（相）向顺电体（相）转变的温度，称之为居里温度。

电畴：

是指自发极化方向一致的区域

居里峰：

铁电体在Tc处ε出现最大值的关系称为居里峰。

居里区：

居里峰两侧一定高度的ε所覆盖的温度区间称之为居里区。

扩散相变现象：

铁电陶瓷的ε按居里区展开的现象，称为相变扩散或扩散相变现象。

异相共存：

铁电陶瓷在居里区的温度范围内，在不同温度下，有不同比例的铁电相和非铁电相共存。

或者说整个铁电体各部分的Tc并不集中于同一温度，而不同的微区有不同的Tc。

铁电老化：

初生产出来的铁电陶瓷，某些介电参数会随储存时间逐渐而变化，通常是铁电性变弱，称之为铁电老化

铁电疲劳现象：

初生产出来的铁电陶瓷，在长时间交变电场作用下，随着电场交变次数的增加，其铁电性变弱，而这种减弱的铁电性又可为热处理或强电场之作用而部分或全部恢复，故称之为疲劳现象。

二、掌握铁电陶瓷的扩散相变现象的原因

异相共存

三、掌握铁电陶瓷的异相共存的原因

热起伏相变扩散、应力起伏相变扩散、成分起伏相变扩散和结构起伏相变扩散

四、掌握铁电陶瓷改性的途径（方法）

采用一种移动剂，将BaTiO3瓷的居里峰移动到工作温区的中部，使其能在室温附近出现重叠效应。

引入一定浓度的展宽剂，使居里峰降下来，两侧的ε有所提高。

当介电系数的温度变化率容许在较大范围内变化时，ε可保留较大数值，展宽剂用量也比较少。

还可以通过多峰效应来获取ε温度变化率相当平缓的铁电瓷。

改性的目的：

要求在工作温区内介电常数高，TCε小，抗电强度和介电损耗满足要求。

五、掌握实现铁电陶瓷居里峰展宽的途径（方法）

相变扩散展开：

热起伏相变扩散、应力起伏相变扩散、成分起伏相变扩散、结构起伏相变扩散。

固溶缓冲型展宽效应：

添加物（展宽剂）→形成固溶体→居里峰展宽。

粒界缓冲型展宽效应

六、掌握铁电移动剂移动效率的计算方法

η=（TCB-TCA）/100

η—移动效率,表示每1mol%的移动剂或1mol%的A位或B位离子被取代时,居里点移动的度数,单位为（℃/mol%）

TCA—第一种铁电体（基质）的居里点

TCB—第二种铁电体（移动剂）的居里点

第一章陶瓷工业热工设备

一、掌握陶瓷窑炉分类、隧道窑的分类、间歇窑的分类等

隧道窑分类

1、按火焰是否进入窑道分

A、明焰隧道窑

特点:

传热效率高，生产效率高，产品质量好

B、隔焰隧道窑

特点:

传热效率低，生产效率低，产品质量差

C、半隔焰隧道

采用何种窑型取决于燃料

2、按窑内运输设备分类

A、窑车隧道窑—卫生陶瓷、日用陶瓷、耐火材料等行业

B、辊道隧道窑—建筑陶瓷、日用等行业

C、推板隧道窑—用于电子陶瓷或特种陶瓷，采用电加热

D、输送带窑（隧道窑）

采用何种窑型主要取决于产品种类

3、按热源分

A、电热隧道窑——常用于电子陶瓷或特种陶瓷工业

B、火焰隧道窑——常用于普通陶瓷工业

采用何种窑型主要取决于产品种类

二、掌握连续窑及间歇窑（传统倒烟窑）的优缺点

（1）间歇窑（倒焰窑、抽屉窑、钟罩窑、电炉等）

优点：

生产灵活，适合多品种小规模的生产

缺点：

产量低，能耗高，质量差（倒焰窑），劳动强度大（倒焰窑），劳动条件差（倒焰窑）

（2）连续窑（窑车隧道窑、辊道隧道窑、推扳隧道窑等）

优点：

产量高，能耗低，质量好，容易实现连续自动化生产，适合少品种大规模的产品生产

缺点：

生产不灵活，适合少品种大规模的生产

三、理解隧道窑的工作原理（气体流动、传热等）

（1）电热隧道窑内气体流动

A、几何压头hg=H（ρa－ρ）g——主要动力

B、静压头hs=P－Pa——很小

C、动压头hk=ω2ρ/2——很小

D、阻力损失压头——摩擦阻力损失压头（hf）和局部阻力损失压头（hl）——很小

（2）电热隧道窑内传热

A、对流传热

B、辐射传热——主要传热方式

五、掌握新型间歇窑的种类及其采用的新技术

A、采用活动窑体（窑墙或窑底），在窑外装卸产品—减轻了劳动强度，改善了劳动条件；

B、采用了高速调温烧嘴—加强了传热，改善了窑内温度均匀性，缩短烧成时间，增加了产量，降低了能耗；

C、采用了轻质隔热材料—快速升降温，缩短烧成时间，增加了产量，降低了能耗；

D、实现自动控制—保证产品质量。

6、掌握火焰窑炉和电热窑炉内传热的特点

A、对流传热Q=αc（t-tm）F

B、辐射传热Q=5.67εεm[（T/100）4-（Tm/100）4]

传热：

低温下以对流传热为主，高温下以辐射传热为主

六、掌握火焰窑炉和电热窑炉窑内传热的特点

七、掌握影响窑内气体流动的压头

A、几何压头hg=H（ρa－ρ）g——主要动力

B、静压头hs=P－Pa——很小

C、动压头hk=ω2ρ/2——很小

D、阻力损失压头——摩擦阻力损失压头（hf）和局部阻力损失压头（hl）——很小

八、掌握各种隧道窑的主要应用领域

A、窑车隧道窑—卫生陶瓷、日用陶瓷、耐火材料等行业

B、辊道隧道窑—建筑陶瓷、日用等行业

C、推板隧道窑—用于电子陶瓷或特种陶瓷，采用电加热

D、输送带窑（隧道窑）

九、掌握隧道窑的组成部分

（1）隧道窑的组成部分：

A、窑体；B、窑内运输设备；C、燃烧设备；D、通风设备。

十、掌握窑车隧道窑预热带和冷却带的气幕结构

预热带的气幕结构：

窑头封闭气幕、搅拌气幕、循环气幕、排烟系统

窑头封闭气幕的作用：

阻挡冷空气进入窑内，防止热气流外逸，减小预热带气体分层，减小预热带的上下温差。

搅拌气幕的作用：

减小预热带气体分层，减小预热带的断面温差。

循环气幕的作用：

减小预热带气体分层，减小预热带的断面温差。

十一、掌握概念：

窑具、窑炉（隧道窑）的工作系统

第二章陶瓷工业生产机械

一、熟悉、了解陶瓷工业粗碎、中碎、细磨的机械设备

二、掌握破粉碎的方式

三、了解机械脱水的机械设备

四、掌握喷雾干燥塔组成