微电子封装技术课后习题答案.docx

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微电子封装技术课后习题答案

第1章习题

1.1简述微电子封装技术的主要特点。

答：

①微电子封装向高密度和高I/O引脚数发展，引脚由四边引出向面阵排列发展。

②微电子封装向表面安装式封装（SMP）发展，以适合表面安装技术（SMT）。

③从陶瓷封装向塑料封装发展。

④从注重发展IC芯片向先发展后道封装再发展芯片转移。

1.2简述微电子封装的四个技术层次。

答：

从由硅圆片制作出各类芯片开始，微电子封装可以分为四个层次：

①第一层次，又称为芯片层次的封装，即用封装外壳将芯片封装成单芯片组件（SingleChipModule，SCM）和多芯片组件的一级封装，是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定、电路连线与封装保护的工艺，使之成为易于取放输送，并可与下一层次组装进行连接的模块元器件；②第二层次，将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组合成一个电路卡的工艺；③第三层次，将数个第二层次完成的封装组装成的电路卡组装在一个主电路板上，使之成为一个部件或子系统的工艺；④第四层次，将数个第三层次组装好的子系统再组装成一个完整电子产品的工艺过程。

1.3简述微电子封装的主要功能。

答：

微电子封装通常有四种功能：

传递电能、信号传输、散热通道、机械支撑。

1.传递电能，主要是指电源电压的分配和导通。

2.信号传输，主要是将电信号的延迟尽可能地减小，在布线时应尽可能使信号线与芯片的互连路径及通过封装I/O引出的路径达到最短。

3.散热通道，主要是指各种微电子封装都要考虑器件、部件长期工作时如何将聚集的热量散出的问题。

4.机械支撑，主要是指微电子封装可以为芯片和其他部件提供牢固可靠的机械支撑，并能适应各种工作环境和条件的变化。

1.4简述微电子封装技术的主要类型。

答：

按照封装中所组合的集成电路芯片的数目区分，芯片封装可分为单芯片封装（SingleChipPackages，SCP）和多芯片封装（MultichipPackages，MCP）两大类，多芯片封装也包括多芯片组件（模块）封装（MultichipModule，MCM）。

通常MCP指层次较低的多芯片封装，而MCM指层次较高的多芯片封装。

按照密封所用的材料区分，封装可以分为高分子材料（塑料）和陶瓷两大类。

陶瓷封装的热性质稳定，热传导性能优良，对水分子渗透有良好的阻隔能力，因此是主要的高可靠性封装方法；塑料封装的热性质与可靠性虽然低于陶瓷封装，但它具有工艺自动化、低成本、薄型化封装等优点，而且随着工艺技术与材料技术的进步，其可靠性已有相当大的改善，塑料封装也是目前市场最常用的技术。

按照引脚分布形态区分，封装可以分为单边引脚、双边引脚、四边引脚和底部引脚等4种。

常见的单边引脚有单列式封装（SingleInlinePackages，SIP）与交叉引脚式封装（ZigZagInlinePackages，ZIP）；双边引脚有双列式封装（DualInlinePackages，DIP）、小型化封装（SmallOutlinePackages，SOP）等；四边引脚有四边扁平封装（QuadInlinePackages，QIP）；底部引脚有金属罐式（MetalCanPackages，MCP）和点阵列式封装（PinGridArray，PGA）。

按照器件与电路板互连方式区分，封装可以分为引脚插入型（Pin-Through-Hole，PTH）和表面贴装型（SurfaceMountTechnology，SMT）两大类。

PTH器件的引脚为细针状或薄板状金属，以供插入底座或电路板的导孔中进行焊接固定。

SMT器件则先粘贴于电路板上再进行焊接，它具有海鸥翅型、钩型、直柄型的金属引脚或电极凸块引脚。

按照基板类型区分，可以分为有机基板和无机基板，从基板结构上分，可以分为单层基板、双层基板、多层基板和复合基板等。

第2章习题

2.1简述微电子封装技术的基本工艺流程。

答：

基本工艺流程为：

硅片减薄→硅片切割→芯片贴装→芯片互连→成形技术→去飞边毛刺→切筋成形→上焊锡→打码等。

2.2简述芯片减薄的常用工艺技术。

答：

硅片的背面减薄技术主要有磨削、研磨、干式抛光（DryPolishing）、化学机械平坦工艺（CMP）、电化学腐蚀（ElectrochemicalEtching）、湿法腐蚀（WetEtching）、等离子增强化学腐蚀PlasmaEnhancedChemicalEtching，PECE）、常压等离子腐蚀（AtmosphereDownstreamPlasmaEtching，ADPE）等。

2.3简述芯片切割的常用工艺技术。

答：

切割的方式可以分为刀片切割和激光切割两个大类。

刀片切割是较为传统的切割方式，通过采用金刚石磨轮刀片高速转动来实现切割。

激光切割工艺就是利用激光聚焦产生的能量来完成切割，可以分为激光半切割方式和激光全切割方式。

激光半切割方式既需要进行激光切割又需要进行刀片切割，而激光全切割方式则完全用激光来进行切割。

2.4简述芯片贴装的常用工艺技术。

答：

贴装的方式主要共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴法和玻璃胶粘贴法。

共晶粘贴法是利用金-硅合金（一般是69%的金和31%的Si），在363℃时的共晶熔合反应使IC芯片粘贴固定。

焊接粘贴法是将芯片背面淀积一定厚度的Au或Ni，同时在焊盘上淀积Au-Pd-Ag和Cu的金属层。

这样就可以使用Pb-Sn合金制作的合金焊料将芯片焊接在焊盘上。

导电胶进行芯片贴装的工艺用针筒或注射器将黏着剂涂布在芯片焊盘上，然后将芯片精确地放置到焊盘的黏着剂上面。

玻璃胶粘贴芯片先以盖印、网印、点胶等技术将玻璃胶原料涂布在基板的芯片座上，将IC芯片放置在玻璃胶上后，再将封装基板加热至玻璃熔融温度以上即可完成粘贴。

2.5简述打线键合的常用工艺技术。

答：

主要的打线键合方式有热压键合（ThermocompressionBonding，也称为T/CBonding）、超声波键合（UltrasonicBonding，也称为U/SBonding）和热超声波键合（ThermosonicBonding，也称为T/SBonding）三种。

热压键合技术是利用加热和加压力，使金属丝与Al或Au的金属焊区压焊在一起。

超声波键合又称超声焊，它是利用超声波发生器产生的能量，通过磁致伸缩换能器，在超高频磁场感应下，迅速伸缩而产生弹性振动，经变幅杆传给劈刀，使劈刀相应振动；同时，在劈刀上施加一定压力。

于是，劈刀就在这两种力的共同作用下，带动金属丝在被焊区的金属化层表面迅速摩擦，使金属丝和金属表面产生塑性形变。

热超声波键合技术为热压键合技术与超声波键合技术的混合技术。

热超声波键合必须首先在金属线末端成球，再使用超声波脉冲进行金属线与金属焊区的键合。

2.6简述载带自动焊技术的优点。

答：

1）TAB结构轻、薄、短、小，封装高度不足1mm；

2）TAB的电极尺寸、电极与焊区节距均比WB大为减小。

TAB的电极宽度通常为50μm，可以做到20~30μm，电极节距通常为80μm，根据需要还可以做的更小；

3）相应可容纳更高的I/O引脚数，如10mm见方的芯片，WB最多可容纳300个I/O引脚，而TAB可达500个引脚以上，这就提高了TAB的安装密度；

4）TAB的引线电阻、电容和电感均比WB小得多，WB分别为100mΩ、25pF和3nH，而TAB的则分别为20mΩ、10pF和2nH，这使TAB互连的LSI、VLSI能够具有更优良的高速、高频性能；

5）采用TAB互连，可以对各类IC芯片进行筛选和测试，确保器件是优质器件，无疑可大大提高电子组装的成品率，从而降低电子产品的成本；

6）TAB采用Cu箔引线，导热和导电性能好，机械强度高；

7）一般的WB键合拉力为0.05~0.1N/点，而TAB比WB可高3~10倍，达到0.3~0.5N/点，从而可提高芯片互连的可靠性；

8）TAB使用标准化的卷轴长带（长100m），对芯片实行自动化多点一次焊接；同时，安装及外引线焊接可以实现自动化，可进行工业化规模生产，从而提高电子产品的生产效率，降低产品成本。

2.7简述载带自动焊技术的类别。

答：

TAB按其结构和形状可以分为Cu箔单层带、PI双层带、Cu-粘接剂-PI三层带和Cu-PI-Cu双金属带四种，以三层带和双层带使用居多。

TAB单层带成本低，制作工艺简单，耐热性能好，但是不可以进行老化筛选和测试芯片。

TAB双层带可弯曲，成本较低，设计自由灵活，可制作高精度图形，能筛选和测试芯片，带宽为35mm时尺寸稳定性差。

TAB三层带的Cu箔与PI粘结性好，可制作高精度图形，可卷绕，适于批量生产，能筛选和测试芯片，制作工艺较复杂，成本较高。

2.8简述倒装焊技术中的凸点的制作技术。

答：

制作凸点的工艺技术多种多样，归结起来，主要有蒸发/溅射法、电镀法、化学镀法、机械打球法、激光法、置球和模板印刷法、移植法、叠层制作法和柔性凸点制作法等。

2.9简述微电子封装中常用的成形技术。

答：

常见的成形技术主要有金属封装、塑料封装、陶瓷封装等。

塑料封装是最常用的封装方式，塑料封装的成形技术有多种，主要包括转移成形技术（TransferMolding）、喷射成形技术（InjectMolding）和预成形技术（Premolding）等。

2.10简述常用的去飞边毛刺技术及其主要特点。

答：

去除飞边毛刺的工艺主要有：

介质去飞边毛刺、溶剂去飞边毛刺和水去飞边毛刺等。

另外，当溢出塑封料发生在引线架堤坝背后时，可用所谓的切除工艺。

用介质去飞边毛刺时，是将研磨料如粒状塑料球和高压空气一起冲洗模块。

在去飞边毛刺的过程中，介质会将引线架引脚的表面轻微擦磨，这将有助于焊料和金属引线架的连接。

用水去飞边毛刺工艺是利用高压的水流来冲击模块，有时也会将研磨料和高压水流一起使用。

用溶剂去飞边毛刺通常只适用于很薄的毛刺。

溶剂包括N-甲基吡咯烷酮（NMP）或双甲基呋喃（DMF）。

第3章习题

3.1简述包封技术的特点。

答：

包封通过将有源器件和环境隔离来实现保护元器件的功能，同时芯片和封装材料形成一体，以达到机械保护的目的。

包封一般采用有机材料，成本相对较低，在民用集成电路封装中占主导地位。

但其耐湿性不佳，影响了产品可靠性。

3.2简述包封技术常用的材料。

答：

从基质材料的综合特性来看，最常用的包封材料分为四种类型：

环氧类、氰酸酯类、聚硅酮类和氨基甲酸乙酯类，目前IC封装使用邻甲酚甲醛型环氧树脂体系的较多。

具有耐湿、耐燃、易保存、流动充填性好、电绝缘性高、应力低、强度大和可靠性好等特点。

3.3简述包封技术的工艺过程。

答：

常用的包封封装法，一般是将树脂覆盖在半导体芯片上，使其与外界环境隔绝。

覆盖树脂的方法有以下五种。

1.涂布法，用笔或毛刷等蘸取树脂，在半导体芯片上涂布，然后加热固化完成封装。

涂布法要求树脂黏度适中略低。

2.浸渍法，将芯片浸入装满环氧树脂或酚树脂液体的浴槽中，浸渍一定时间后向上提拉，然后加热固化完成封装。

3.滴灌法，又叫滴下法，用注射器及布液器将液态树脂滴灌在半导体芯片上，然后加热固化完成封装。

4.流动浸渍法，又叫粉体涂装法。

将芯片置于预加热的状态，浸入装满环氧树脂与氧化硅粉末的混合粉体，并置于流动状态的流动浴槽中，浸渍一定时间，待粉体附着达到一定厚度后，经加热固化完成封装。

5.模注法，将芯片放入比其尺寸略大的模具或树脂盒中，构成模块，向模块间隙中注入液体树脂，然后加热固化完成封装，这是最常见的一种包封形式。

3.4简述传递模注封装技术的优点和缺点。

答：

传递模注具有以下优点：

①制品废边少，可减少后加工量；②能加工带有精细或易碎嵌件和穿孔的制品，并能保持嵌件和孔眼位置的正确；③制品性能均匀，尺寸准确，质量高；④模具的磨损较小。

传递模注具有以下缺点：

①模具的制造成本较高；②塑料损耗大；③纤维增强塑料因纤维定向而产生各向异性；④围绕在嵌件四周的塑料，有时会因熔按不牢而使制品的强度降低。

3.5简述模注成形技术的常见问题。

答：

有塑封产品无论是采用先进的传递模注封装还是采用传统的单注塑模封装，塑封成形缺陷总是普遍存在的，而且无法完全消除。

1.未填充；2.冲丝；3.气泡或气孔；4.麻点；5.开裂；6.溢料；7.其他缺陷，在塑封中还有粘污、偏芯等缺陷。

3.6简述模注成形技术常见问题的解决对策。

答：

1.未填充；由于模具温度过高引起的有趋向性的未填充可以采用提高树脂的预热温度，使其均匀受热；增加注塑压力和速度，使树脂的流速加快；降低模具温度，以减缓反应速度，延长树脂流动时间，从而达到从发充填的效果。

模具浇口堵塞引起的未填充可以用工具清除堵塞物，并涂上少量的脱模剂，并且在每模封装后，都用气枪和刷子将料筒和模具上的树脂固化料清除干净。

2.冲丝；选择合理的注塑时间，使模腔中的树脂在低黏度期内流动，以减少冲力。

减小冲力还要选择合适的流动速度。

影响流动速度的因素很多，可以从注塑速度、模具温度、模具流道、浇口等因素来考虑。

3.气泡或气孔；顶端气孔就是增加注塑速度，适当调整预热温度。

浇口气孔就是减慢注塑速度，适当降低预热温度，以使树脂在模具中的流动速度减缓；为了促进挥发性物质的逸出，可以适当提高模具温度。

内部气孔要适当降低模具温度，其次可以考虑适当提高注塑压力。

4.麻点；将破损的料饼夹在中间，在投入料筒时，最好将破损的料饼置于底部或顶部。

在预热时将各料饼之间留有一定的空隙来放置，使各料饼都能充分均匀受热。

注意调整加热板的高度，避免加热板与料饼距离忽远忽近导致料饼受热不均。

5.开裂；可以适当延长固化时间，使之充分固化；在操作上，可在用模前将模具表面清除干净，也可以将模具表面涂上适量的脱模剂。

选择与芯片、框架等材料膨胀系数相匹配的树脂。

6.溢料；在黏度的允许范围内，选择黏度较大的树脂，并调整填料的粒度分布，提高填充量，这样就从选择合适材料方面来减少溢料的发生。

适当降低注塑压力或提高合模压力，尽量减少磨损，调整基座的平整度。

7.其他缺陷，在塑封中还有粘污、偏芯等缺陷。

主要采用清模、纠正操作姿势等方法解决。

3.7简述常见的密封技术。

答：

所谓密封是指将芯片置于密闭环境下，相关的制作技术称为气密封装技术。

主要有熔融金属封装、焊料焊、钎焊、熔焊、玻璃封装等封装类型。

第4章习题

4.1简述厚膜技术的工艺流程。

答：

生产厚膜电路的基本工艺流程是丝网印刷、厚膜材料的干燥和烧结。

丝网印刷工艺是将浆料涂布在基板上，干燥工艺的作用是在烧结前从浆料中去除挥发性的溶剂，烧结工艺是使粘贴剂发挥作用将印刷图形粘贴在基板上。

4.2简述厚膜浆料的基本组成。

答：

厚膜浆料由有效物质、粘贴成分、有机黏着剂、溶剂和稀释剂组成。

有效物质直接决定了厚膜的作用与功能，粘贴成分与有机黏着剂用于改变厚膜浆料的流体特性，溶剂为有效物质的载体。

4.3简述常用的厚膜材料。

答：

厚膜材料主要包括：

厚膜导体材料、厚膜电阻材料、厚膜介质材料、厚膜功能材料和厚膜基板等。

厚膜导体在混合电路中必须实现以下各种功能：

①在电路节点之间提供导电布线；②提供元器件与膜布线及与更高一级组装的互连；③必须提供连接区域以连接厚膜电阻；④必须提供多层电路导体层之间的连接。

厚膜介质材料主要是以简单的交叠结构或复杂的多层结构用作导体间的绝缘体。

4.4简述薄膜技术的常用制备工艺技术。

答：

薄膜可以通过真空淀积技术或通过电镀淀积技术制成。

溅射是薄膜淀积到基板上的主要方法。

溅射是利用带有电荷的离子在电场中加速后具有一定动能的特点，将离子引向欲被溅射的靶电极。

在离子能量合适的情况下，入射的离子将在与靶表面的原子的碰撞过程中使后者溅射出来。

这些被溅射出来的原子将带有一定的动能，并且会沿着一定的方向射向衬底，从而实现在衬底上薄膜的沉积。

通过电阻加热的方法进行蒸发，通常是在难熔金属制成的舟或用电阻丝缠绕的陶瓷坩埚中进行的，或把蒸发材料涂覆在电热丝上进行。

电镀是把基板和阳极悬挂在含有待镀物质的导电溶液里，在两者之间施加电位实现的。

电镀的速率是电位和溶液浓度的函数，用这种方法可以把大多数金属镀在导电体的表面。

4.5简述常用的薄膜材料。

答：

薄膜材料主要有薄膜电阻、导体材料、介质材料和薄膜基板等。

导体材料主要是用于形成电路图形，为电阻、电容、半导体元件、半导体芯片等电路搭载部件提供电极以及电学连接。

薄膜电阻主要用于形成电路中的各种电阻或电阻网路。

介质材料主要用于形成电容器膜和实现绝缘与表面钝化。

4.6简述厚膜技术和薄膜技术的优缺点。

答：

尽管与厚膜相比，薄膜工艺提供了更好的线条清晰度、更细的线宽和更好的电阻性能，但薄膜技术仍然存在很所的制约因素：

①薄膜工艺的成本要高，因为增加了相关的工艺步骤，只有在单块基板上制造大量的薄膜电路时价格才有竞争力；②多层结构的制造极为困难，尽管可以使用多次的淀积和刻蚀工艺，但这是一种成本很高、劳动密集的工艺，因而只能在有限的范围内使用；③在大多数情况下，设计者受限于单一的方块电阻率，这需要较大的面积去制造高阻值和低阻值的两种电阻。

第5章习题

5.1简述器件级封装的基本工艺流程。

答：

常见的器件级封装工艺的制作流程包括切片、贴片、键合、包覆、打标、引线处理或焊球制作、成品切割等。

5.2简述金属封装的主要特点。

答：

金属封装精度高，尺寸严格；适合批量生产，相对价格低；性能优良，应用面广；可靠性高，可以得到大体积的空腔。

金属封装形式多样、加工灵活，可以和某些部件（如混合集成的A-D或D-A转换器）融为一体，既适合于低I/O数的单芯片和多芯片的封装，也适合于MEMS、射频、微波、光电、声表面波和大功率器件，可以满足小批量、高可靠性的要求。

5.3简述塑料封装的主要特点。

答：

塑料封装的主要特点是工艺简单、成本低廉、薄型化和便于自动化大批量生产等。

5.4简述塑料封装的工艺流程。

答：

基本工艺过程如下所述：

将已经完成芯片粘贴与打线键合的IC芯片与框架放置于可加热的铸孔中，利用铸膜机的挤制杆将预热软化的铸膜材料经闸口与流道压入模具腔体的铸孔中，经温度约175℃、1～3min的热处理使铸膜材料产生硬化成形反应。

封装好的元器件自铸膜机中推出后，通常需要再施与4～6h、175℃的热处理以使铸膜材料完全硬化。

5.5简述塑料封装的常见类型。

答：

从工程应用的角度，可以将塑料封装分为引脚插入型、表面贴装型和TAB型等几类。

PDIP：

塑料双列直插封装（PlasticDoubleIn-linePackage）；PLCC：

塑料无引线芯片载体（PlasticLeadlessChipCarrier）；PSOP：

塑料小尺寸封装（PlasticSmall-outlinedPackage）；PQFP：

四边引脚扁平塑料封装（PlasticQuadFlatPackaging）；PPGA：

塑料针栅阵列（PlasticPinGridArray）；PBGA：

塑料球栅阵列（PlasticBallGridArray）；TBGA：

载带球栅阵列（TapeBallGridArray）。

5.6简述塑料封装的主要可靠性试验。

答：

目前常用来验证塑料封装可靠性的方法主要有以下三种。

1）高温偏压试验（HighTemperature/VoltageBiasTest）。

试验的方法是将封装元器件放置于125~150℃的测试腔体中，并使其在最高的电压和电流负荷下操作，其目的是试验元器件与材料相互作用所引致的破坏。

2）温度循环试验（TemperatureCycleTest）。

采用的试验条件有：

①65~150℃循环变化，在最高与最低温各停留1h；②55~200℃循环变化，在最高与最低温各停留10min；③0~125℃，每小时三个循环变化。

3）温度/湿度/偏压试验（Temperature/Humidity/VoltageBiasTest）。

这种试验方法也称为THB试验，将IC芯片放置于85℃/85%相对湿度的测试腔体中，并在元器件上通入交流信号。

5.7简述陶瓷封装的基本工艺流程。

答：

主要的工艺步骤包括生胚片的制作、冲片、导孔成形、厚膜导线成形、叠压、烧结、表层电镀、引脚结合与测试等。

5.8简述球栅阵列封装的特点。

答：

主要特点包括以下几点：

①提高成品率。

I/O引脚数虽然增多，但引脚间距远大于QFP，从而提高了组装成品率；②改进了器件引出端数和本体尺寸的比例，例如边长为31mm的BGA，当间距为1.5mm时有400个引脚，而当间距为1mm时有900个引脚，相比之下，边长为32mm而引脚间距为0.5mm的QFP只有208个引脚；③虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，C4焊接，从而可以改善它的电热性能；④明显改善共面问题，极大地减少了共面损坏，组装可用共面焊接，可靠性高；④厚度比QFP减少1/2以上，重量减轻3/4以上；⑤BGA引脚变短，信号传输路径变短，寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；⑥BGA引脚牢固，不像QFP那样存在引脚变形问题；⑦球形触点有利于散热；

5.9简述BGA的主要类别。

答：

BGA的四种主要形式为：

塑料球栅阵列（PlasticBallGridArray，PBGA）、陶瓷球栅阵列（CeramicBallGridArray，CBGA）、陶瓷圆柱栅格阵列（CeramicColumnGridArray，CCGA）和载带球栅阵列（TapeBallGridArray，TBGA）。

5.10简述BGA技术的主要优点和缺点。

答：

主要优点包括以下几点：

①成品率高；②改进了器件引出端数和本体尺寸的比例；③BGA能用可控塌陷芯片法焊接，C4焊接，从而可以改善它的电热性能；④明显改善共面问题，极大地减少了共面损坏，组装可用共面焊接，可靠性高；④厚度比QFP减少1/2以上，重量减轻3/4以上；⑤BGA引脚变短，信号传输路径变短，寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；⑥BGA引脚牢固，不像QFP那样存在引脚变形问题；⑦球形触点有利于散热；

主要缺点包括以下几点：

功耗增加；焊球端子的高度偏差，由于现在塑封的基板产生翘曲，微球端子的高度会出现偏差；对湿气敏感，不适用于有气密性要求和可靠性要求高的器件的封装；热匹配性差，焊点疲劳是其主要的失效形式；封装体边缘的焊球对准难度增加。

5.11简述CSP技术的主要特点。

答：

1）封装体积小。

2）输入/输出端数可以很多。

3）电学性能优良。

4）散热性能好。

5）CSP不仅体积小，而且重量轻。

6）测试、筛选、老化容易。

7）无需填充料。

5.12简述CSP技术的主要类别。

答：

CSP主要分为5种类型：

柔性基板封装（FlexCircuitInterposter）、刚性基板封装（RigidSubstrateInterposer）、引线框架式CSP封装（CustomLeadFrame）、晶圆级CSP封装（WaferLevelPackage）和薄膜型CSP。

5.13简述倒装芯片技术的主要特点。

答：

FC由于采用了凸点结构，互连长度更短，互连线电阻、电感值更小，封装的电性能改善明显。

此外，芯片中产生的热量还可以通过焊料凸点直接传输至封装衬底。

拥有高密度的I/O数

5.14简述WLP技术的主要特点。

答：

具有以下特点：

①封装效率高；②短、小、轻、薄；③引线电阻、电感和电容等小；④工艺设备兼容；⑤WLP符合目前SMT的潮流，可使用标准的SMT进行下一级的封装。

④封装引出端不能太多；⑥标准化比较差，具体的结构形式、封装工艺、制成设备等都有待优化，所以标准化不统一，影响其更快地推广；⑦可靠性数据的积累尚有限，影响使用扩大；⑧成本高，如何进一步