小型化天线与分集天线设计与分析概要.docx
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小型化天线与分集天线设计与分析概要
小型化天线与分集天线设计与分析
小型化天线与分集天线设计与分析1
55
小型化天线与分集天线设计与分析
DesignandAnalysisofCompactAntennaand
DiversityAntennaforWireless
Communication
林丁丙*林建宏卢子豪
Ding-BingLin*Jian-HungLinZih-HaoLu
国立台北科技大学电脑
本篇论文,将探讨两个天线主题,首先探讨利用慢波效果设计小型化天线,在天
线的两端其中一端馈入,另一端短路,并且天线中央为开路耦合结构使得於共振频率
电流同相,经由蚀刻适当几何结构於天线结构体会引进慢波效果,再调整蚀刻位置会
改变慢波效果,量测结果发现在天线结构上电流分布越大的地方能够得到较明显的慢
波效果.较明显的慢波效果就越能得到较低的共振频率,因此经由慢波效应的慢波特
性就能缩小天线的长度,改变天线的宽和高也能降低天线长度.
本论文另提出适用於
由於目前消费性
贰,天线结构及理论
一,小型化天线
(一)天线架构
此天线结构如图一,它主要分成两个部
分,一为上面的辐射体,主要是由两个长
度同为λ/8之导体所组成,下面是地长度
为λ/4,馈入型式为同轴线馈入,馈入的
位置可以在天线的两端,一边如果是馈入
端另一边就是接地短路端,如图一右边是
馈入,左边是接地短路.图二是图一的等
效传输线模组,在上面金属导体的槽孔等
效电容为C1,上面两片金属导体与地之间
的等效电容分别为C2,C3.接地短路端有
上面金属导体产生之辐射
二,分集天线
(一)阵列因子
如图五所示,将n+1个相同构造的天
线排成一直线,而每一单元天线加装相移
器及衰减器,使得改变天线辐射场型或辐
射方向.每一单元天线应具备固定辐射场
型,但为简化起见使用等方向性(Isotropic)
暂代之.如此排列天线称为线性阵列天
yP⒁PyQ⒁QbP
bRbQ
q〕NQ
q〕NQkQ
kP
y—'
小型化天线与分集天线设计与分析5
59
线,而可以导出阵列因子(ArrayFactor).
因为置於极座标原点的点源天线之辐射场
为
r
e
I
rj
π
β
40(0I为电流,r为离点源距离)故一
等方向性天线之阵列因子(ArrayFactor)是
AF=1,面对直角座标上排列的线性阵列天
线时,应考虑每单元天线之电流
nIII10,.另对移相项njjjeeeεεε10,,
亦应考虑.得阵列因子
nj
n
jjeIeIeIAFεεε+++=1
1
0
0(3)
上式,,,210εεε表示各单元天线2,1,0
上之相位.图六表示二座单元天线之阵列
排置.天线0及天线1各为无指向性的等
方向天线.现在设两天线间隔距离为d,p
为远处接收端.设天线1电流1I比天线0
电流0I超前相位α度,则得
α∠=01KII,()01/IIK=(4)
由图六得φcos01drI=(5)
如果针对电场强度而言,得
01
11
rr
=(6)
图六得知由於两单元天线辐射而在p点产
生相位差等於
αφβψ+=cosd(7)
上式()ddλπβ/2=是两电波路径差且角度
α是1I电流比0I电流超前角度,故p点的
总电场等於
()()
()ψψ
ψψψ
222
0
00
sincos1
sincos11
KKE
jkkEKeEEj
T
++=
++=+=
(8)
上式0E由天线0产生电场,而01/IIK=
假使两天线激励电流相同者(01II=)
()
2
cos2cos22
sincos1
00
22
0
ψ
ψ
ψψ
EE
EET
=+=
++=
(9)
将
αφ
λ
π
αψβψ+=+=cos
2
cosdd
带入上式得
+=
2
coscos20
α
φ
λ
πd
EET(10)
图七所示两支无指向性单元天线受等激励
电流,但有相位差时所呈显的辐射波形如
图七,经由图七可得
(a)图:
两支等方向性天线,间隔2/λ=d,
同相位00=α,阵列因子
=
×+
×=
θβ
θβθβ
cos
2
cos2
cos
2
exp1cos
2
exp1
d
d
j
d
jAF
(11)
因
2
λ
=d,故
22
π
β=
d,
=θ
π
cos
2
cos2AF(12)
现在将AF正规化,换言之,使其最大值
等於1则得
()
=θ
π
θcos
2
cosf(13)
(b)图:
两支等方向性天线,间隔2/λ=d,
180度相位差0180=α
=
×+
×=
θβ
θβθβ
cos
2
d
2jsin
cos
2
exp1cos
2
exp1
d
j
d
jAF
(14)
6台北科技大学学报第三十八之一期
60
应用2/λ=d,并正规化后可得
()
=θ
π
θcos
2
sinf(15)
(C)图:
两支天线等方向性天线,间隔
4/λ=d,90度相位差()090=α
+=
++
+
=
×
+
×=
4
cos
2
cos2
4
cos
2
exp
4
cos
2
exp
cos
2
exp
2
exp1
cos
2
exp1
4
4
π
θ
β
π
θβ
π
θβ
θβ
π
θβ
π
π
d
e
d
j
d
j
e
d
jj
d
jAF
j
j
(16)
应用
4
λ
=d正规化后得
()()
=1cos
4
cosθ
π
θf(17)
(d)图:
两支等方向性天线,间隔4/λ=d,
90度相位差()090=α
=
+
=
×
+
×=
4
cos
2
cos2
4
cos
2
exp
4
cos
2
exp
cos
2
exp
2
exp1
cos
2
exp1
4
4
π
θ
β
π
θβ
π
θβ
θβ
π
θβ
π
π
d
e
d
j
d
j
e
d
jj
d
jAF
j
j
(18)
应用
4
λ
=d正规化后得
()()
=1cos
4
cosθ
π
θf(19)
图五,典型线性阵列天线有相移器及衰减
器将所有输出电流相加集中后输
入接收机.
图六,二个无指向性天线构成阵列天线
2
λ
=d
00=α
2
λ
=d
0180=α
090
4
=
=
α
λd
090
4
=
=
α
λ
d
图七,二个等方向天线以相等电流,不同
相位馈入时辐射波形
(二)波形乘积法(PatternMultiplication)
qˇˇ—》ˇ〕
〕O
〕P
''〉ˇ'',O''〉ˇ'',Pˉ
eˉ"〈e
G,HG.H
GbHGˉH
小型化天线与分集天线设计与分析7
61
定义:
阵列天线之辐射场型为将阵列
天线之每一元件固有辐射场型乘以等方向
性天线设在每一元件原位置时的阵列因
子.
()()()
×
=
×=
factor
array
pattern
element
pattern
complete
,,φθφθφθfgF
(20)
上式中,()φθ,g为每一个原间天线之正规化
辐射场型,而()φθ,f为正规化后之阵列因
子.在阵列天线的设计控制上只要选定一
个适合的天线辐射场型作为单元天线
()φθ,g,只要经过适当的空间几何排列和馈
入相位控制改变阵列因子()φθ,f就能改变
阵列天线的辐射场型.本章节的分集天线
就是采用此概念完成改变天线辐射场型的
分集天线.
(三)平面分集天线结构
天线结构如图八由两个矩形微带天线
组成,两个天线的间距为λ/2,图八所示
是由两个1.6mm厚度εr=4.4的FR4做为
天线的基板,右下角为天线基板的侧面剖
面图,中间为微带天线的地,上层是图八
灰色部分,下层为馈入传输线图八虚线部
分,其下层虚线传输线的长度较上层传输
线长λ/2亦即上下层传输线相位差180度
的相位差,经由高频二极体Philips
BAP50-04W作为选择切换电子
参,结果和探讨
一,慢波效应对天线的影响
在这里分别探讨,将金属表面蚀刻特
定的几何结构产生相位延迟与频率的关
系,其关系如图十,图十主要是针对蚀刻
金属结构所产生相位延迟的关系图,有二
种状况,最细的实线为表面没有蚀刻任何
几何图形,其相位速度大约sm/101.56×,
与频率关系几乎没什麼变化,为非频率选
择性.粗的实线为蚀刻如图四之几何图
形,在4GHz以前相位速度大约
sm/101.46×,比表面没有蚀刻任何金属相
位速度减少约20%,4GHz以后其相位速度
会增加,在4.2GHz~4.7GHz时其相速度
比没有蚀刻的相速度大,在此频带不适合
拿来做缩小天线的应用,所以在使用金属
表面蚀刻如图四之几何图形时只能应用於
小於4GHz的频带.
012345
3
4
5
6
7
8
x106
a'oTOLOSv
PQ
RS
λNS
SVMT''
SQMT''
小型化天线与分集天线设计与分析9
63
1.51.61.71.81.922.12.22.32.42.52.62.72.82.93
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
ReturnLoss(dB)
Frequency(GHz)
Celloncenterofground
Cellnearprobeonground
Cellnearshortonradiator
Cellnearshortonground
Cellnearslotonradiator
Withoutanycellonantenna
-10dB
图十一,不同蚀刻结构位置所量测到的反
射系数
图十一是用HP8720C所量测S11反射
系数,针对蚀刻位置对共振频率的影响,
天线的大小长度,高度,宽度均相同,只
有蚀刻细胞几何结构位置不同.黑色实心
线是没有蚀刻的天线,其高度h=6mm,宽
度W=8mm,L1=L2=18.5mm,其共振频
率大约在2.1GHz.倒三角形(▽)是在天线馈
入端和短路端的地金属导体中间蚀刻一个
细胞几何结构,结构如图四,其共振频率
大约2.1GHz."*"形状的线是将结构蚀刻
在天线的地金属导体上接近馈入端,蚀刻
结构位置如图四,共振频率为2GHz.圆
圈形的线是将结构蚀刻在天线辐射体上接
近短路端,其共振频率大约1.7GHz.星形
(☆)的线是在天线的地上接近短路地方蚀
刻几何结构,其几何结构位置如图四,共
振频率大约2.15GHz.正三角形(△)的线
是将结构蚀刻在天线辐射体上接近槽孔的
地方,其共振频率大约1.9GHz.由图十一
所量测比较结果可以得到,将结构蚀刻在
天线辐射体上的慢波效果比在天线地导体
上的慢波效果明显,在辐射导体上蚀刻的
位置越接近短路端,慢波效果越明显,这
是因为天线在导体上面电流分布是不均
匀,天线辐射导体上短路端电流最大,所
以将结构蚀刻在天线辐射导体短路端附
近,慢波效果比较明显.而在地金属导体
上蚀刻慢波效果不明显是因为地金属导体
面积较大以致於流经蚀刻几何结构电流较
小,所产生的等效电容和电感较小.
二,天线尺寸对天线的影响
图十二,针对天线的尺寸对天线共振
频率的影响,圆圈型的线为增加天线辐射
体的宽度,W=13mm,高度h=6mm,
L1=L2=18.5mm,其共振频率大约
1.9GHz."*"形状的线W=8mm,h=6mm,
L1=L2=18.5mm,共振频率大约2.1GHz.
倒三角形的线W=5mm,h=6mm,
L1=L2=18.5mm,共振频率大约2.25GHz.
由圆圈形,"*"形和倒三角形三条S11反射
系数可以得知天线的宽度会影响天线的共
振频率,天线越宽共振频率越低,天线宽
度越窄共振频率越高,是因为增加辐射体
宽度可以增加电容效应,增加电容效应就
能降低相速度,在相同的长度下,可以藉
由天线的宽度,改变天线的共振频率.图
十二星形的线W=8mm,h=3.5mm,
L1=L2=18.5mm,共振频率为2.5GHz.由
此结果可以得到高度也是会影响天线共振
频率,较低的天线高度,其共振路径较短,
在馈入端和短路端也比较短所以造成的电
感也比较小,因此在相同天线长度下,降
低天线高度,会增加天线的共振频率.由
以上分析可知,在辐射体上面蚀刻适当几
何结构或增加宽度及高度都可以降低天线
共振频率,是因为蚀刻此几何结构能增加
电容电感值,增加天线宽度能增加其电容
效应.
10台北科技大学学报第三十八之一期
64
1.51.61.71.81.922.12.22.32.42.52.62.72.82.93
-50
-40
-30
-20
-10
0
Frequency(GHz)
ReturnLoss(dB)
W=5mm,h=6mm
W=8mm,h=6mm
W=13mm,h=6mm
W=8mm,h=3.5mm
-10dB
图十二,不同天线宽度和高度所量测到的
反射系数
三,天线场型和增益结果
表一是所有天线的增益,表格中分为
两部分,上半部是针对蚀刻位置所作分类
的天线,前两个是针对蚀刻在天线辐射导
体上不同的位置,第一个是蚀刻在天线辐
射导体接近槽孔的地方,增益为2.93dBi,
第二个是蚀刻在天线辐射导体上接近短路
的地方,增益为2.1dBi.第三到第五是针
对蚀刻在天线地导体上不同的位置,第三
个是蚀刻在天线地导体上接近馈入端,增
益为2dBi,第四个是蚀刻在天线地导体的
中央,增益为3dBi,第五个是蚀刻在天线
地导体接近短路端,增益为2.37dBi.以蚀
刻在天线地导体的中央增益最大.表一的
下半部针对天线不同的宽度和高度,第一
个是天线辐射导体宽度为5mm高度为
6mm增益为2.9dBi,第二个是辐射导体宽
度为8mm高度为6mm,增益为3.41dBi,
第三个是天线辐射体宽度为13mm高度为
6mm,增益为1.57dBi,第四个是天线辐射
体宽度为8mm高度为3.5mm,增益为
2.6dBi.辐射导体宽度为8mm高度为6mm
增益最大.图十三为天线量测到的场形其
顺序由上而下与表一相同,其E-Plane所
造成的天线场型不对称是因为天线馈入是
由单边馈入所造成,H-Plane的交叉极化,
有蚀刻的天线会比没有蚀刻的天线大约增
加10dB以上,因为在天线上蚀刻结构会
破坏电流在天线导体上的方向,因而使得
交叉极化增加,但是同极化和交叉极化相
差10dB并不会影响太大.就以同极化而
言,蚀刻并不会影响天线场型大小.由表
一天线增益和图十三天线场型可以得,改
变天线宽高和蚀刻结构都是设计此天线缩
小化的方法.
表一
Antennatype(with
etchingcellon
antenna)
Gain
(dBi)
Cellnearsloton
radiator
2.93
Cellnearshorton
radiator
2.1
Cellnearprobeon
ground
2
Celloncenterof
ground
3
Cellnearshorton
ground
2.37dBi
Antennatype
(withoutetchingany
cell)
Gain
(dBi)
W=5mm,h=6mm2.9
W=8mm,h=6mm3.41
W=13mm,h=6mm1.57
W=8mm,=3.5mm2.6
小型化天线与分集天线设计与分析11
65
图十三,天线场型由上而下依序如表一,
实线为同极化,虚线为交叉极化
E-Plane为图三的X-Z平面,
H-Plane为图三的Y-Z平面
四,天线量测结果
图十四为图八两个模态量测到的S11
结果值,"*"为"+G-"模态电压量测到的
S11值,"o"为"-G-"模态电压量测到的S11
值,由图十四量测到S11值发现当在"-G-"
模态下方传输线会导通,经灌孔穿层至下
方传输线这样会增加传输线电感性,所以
共振频率会比"+G-"模态低.当在"+G-"模
态时图八左边的高频二极体由上层传输线
导通,右边高频二极体由上层传输线导
通,上层的两条传输线同时馈入天线,此
模态传输线为同相位馈入天线辐射场型为
图十五的虚线图,当在"-G-"模态时图八左
12台北科技大学学报第三十八之一期
66
()()
()()()()∫∫
∫
=
ππ
π
φφφφφφ
φφφ
ρ
2
0
*
22
2
0
*
11
2
2
0
*
21
dEEdEE
dEE
e(21)
22.22.42.62.8
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
Frequency(GHz)
S11(dB)
+Ground-Voltage
-Ground-Voltage
-10dB
图十四,具分集特性之矩形微带天线量测
S11
边的高频二极体由下层虚线传输线导通,
右边高频二极体由上层传输线导通,经由
2/λ长度差产生180度相位差,利用相位
差180度馈入至矩形微带天线,其辐射天
线场型为图十五的实线图.在"+G-"模态下
两个天线的馈入同相位其辐射场型如预估
天线场型一样,在0o及180o的辐射场型最
大,在"-G-"模态下两个天线的馈入为不
同相位,其相位差大约180o,因此大约在
0o和180o的辐射方向会变小,往两边的辐
射会增加,因为我们所做的天线为分集天
线,主要目的是让天线辐射型的相关性降
低,所以不必设计一个很精准的相移器,
只要能够改变辐射场型降低相关系数达到
分集效果即可,图十五天线辐射场型相关
系数经由式(21)可得0.0318,是一个辐射
场型低相关系数的分集天线,其辐射场型
最大增益为4.53dBi.
图十五,具分集特性之矩形微带天线辐射
场型
图十六是量测到的S11值"o"形的线
是没有加任何电压所量测到的S11,"*"形
线是加负电压所量测到的S11,黑色实线
是加正电压所量测到的S11,经由所量测
到的S11可以发现,没有加电压的S11较
大阻抗较不匹配,这是因为此天线的设计
是必须有单一边金属导体导通时所设计的
输入阻抗,所以当没有加电压时两边金属
导体都没有导通,所以会有阻抗不匹配产
生,虽然不是很匹配S11也有-10dB以下,
仍属於可以接受的范围.
图十七为量测到的天线辐射场型,其
天线可以发现可以控制天线有不同的辐射
方向,当加入正电压时天线场型往90o方
向辐射,当加入负电压时天线往-90o方向
辐射,当没有加任何电压时,天线辐射方
向会往两边辐射,经由式(21)可得其天线
相关系数为0.0837,是一个辐射场型低相
关系数的分集天线,其辐射场型最大增益
为4.02dBi.
LXO"
O"
XO"
PWO"
LPOˉa
LQOˉa
LROˉa
LSOˉa
LfLu"〉,〃ˇ
JfLu"〉,〃ˇ
小型化天线与分集天线设计与分析13
67
22.22.42.62.83
-25
-20
-15
-10
-5
0
Frequency(GHz)
S11(dB)
+Voltage
-Voltage
WithoutVoltage
-10dB
图十六,具分集特性之偶极天线量测S11
图十七,具分集特性之偶极天线量测天线
场型
肆,结论
此天线的设计长度为λ/4,其馈入设
计方式是一种新的概念与一般的PIFA天
线不同,能设计成平面隐藏式天线,因为
没有介质损,只要改变天线长度就能在高
频工作.只要改变天线宽度,就有不同的
天线长度.只要在适当的位置蚀刻适当的
几何结构,就能达到慢波效果,在电流分
布越大的地方越能达到慢波的效果.慢波
效果越大越能降低谐振频率,也就越能缩
小天线长度.增加天线宽度和摆放慢波结
构都是缩小天线的方法.
利用波形乘积的概念设计出间距λ/2
的矩形微带天线和λ/4的偶极天线,在设
计λ/2的矩形微带天线利用设计传输线
等长和不等长所造成的相位差馈入至天线
改变天线辐射场型,λ/4的偶极天线是利
用空间的相位延迟和高频二极体控制导通
与否使得金属呈现电容性或电感性,控制
天线辐射方向达到分集的效果,两种方法
所设计出来的天线,其相关系数都很低,
适合做分集天线的设计应用.
参考文献
[1]RowellC.R.,MurchR.D.,"A
capacitivelyloadedPIFAforcompact
mobiletelephonehandsets,"Antennas
andPropagation,IEEETransactions
on,1997
[2]VirgaK.L.Rahmat-SamiiY.,
"Low-profileenhanced-bandwidth
PIFAantennasforwirelesscommunications
packaging,"MicrowaveTheoryand
Techniques,IEEETransactionson,1997
[3]PanayiP.K.,Al-NuaimiM.O.,and
IvrissimtzisI.P.,"Tuningtechniquesfor
planarinverted-Fantenna,"Electronics
Letters,2001
[4]KradiatingarmforGSM
/DCSoperation,"IEEEAntennasand
PropagationSocietyInternational
Symposium,2003.
[7]Kin-LuWong,An-ChiaChen,Yen-Liang
Kuo,"Diversitymetal-plateplanar
inverted-FantennaforWLANoperation,"
ElectronicsLetters,2003
[8]CalozC