半导体设备行业深度分析报告.docx
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半导体设备行业深度分析报告半导体设备行业深度分析报告（此文档为word格式，可任意修改编辑！
）2017年11月正文目录图目录表目录一、第三次产业迁移，新周期已然到来1.1摩尔定律，半导体工业不断突破制造极限摩尔定律，半导体工业不断突破制造极限半导体是指电阻率会发生变化，导致常温下导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。
按照生产过程来看，半导体产业链包含芯片设计、制造和封装测试环节，其中后两个环节支撑着上游半导体材料、设备、软件服务的发展；按照制造技术来看，可以分为分立器件、集成电路、光电子和传感器等4大类。
通过人为地掺入特定的杂质元素，半导体的导电性可受控制，进而产生巨大的经济效益，因而半导体广泛地应用于下游通信、计算机、网络技术等产业。
图图1：
半导体产业链及下游应用：
半导体产业链及下游应用集成电路（IC）占到半导体总产值的80%以上，是半导体产业最重要的组成部分，通常意义上的半导体即代指集成电路，具体包括逻辑芯片、存储芯片、处理器芯片和模拟芯片四种。
IC是指经过特种电路设计，将晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，成为具有所需电路功能的微型结构。
IC被广泛应用之前，传统的分立电路多以导线连接独立的电路元件而构成。
而集成电路的结构非常紧凑，相比同样功能的分立电路体积大大缩小；同时，较小的体积也使得耗能更少，工作性能卓越。
半导体优越的技术性能、制造技术的发展以及采用结构单元的电路设计方式，使标准化IC迅速取代了过去分立元件的传统电路设计成为主流。
半导体工业不断突破制造极限。
英特尔创始人戈登摩尔提出摩尔定律：
当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍，从而要求集成电路尺寸不断变小。
经过十几年的发展，我国集成电路制造企业的工艺水平已提升至28纳米，与先进水平的差距逐渐缩小。
目前12英寸生产线的65/55纳米、45/40纳米、32/28纳米工艺产品已经量产；16/14纳米关键工艺技术已展开研发并取得一定的技术突破和成果；8英寸生产线的技术水平覆盖0.25微米0.11微米。
根据ICinsights公布的技术路线图，国际龙头厂商对半导体工艺的研究已经到了10nm以下，而业内普遍认为5nm工艺将是极限，此时晶体管就只有10个原子大小，由于对物理极限的逼近使得开发难度大增。
图图2：
半导体产业分类：
半导体产业分类图图3：
集成电路分类：
集成电路分类图图4：
代表性厂商制程节点技术路线图：
代表性厂商制程节点技术路线图1.2大浪淘沙，半导体产业成熟的全球分工模式大浪淘沙，半导体产业成熟的全球分工模式产业模式由IDM向垂直分工转化。
半导体产业发展史伴随的是产业链分工的不断深化，目前有两种商业模式，一种是IDM（IntegratedDeviceManufacture，集成器件制造）模式，另一种是垂直分工模式。
20世纪50年代的半导体公司都是IDM集成模式，随着1987年台湾积体电路公司（TSMC，台积电）的成立，IC设计、晶圆制造、封测分开的Foundry模式应运而生。
经过半个多世纪发展，全球半导体产业形成IP供应商、IC设计、制造、封测的高效深度分工模式。
出现垂直分工模式的原因有两点：
1.行业具有规模经济性。
随着制造工艺的进步和晶圆尺寸的增大，单位面积上能够容纳的IC数量剧增，成品率显著提高。
企业扩大生产规模会降低单位产品的成本，提高竞争力。
2.产业所需投资十分巨大，沉没成本高。
一般而言，一条8英寸产线需要15亿美元投资，而12英寸产线需要几十亿美元的投资，这意味着除了少数实力强大的IDM厂商外，其他企业根本无力扩张。
单一公司的资本支出或技术无法支撑IC产业进一步发展，行业内公司的经营模式变得多样化，新厂商的进入也导致整个行业发生结构性变化。
台积电的成立标志着半导体产业垂直分工模式的形成，其只做晶圆代工（Foundry），不做设计，这也使得台湾在代工与测封环节的产能占比最高。
而作为半导体的发源地，美国依然在IDM模式和IC设计（Fabless）占据较大优势。
Fabless与Foundry的快速发展，促成垂直分工模式的繁荣。
图图5：
半导体产业模式发展过程：
半导体产业模式发展过程图图6：
2016年产业链各环节产能占比年产业链各环节产能占比全球半导体市场已经进入成熟期。
全球半导体产业自诞生以来经历了20世纪60年代至90年代的迅猛增长，进入21世纪后市场日趋成熟，行业增速逐步放缓。
2015和2016年行业的销售额同比增速仅为-0.2%、1.1%，主要是由于需求疲软、美元走强以及市场趋势和周期性等因素的叠加。
分地区而言，亚太地区（除日本）已成为全球半导体市场增长最为迅猛的区域，2016年该地区半导体销售额达到2084亿美元，占全球市场的61.49%。
同时，行业去年资本支出同比增长5%，SEMI预计2017年-2020年间全球新投产晶圆厂约62座，迎来新一轮建设高峰。
图图7：
全球半导体产业销售额（百万美元）：
全球半导体产业销售额（百万美元）图图8：
2016各地区销售额占比各地区销售额占比图图9：
全球半导体资本支出（百万美元）：
全球半导体资本支出（百万美元）根据Gartner公布的数据，在企业并购潮的影响下，前二十五大半导体厂商总收入增加10.5%，表现远优于整体产业增长率，但前十强总收入出现5.85%的下滑，龙头企业之间的差距进一步缩小。
2016年半导体产业出现小幅回弹，虽然其年初因受到库存调整的影响而表现疲软，但下半年需求增强，汇率相对温和的变动及多项电子设备部门产量的增加使得NAND闪存售价上扬，定价环境得到改善，助力全球半导体收入改善。
表表1：
2016年全球前十大半导体厂商（百万美元）年全球前十大半导体厂商（百万美元）在行业整体容量增长缓慢的情况下，地区结构却在悄然发生变化，中国半导体产业持续扩大。
近十余年来，伴随着我国经济的高速发展，智能手机和平板电脑市场呈爆发式增长，对各类集成电路产品需求不断增长，2016年集成电路销售额4335亿元，同比增长20%，近14年年均复合增长率高达22%，已成为全球集成电路的主要消费市场。
在我国工业化和信息化融合持续深入、信息消费不断升温、智慧城市建设加速等多方因素的共同带动下，我们预计集成电路市场仍将保持稳定增长。
图图10：
中国半导体产业进出口情况（亿美元）：
中国半导体产业进出口情况（亿美元）图图11：
中国半导体产业销售额（亿元）：
中国半导体产业销售额（亿元）1.3山雨欲来，第三次产业转移，中国迅速崛起山雨欲来，第三次产业转移，中国迅速崛起半导体产业驱动力由存储器、PC向以智能手机为主导的消费类电子产品转移。
纵观半导体产业的发展史，随着科技及制造工艺的进步，下游需求逐步演化，推动产业发展的驱动力也在不断变化。
历史上行业经历了四个阶段：
1.由军工和原始计算机带动的初创发展期。
二战后，原始计算机的出现和军工的大量需求催生了最初的半导体产业，1958年德州仪器设计出基于锗的IC模块，集成电路由此诞生。
在此后的二十年中，基于硅的电路设计逐步发展起来，使得集成电路制造进入量产阶段。
2.基于存储器、主机的快速发展期。
70-80年代，存储器广泛应用，商业公司也开始配备大型主机以提高工作效率，工艺进步使得大规模集成电路出现，半导体进入商用阶段。
3.基于PC的民用发展期。
80年代末，IBM推出的PC业务迅速风靡全球，生产成本的降低使得半导体更加适用于PC，整个行业基本都在围绕PC发展，特别是半导体内存和微处理器，行业进入民用阶段。
4.基于消费电子的成熟期。
进入新世纪以来，互联网大范围推广。
同时，苹果推出智能手机、谷歌推出安卓系统，移动通讯进入爆发期，迅速取代PC成为新的驱动力，半导体也因此经历了21世纪初持续10年的增长，而近几年又归于平静。
总体而言，经过了半个世纪的发展，半导体行业销售额增速逐步放缓进入成熟期。
图图12：
推动半导体产业发展的驱动力：
推动半导体产业发展的驱动力历史上行业经历了两次产业转移，目前正借助消费电子时代向中国转移。
半导体属于高技术壁垒行业，这些行业往往具有“马太效应”。
积累资本的龙头公司能投入大量研发费用用于新技术研究与扩张，会进一步拉大与追赶者的差距，造成强者恒强的格局。
只有巨大机遇来临时，追赶者才有机会崛起。
第一次产业转移时美国向日本的转移，日本半导体业以存储器为切入口，主要是DRAM（DynamicRandomAccessMemory）。
80年代，受益于汽车产业和大型计算机市场的快速发展，DRAM需求剧增。
而当时日本在DRAM方面已经取得了技术领先，日本企业此时凭借其大规模生产技术，取得了成本和可靠性的优势，并通过低价促销的竞争战略，迅速在世界范围内成为DRAM主要供应国。
世界市场快速洗牌，根据日本电子产业的兴衰披露，到1989年日本芯片在全球的市场占有率达53%，美国仅37%，欧洲占12%。
该阶段，日本半导体产业的主要竞争力是产品的成本优势和可靠性。
第二次由日本向韩国、台湾转移。
不同于大型主机对DRAM质量和可靠性的高要求，PC对DRAM的主要诉求转变为低价。
DRAM的技术门槛不高，韩国通过技术引进掌握了核心技术，并通过劳动力成本优势于1988年取代日本，成为DRAM第一生产大国，全球产业中心从日本转移到韩国；而台湾则通过不断增加投资，建成了世界领先的晶圆代工公司台积电和联电，将产业模式由一体化IDM转向设计、制造、测封分离的模式，并在生产技术上达到世界顶尖水平。
图图13：
半导体两次产业转移：
半导体两次产业转移移动通讯等电子产品崛起，中国大陆正迎来半导体产业发展的新机遇。
目前，半导体产业的驱动力已经由PC进一步转化，下游电子产品的发展带来了新的市场机遇。
从周期的角度来说，半导体已经进入成熟期，以智能手机为主导的移动通讯将带来新的爆发点。
2016年全球智能手机制造前13强中有10家中国公司，市场份额接近40%，已经成为全球电子消费第一大国。
强劲的下游需求带动中国半导体销售额稳步提升，2017年二季度中国已占世界整体销售额的32%。
产业中心由韩国、台湾逐步向中国大陆转移，根据ICInsights的统计，中国晶圆产能占比11%，是全球增长最快的地区。
每一次新机遇的到来都有利于追赶者的崛起，新兴地区凭借技术引进、劳动力成本优势实现超越。
同时，随着半导体工艺制程接近物理极限，技术的发展速度势必会放缓，也有助于中国企业与世界领先者缩短差距。
图图14：
中国及全球半导体销售额（亿美元）：
中国及全球半导体销售额（亿美元）图图15：
2017第二季度全球半导体消费市场分布第二季度全球半导体消费市场分布图图16：
截止：
截止2016年底各国晶圆产能年底各国晶圆产能表表2：
2014-2016年主要智能手机生产厂商销量排名（百万部）年主要智能手机生产厂商销量排名（百万部）纵观历史，IC产业起源于美国，发展于日本，加速于韩国、台湾。
日、韩、台三地在经历了引入先进技术期后，发展了适合自身的产业发展模式，不论是日本的自主研发，韩国的市场把握，还是台湾的专注分工，都使其成为了全球IC产业的中坚力量。
21世纪以来，处于集成电路发展新周期的中国凭借着本次产业转移浪潮迅速崛起，成为半导体产业的新中心，给产业链内相关的中国公司带来了巨大的商机。
二、行业投资加速，半导体设备景气上行二、行业投资加速，半导体设备景气上行半导体产业与面板产业相似，都是重资产投入，设备投资占总投资规模的比例达到60%以上，其中一些关键的制程环节需要综合运用光学、物理、化学等科学技术，具有技术含量高、制造难度大、设备价值高等特点。
因此下游产业的发展衍生出了巨大的设备投资市场。
2.1产业三大生产工艺环节及对应设备产业三大生产工艺环节及对应设备IC产品生产附加值极高，工艺进步依托于设备提升。
目前的集成电路技术大多基于元素硅，并在晶片上构建各种复杂电路。
硅元素在地壳中的含量达到26.4%，是仅次于氧的第二大元素，而单晶硅则可通过富含二氧化硅的砂石经提炼获得。
由价格低廉的砂石到性能卓越的芯片，IC的生产过程就是硅元素附加值大量增长的过程。
从最初的设计，到最终的下线检测，生产过程需经过几十步甚至几百步的工艺，整个制造过程工艺复杂，其中任何一步的错误都可能是最后导致产品失效的原因，因此对设备可靠性的要求极高。
下游厂商也愿意为高可靠性、高精度设备支付技术溢价，这也是半导体投资中设备投资占比较高的原因之一。
从生产工艺来看，半导体制造过程可以分为IC设计（电路与逻辑设计）、制造（前道工序）和封装与测试环节（后道工序）。
设备主要针对制造及测封环节，设计部分的占比较少。
图图17：
集成电路生产流程：
集成电路生产流程1.IC设计：
是一个将系统、逻辑与性能的设计要求转化为具体的物理版图的过程，主要包含逻辑设计、电路设计和图形设计等。
将最终设计出的电路图制作成光罩，进入下一个制造环节。
由于设计环节主要通过计算机完成，所需的设备占比较少。
2.IC制造：
制造环节又分为晶圆制造和晶圆加工两部分。
前者是指运用二氧化硅原料逐步制得单晶硅晶圆的过程，主要包含硅的纯化-多晶硅制造-拉晶-切割、研磨等，对应的设备分别是熔炼炉、CVD设备、单晶炉和切片机等；晶圆加工则是指在制备晶圆材料上构建完整的集成电路芯片的过程，主要包含镀膜、光刻、刻蚀、离子注入等几大工艺。
i.镀膜工艺：
通过PECVD、LPCVD等设备，在晶圆表面增加一层二氧化硅构成绝缘层，使CPU不再漏电；ii.光刻工艺：
通过光刻机，对半导体晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术，加工的晶体管数量和密度都会随着制程工艺的升级而不断加强；iii.刻蚀工艺：
通过刻蚀机，对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离；iv.离子注入：
通过离子注入机或扩散炉为材料加入特殊元素，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。
3.IC测封：
封装是半导体设备制造过程中的最后一个环节，主要包含减薄/切割、贴装/互联、封装、测试等过程，分别对应切割减薄设备、引线机、键合机、分选测试机等。
将半导体材料模块集中于一个保护壳内，防止物理损坏或化学腐蚀，最后通过测试的产品将作为最终成品投入到下游的应用中去。
图图18：
集成电路核心工艺对应设备：
集成电路核心工艺对应设备2.2IC制造核心工艺：
光刻、刻蚀、成膜制造核心工艺：
光刻、刻蚀、成膜IC制造是将光罩上的电路图转移到晶圆上的过程，这段时期硅晶片附加值增长最快。
该环节的制造难度相较后端的封装测试要高很多，对于设备稳定性和精度的要求极高，该部分设备投资体量巨大，占整体设备投资的70%以上。
其核心工艺主要包含晶圆制造、镀膜、光刻、刻蚀、离子注入5大环节。
1.晶圆制造工艺及设备：
硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤：
硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。
首先硅提纯。
将原料放入熔炉中进行化学反应得到冶金级硅，然后通过蒸馏和化学还原工艺，得到了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.9999999%（7个9以上），成为电子级硅。
然后在单晶炉中使用提拉法得到单晶硅。
即先将多晶硅熔化，然后将籽晶浸入其中，并由拉制棒带着籽晶作反方向旋转，同时缓慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。
熔化的多晶硅会按籽晶晶格排列的方向不断地生长上去，形成单晶硅棒。
硅晶棒再经过切段、滚磨、切片、倒角、抛光、激光刻后，成为集成电路工厂的基本原料硅晶圆片。
图图19：
“提拉法提拉法”晶柱制造过程晶柱制造过程在泛半导体行业，国内厂商已接近国外先进水平。
半导体和光伏等行业均以硅晶圆作为加工原料，只是前者对晶圆纯度要求更高，运用于泛半导体产业的晶圆生长设备适当提高精度即可实现一定程度上的互相替代。
在泛半导体行业，单晶硅生长炉技术水平的指标有晶棒尺寸、投料量、自动化程度和单晶硅棒成品品质等，其中投料量和尺寸是主要的衡量标准。
一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，单位生产成本越低，技术难度也越大。
目前国内市场单晶硅生长炉的投料量一般在60150kg，尺寸一般在68英寸。
当前只有少量几家公司能够生产150kg和8英寸以上的单晶硅生长炉，如德国的PVATePlaAG公司，美国的Kayex公司等。
目前，以晶盛机电为代表的国内厂商，其设备技术水平已经接近甚至赶超了国外厂商水平，并且拥有明显的成本优势，占据了国内光伏市场的绝大部分份额。
未来，国产晶圆生长设备有望提高在半导体行业的渗透率。
表表3：
泛半导体行业单晶硅生长炉主要厂商：
泛半导体行业单晶硅生长炉主要厂商2.光刻工艺及设备：
光刻是在一片平整的硅片上构建半导体MOS管和电路的基础，利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的精密微细加工技术。
由于晶圆表面上的电路设计图案直接由光刻技术决定，因此光刻也是IC制造最核心的环节。
光刻主要步骤是先在硅片上涂上一层耐腐蚀的光刻胶，让强光通过一块刻有电路图案的镂空掩模板照射在硅片上，使被照射到的部分（如源区和漏区）光刻胶发生变质，然后用腐蚀性液体清洗硅片，除去变质的光刻胶；而被光刻胶覆盖住的部分则不会被刻蚀液影响。
图图20：
光刻工艺过程示意图：
光刻工艺过程示意图光刻工艺价值巨大，ASML独领风骚。
即使是微米级的光刻工艺，也需要重复循环5次以上，而目前的28nm工艺则需要20道以上的光刻步骤，整个光刻成本约为硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占40%-60%。
而光刻机则是IC制造中最核心的设备，价值量占到设备总投资的比例约为20%。
全球半导体设备龙头ASML在光刻机领域优势巨大，其EUV光刻机工艺水平已经达到10nm的级别，单台设备售价超过1亿美元。
公司的市场份额超过60%，甩开了两个老对手Nikon和Canon。
极紫外光刻EUV是实现10nm以下工艺制程的最经济手段，并且只有ASML一家供应商具备开发EUV光刻机的能力。
因此半导体三巨头英特尔、台积电、三星均争相投资ASML开发EUV技术，助其快速实现量产，以及获得EUV设备的优先购买权。
虽然我国上海微电子也研发出光刻机，但由于中国半导体起步较晚，技术上与外资品牌差距巨大。
图图21：
光刻机各龙头企业市场份额：
光刻机各龙头企业市场份额图图22：
ASML光刻机设备光刻机设备3.刻蚀工艺：
按照掩模图形对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术工艺，是与光刻相联系的图形化处理的主要工艺，通常分为干法刻蚀和湿法刻蚀。
湿法刻蚀主要是在较为平整的膜面上用稀释的化学品等刻出绒面，从而增加光程，减少光的反射。
干法刻蚀是用等离子体（气体）进行薄膜刻蚀的技术工艺，通过电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，更快地与材料进行反应，从而利用物理上的能量转移实现刻蚀目的。
中微半导体崛起，泛林雄踞榜首。
在刻蚀设备领域，美国的泛林半导体凭借着先发优势和大量研发投入保持行业龙头地位，但中国厂商中微半导体在近十年迅速崛起，并开始打入国际市场。
中微半导体的16nm刻蚀机实现商业化量产，目前已经进入台积电的5个半导体生产线，7-10nm刻蚀机设备可以与世界最前沿技术比肩。
随着中微的崛起，2015年美国商业部的工业安全局特别发布公告，承认中国已经拥有制造具备国际竞争力刻蚀机的能力，且等离子刻蚀机已经进入量产阶段，因而决定将等离子刻蚀机从美国对中国控制出口名录中去除。
表表4：
刻蚀设备主要生产厂商：
刻蚀设备主要生产厂商4.离子注入工艺及设备：
是人为地将所需杂质以一定方式掺入到硅片表面薄层，并使其达到规定的数量和符合要求的分布形式，主要包括两种方法。
高温热扩散法是将掺杂气体导入放有硅片的高温炉，将杂质扩散到硅片内一种方法；离子注入法是通过注入机的加速和引导，将能量为100keV量级的离子束入射到材料中去，与材料中的原子或分子发生一系列理化反应，入射离子逐渐损失能量，并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，最后停留在材料中，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。
在离子注入机领域，美国应用材料占据了70%以上的市场份额。
图图23：
离子注入机工作示意：
离子注入机工作示意5.成膜工艺及设备：
主要运用CVD技术（ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积），是把含有构成薄膜元素的反应剂蒸气引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。
CVD技术具有淀积温度低、薄膜成份易控的特点，膜厚与淀积时间成正比，均匀性和重复性好，其中应用最广的是PECVD和MOCVD。
PECVD（等离子体增强化学气相沉积），是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，利用等离子很强的化学活性，在基片上沉积出所期望的薄膜；MOCVD（金属有机化合物化学气相沉积），是以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种-V族、-族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。
通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压下通氢气的冷壁不锈钢反应室中进行，衬底温度为500-1200，用射频感应加热石墨基座，氢气通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。
薄膜工艺也是IC制造的一个基础工艺，加工难度较高。
根据SEMI的统计，该环节设备投资占整体设备的14%-15%。
在CVD设备领域，中国与世界先进水平差距较大。
美国应用材料几乎涵盖了除光刻机以外的前制程设备，并在CVD及PVD设备领域位居全球市占率第一，而中国企业近年来在“02”专项的支持下也实现了技术突破，其中北方华创的CVD设备已经进入中芯国际28nm生产线，14nm设备正处于验证阶段。
图图24：
PECVD工作原理工作原理总结：
半导体设备按生产工艺流程可分为前端设备（晶圆加工设备、晶圆制造设备）和后道设备（封装及测试设备），占总体设备投资的比例分别为70%和30%。
我们进一步梳理了各环节主要设备的龙头企业，其中应用材料作为全球最大的半导体设备供应商，在晶圆制造设备的几个核心环节热处理、镀膜设备、离子注入设备等领先全球。
日本公司更擅长制造刻蚀设备、涂胶机、显影机、测试设备等产品，而以ASML为首的荷兰公司则在高端光刻机领域处于领先地位。
表表5：
工艺主要设备对应龙头厂商总结：
工艺主要设备对应龙头厂商总结2.3全球半导体设备，回暖趋势明显全球半导体设备，回暖趋势明显半导体设备的上游为电子元器件和机械加工行业，原材料包括机械零件、视觉系统、继电器、传感器、计算机和PCB板等，优质的上游产品或服务有助于设备产品的可靠性和稳定性。
行业的下游主要为封装测试、晶圆制造、芯片设计。
集成电路产品技术含量高、工艺复杂，技术更新和工艺升级依托于装备的发展；反之，下游信息产业不断开发的新产品和新工艺，为设备行业提供了新需求和市场空间。
以晶圆加工为例，8英寸的晶圆制造设备无法运用于其他尺寸的加工，因此当半导体行业进入12英寸时代后，8英寸产品需要全部更新换代，由此也带来了设备行业的增量空间，促进了其持续发展。
图图25：
半导体设备上下游：
半导体设备上下游总体设备市场恢复性增长，接近历史最高水平。
设备行业与半导体行业整体景气程度密切相关，且波动较大。
2008、2009年受到金融危机的影响，同比分别下降31%和46%，2010年强势回升，并于次年达到历史最高点435亿美元，随后受到周期性影响设备支出有所下降。
而2016年全球集成电路设备市场规模为412亿美元，同比增长13%。
由于随后几年全球各大厂商加速12英寸晶圆厂建设，将带动上游设备销售，根据SEMI最新的年中预测，2017年全球半导体新设备销售额将达494亿美元，同比增长19.8%，突破历史最高水平。
分产品来看，SEMI预计2017年
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