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半导体的基本知识
第1章半导体的基本知识
1.1半导体及PN结
半导体器件是20世纪中期开始发展起来的，具有体积小、重量轻、使用寿命长、可靠性高、输入功率小和功率转换效率高等优点，因而在现代电子技术中得到广泛的应用。
半导体器件是构成电子电路的基础。
半导体器件和电阻、电容、电感等器件连接起来，可以组成各种电子电路。
顾名思义，半导体器件都是由半导体材料制成的，就必须对半导体材料的特点有一定的了解。
1.1.1半导体的基本特性
在自然界中存在着许多不同的物质，根据其导电性能的不同大体可分为导体、绝缘体和半导体三大类。
通常将很容易导电、电阻率小于
Ω•cm的物质，称为导体，例如铜、铝、银等金属材料；将很难导电、电阻率大于
Ω•cm的物质，称为绝缘体，例如塑料、橡胶、陶瓷等材料；将导电能力介于导体和绝缘体之间、电阻率在
Ω•cm～
Ω•cm范围内的物质，称为半导体。
常用的半导体材料是硅（Si）和锗（Ge）。
用半导体材料制作电子元器件，不是因为它的导电能力介于导体和绝缘体之间，而是由于其导电能力会随着温度的变化、光照或掺入杂质的多少发生显著的变化，这就是半导体不同于导体的特殊性质。
1、热敏性
所谓热敏性就是半导体的导电能力随着温度的升高而迅速增加。
半导体的电阻率对温度的变化十分敏感。
例如纯净的锗从20℃升高到30℃时，它的电阻率几乎减小为原来的1／2。
而一般的金属导体的电阻率则变化较小，比如铜，当温度同样升高10℃时，它的电阻率几乎不变。
2、光敏性
半导体的导电能力随光照的变化有显著改变的特性叫做光敏性。
一种硫化铜薄膜在暗处其电阻为几十兆欧姆，受光照后，电阻可以下降到几十千欧姆，只有原来的1%。
自动控制中用的光电二极管和光敏电阻，就是利用光敏特性制成的。
而金属导体在阳光下或在暗处其电阻率一般没有什么变化。
3、杂敏性
所谓杂敏性就是半导体的导电能力因掺入适量杂质而发生很大的变化。
在半导体硅中，只要掺入亿分之一的硼，电阻率就会下降到原来的几万分之—。
所以，利用这一特性，可以制造出不同性能、不向用途的半导体器件。
而金属导体即使掺入千分之一的杂质，对其电阻率也几乎没有什么影响。
半导体之所以具有上述特性，根本原因在于其特殊的原子结构和导电机理。
原子由原子核和电子构成，原子核由带正电的质子和不带电的中子构成，电子带负电并围绕原子核旋转。
电子以不同的距离在核外分层排布，距核越远，电子的能量越高，最外层的电子被称为价电子，物质的化学性质就是由价电子的数目决定的。
由于现在所用的半导体材料仍然主要是硅和锗，所以在这里只讨论硅和锗的原子结构，图1-1所示是硅和锗的原子结构简化模型。
硅和锗的外层电子都是4个，它们是四价元素。
随着原子间的相互靠近，价电子相互作用并形成晶体。
晶体的最终结构是四面体，每个原子（硅或锗）周围都有4个临近的（硅或锗）原子，分布在两个原子间的价电子构成共价键，图1-2所示是硅和锗四面体结构。
图1-1硅和锗的原子结构简化模型图1-2所示是硅和锗四面体结构
硅和锗四面体结构一般用二维平面图来表示，图1-3所示是硅和锗晶体结构平面图。
在晶体结构中，通过电子运动，每一半导体原子最外层的4个价电子与相邻的4个半导体原子的各一个价电子组成4对共价键，并按规律排列，图中的原子间每条线代表一个价电子。
本征半导体就是以上所说的一种纯净的半导体晶体。
在热力学温度T＝0K（-273℃）无外部激发能量时，每个价电子都处于最低能态，价电子没有能力脱离共价键的束缚．没有能够自由移动的带电粒子，这时的本征半导体被认为是绝缘体。
当价电子在外部能量（如温度升高、光照）作用下，一部分价电子脱离共价键的束缚成为自由电子，这一过程叫本征激发。
自由电子是带负电荷量的粒子，它是本征半导体中的一种载流子。
在外电场作用下，自由电子将逆着电场方向运动形成电流。
载流子的这种运动叫漂移，所形成的电流叫漂移电流。
价电子脱离共价键的束缚成为自由电子后，在原来的共价健中便留下一个空位，这个空位叫空穴。
空穴很容易被邻近共价键中跳过来的价电子填补上，于是在邻近共价键中又出现新的空穴，这个空穴再被别处共价键中的价电子来填补；这样，在半导体中出现了价电子填补空穴的运动。
在外部能量的作用下，填补空穴的价电子作定向移动也形成漂移电流。
但这种价电子的填补运动是由于空穴的产生引起的，而且始终是在原子的共价键之间进行的，它不同于自由电子在晶体中的自由运动。
同时，价电子填补空穴的运动无论在形式上还是在效果上都相当于空穴在与价电子运动相反的方向上运动。
为了区分电子的这两种不同的运动，把后一种运动叫做空穴运动，空穴被看作带正电荷的带电粒子，称它为空穴载流子。
图1-4所示是半导体中的两种载流子。
图1-3硅和锗晶体结构平面图图1-4半导体中的两种载流子
综上所述，本征半导体中存在两种载流子：
带负电荷的自由电子和带正电荷的空穴。
它们是成对出现的，也叫电子空穴对。
由于两者电荷量相等，极性相反，所以本征半导体是电中性的。
本征半导体在外界的作用下，电子形成电子电流，空穴形成空穴电流,虽然两种载流子的运动方向相反，但因为它们所带的电荷极性也相反，所以两种电流的实际方向是相同的，它们的和就是半导体中的电流。
另外需要指出的是，价电子在热运动中获得能量产生了电子空穴对，这种物理现象称为激发；同时自由电子在运动中与空穴相遇，使电子、空穴对消失，这种现象称为复合。
在一定温度下，载流子的产生过程和复合过程是相对平衡的，载流子的浓度是一定的。
本征半导体中载流子的浓度，除了与半导体材料本身的性质有关以外，还与温度有关。
而且随着温度的升高，基本上呈指数规律增加。
因此，半导体载流子浓度对温度十分敏感。
本征半导体的电阻率比较大，载流子浓度又小，且对温度变化敏感，因此它的用途很有限。
在本征半导体中，人为地掺入少量其他元素（称杂质），可以使半导体的导电性能发生显著的变化。
利用这一特性，可以制成各种性能不同的半导体器件，这样使得它的用途大大增加。
掺入杂质的本征半导体叫杂质半导体。
根据掺入杂质性质的不同，可分为两种：
电子型半导体和空穴型半导体。
载流子以电子为主的半导体叫电子型半导体，因为电子带负电，取英文单词“负”（Negative）的第一个字母“N”，所以电子型半导体又称为N型半导体。
载流子以空穴为主的半导体叫空穴型半导体。
取英文单词“正”（Positive）的第一个字母“P”,空穴型半导体又称为P型半导体。
下面以硅材料为例进行讨论。
1、N型半导体
在本征半导体中掺入正五价元素（如磷、砷）使每一个五价元素取代一个四价元素在晶体中的位置，可以形成N型半导体。
掺入的元素原子有5个价电子，其中4个与硅原子结合成共价键，余下的一个不在共价键之内，掺入的五价元素原子对它的束缚力很小。
因此只需较小的能量便可激发而成为自由电子。
由于掺入的五价元素原子很容易贡献出一个自由电子，故称为“施主杂质”。
掺入的五价元素原子提供一个电子（成为自由电子）后，它本身因失去电子而成为正离子。
在上述情况下，半导体中除了大量的由掺入的五价元素原子提供的自由电子外，还存在由本征激发产生的电子空穴对，它们是少数载流子。
这种杂质半导体以自由电子导电为主，因而称为电子型半导体，或N型半导体。
在N型半导体中，由于自由电子是多数，故N型半导体中的自由电子称为多数载流子（简称多子），而空穴称为少数载流子（简称少子）。
2、P型半导体
当本征半导体中掺入正三价杂质元素（如硼、镓）时，三价元素原子为形成四对共价键使结构稳定，常吸引附近半导体原子的价电子，从而产生一个空穴和一个负离子，故这种杂质半导体的多数载流子是空穴，因为空穴带正电，所以称为P型半导体，也称为空穴半导体。
除了多数载流子空穴外，还存在由本征激发产生的电子空穴对，可形成少数载流子自由电子。
由于所掺入的杂质元素原子易于接受相邻的半导体原子的价电子成为负离子，故称为“受主杂质”。
在P型半导体中，由于空穴是多数，故P型半导体中的空穴称为多数载流子（简称多子），而自由电子称为少数载流子（简称少子）
P型半导体和N型半导体均属非本征半导体。
其中多数载流子的浓度取决于掺入的杂质元素原子的密度；少数载流子的浓度主要取决于温度；而所产生的离子，不能在外电场作用下作漂移运动，不参与导电，不属于载流子。
1.1.4PN结
如果将一块半导体的一侧掺杂成为P型半导体，而另一侧掺杂成为N型半导体，则在二者的交界处将形成一个PN结。
1、PN结的形成
在P型和N型半导体的交界面两侧，由于自由电子和空穴的浓度相差悬殊，所以N区中的多数载流子自由电子要向P区扩散，同时P区中的多数载流空穴也要向N区扩散，并且当电子和空穴相遇时，将发生复合而消失。
如图1-5所示。
于是，在交界面两侧将分别形成不能移动的正、负离子区，正、负离子处于晶格位置而不能移动，所以称为空间电荷区（亦称为内电场）。
由于空间电荷区内的载流子数量极少，近似分析时可忽略不计，所以也称其为耗尽层。
空间电荷区一侧带正电，另一侧带负电，所以形成了内电场
，其方向由N区指向P区。
在内电场
的作用下，P区和N区中的少子会向对方漂移，同时内电场将阻止多子向对方扩散，当扩散运动的多子数量与漂移运动的少子数量相等，两种运动达到动态平衡的时候，空间电荷区的宽度一定，PN结就形成了。
一般，空间电荷区的宽度很薄，约为几微米～几十微米；由于空间电荷区内几乎没有载流子，其电阻率很高。
图1-5PN结的形成
2、PN结的单向导电性
在PN结的两端引出电极，P区的一端称为阳极，N区的一端称为阴极。
在PN结的两端外加不同极性的电压时，PN结表现出截然不同的导电性能，称为PN结的单向导电性。
（1）在外加正向电压时PN结处于导通状态
当外加电压使PN结的阳极电位高于阴极时，称PN结外加正向电压或PN结正向偏置（简称正偏），如图1-6所示。
图中实心点代表电子，空心圈代表空穴。
此时，外加电场
与内电场
的方向相反，其作用是增强扩散运动而削弱漂移运动。
所以，外电场驱使P区的多子进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷，也使N区的多子电子进入空间电荷区抵消一部分正空间电荷，其结果是使空间电荷区变窄，PN结呈现低电阻（一船为几百欧姆）；同时由于扩散运动占主导，形成较大的正向电流（mA级），此时PN结导通，相当于开关的闭合状态。
由于PN结导通时，其电位差只有零点几伏，且呈现低电阻，所以应该在其所在回路中串联一个限流电阻．以防止PN结因过流而损坏。
图1-6PN结加正向偏置导通时的情况
（2）在外加反向电压时PN结处于截止状态
当外加电压使PN结的阳极电位低于阴极时，称PN结外加反向电压或PN结反向偏置（简称反偏）如图1-7所示。
此时，外加电场
与内电场
的方向一致，并与内电场一起阻止扩散运动而促进漂移运动。
其结果是使空间电荷区变宽。
PN结呈现高电阻（一般为几千欧姆～几百千欧姆）。
同时由于漂移运动占主导，而少子由本征激发产生，数量极少，因而由少子形成的反向电流很小（µA级），近似分析时可忽略不计。
此时PN结截止，相当于开关的断开状态。
在一定温度下，当外加反向电压超过某个值（大约零点几伏）后，反向电流将不再随外加反向电压的增加而增大，所以又称其为反向饱和电流
。
图1-7PN结加反向偏置时截止
由上可知，PN结正偏时，正向电阻很小，正向电流较大，呈导通状态；PN结反偏时，
反向电阻很大，反向电流非常小，呈截止状态。
这就是PN结的单向导电性，它是一些二极
管应用电路的基础。
需要指出的是，当反向电压超过一定数值后，反向电流将急剧增加，这种现象称为PN
结的反向击穿，此时PN结的单向导电性被破坏。
1.2半导体二极管
在一个PN结的两端加上电极引线并用外壳封装起来，就构成了半导体二极管。
由P型半导体引出的电极，叫做正极（或阳极），由N型半导体引出的电极，叫做负极（或阴极）。
通常用图1-8（c）所示的符号表示。
按照结构工艺的不同、二极管有点接触型和面接触型两类。
它们的管芯结构和符号如图1-8所示。
点接触型二极管（—般为锗管）的PN结结面积很小（结电容小），工作频率高，适用于高频电路和开关电路；面接触型二极管（一般为硅管）的PN结结面积大（结电容大），工作频率较低，适用于大功率整流等低频电路中。
半导体二极管的种类和型号很多，我们用不同的符号来代表它们，例如2AP9，其中
图1-8二极管的结构和符号
（a）点接触型；（b）面接触型（c）符号
“2”表示二极管，“A”表示采用N型锗材料为基片，“P”表示普通用途管（P为汉语拼音字头），“9”为产品性能序号；又如2CZ8，其中“c”表示由N型硅材料作为基片，“z”表示整流管。
关于二极管型号的命名方法可参见附录Ａ的有关内容。
二极管既然是一个PN结，它必然具有单向导电性。
其伏安特性曲线如图1-9所示。
所谓伏安特性，就是指加到二极管两端的电压与流过二极管的电流的关系曲线。
二极管的伏安特性曲线可分为正向特性和反向特性两部分。
1、正向特性
当二极管加上很低的正向电压时，外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动所形成的阻力，故正向电流很小，二极管呈现很大的电阻。
当正向电压超过一定数值即
死区电压后，内电场被大大削弱，电流增长很快，二极管电阻变得很小。
死区电压又称阀
图l-9二极管的伏安特性曲线
（a）2CP10硅二极管（b）2AP锗二极管
值电压，硅管约为0.6～0.7V。
锗管约为0.2～0.3V。
二极管正向导通时，硅管的压降一般为0.6～0.7V，锗管则为0.2～0.3V。
2、反向特性
二极管加上反向电压时，由于少数载流子的漂移运动，因而形成很小的反向电流。
反向电流有两个特性，一是它随温度的上升增长很快；二是在反向电压不超过某一数值时，反向电流不随反向电压改变而改变，故这个电流称为反向饱和电流。
当外加反向电压过高时，反向电流将突然增大，二极管失去单向导电性，这种现象称为电击穿。
发生击穿的原因，一种是处于强电场中的载流子获得足够大的能量碰撞晶格而将价电子碰撞出来，产生电子空穴对，新产生的载流子在电场作用下获得足够能量后又通过碰撞产生电子空穴对。
如此形成连锁反应，反向电流愈来愈大，最后使得二极管反向击穿。
另一种原因是强电场直接将共价键的价电子拉出来，产生电子空穴对，形成较大的反向电流。
二极管被击穿后，一般不能恢复原来的性能。
产生击穿时加在二极管上的反向电压称为反向击穿电压
。
有时为了讨论方便，在一定条件下，可以把二极管的伏安特性理想化，即认为二极管的死区电压和导通电压都等于零。
这样的二极管称为理想二极管。
1.2.2主要参数
二极管的特性除用伏安特性曲线表示外，还可用一些数据来说明，这些数据就是二极管的参数。
各种参数都可从半导体器件手册中查出，下面只介绍几个常用的主要参数。
1、最大整流电流
最大整流电流是指二极管长时间使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。
当电流超过这个允许值时，二极管会因过热而烧坏，使用时务必注意。
2、反向峰值电压
它是保证二极管不被击穿而得出的反向峰值电压，一般是反向击穿电压的一半或三分之二。
3、反向峰值电流
它是指在二极管上加反向峰值电压时的反向电流值。
反向电流大，说明单向导电性能差，并且受温度的影响大。
二极管应用范围很广，都是利用它的单向导电性。
它可用于整流、检波、元件保护以及在脉冲与数字电路中作为开关元件。
1.3二极管基本电路及其应用
二极管的应用范围很广，主要都是利用它的单向导电性。
它可用于钳位、限幅、整流、开关、稳压、元件保护等，也可在脉冲与数字电路中作为开关元件等。
在进行电路分析时，一般可将二极管视为理想元件，即认为其正向电阻为零，正向导通时为短路特性，正向压降忽略不计；反向电阻为无穷大，反向截止时为开路特性，反向漏电流忽略不计。
利用二极管的单向导电性可以把大小和方向都变化的正弦交流电变为单向脉动的直流电。
如图l-10所示。
这种方法简单、经济，在日常生活及电子电路中经常采用。
根据这个原理，还可以构成整流效果更好的单相全波、单相桥式等整流电路。
图1-10二极管的整流应用
（a）二极管整流电路；（b）输入与输出波形。
1.3.2钳位应用
利用二极管的单向导电性在电路中可以起到钳位的作用。
例1.1在如图1-11所示的电路中，已知输入端A的电位为
，B的电位
，电阻R接-12V电源，求输出端F的电位
。
解：
因为
>
所以二极管D1优先导通，设二极管为理想元件，则输出端F的电位为
。
当D1导通后，D2上加的是反向电压，D2因而截止。
在这里，二极管D1起钳位作用，把F端的电位钳位在3V；D2起隔离作用，把输入端B和输出端F隔离开来。
图1-11例1.1的电路
利用二极管的单向导电性，将输入电压限定在要求的范围之内，叫做限幅。
例1.2在如图1-12（a）所示的电路中，已知输入电压
，电源电动势E＝5V，二极管为理想元件，试画出输出电压
的波形。
解：
根据二极管的单向导电特性可知，当
时，二极管D截止，相当于开路，因电阻R中无电流流过，故输出电压与输入电压相等，即
；当
时，二极管D导通，相当于短路，故输出电压等于电源电动势，即
。
所以，在输出电压
的波形中，5V以上的波形均被削去，输出电压被限制在5V以内，波形如图1.12（b）所示。
在这里，二极管起限幅作用。
（a）（b）
图1-12例1.2的图
（a）电路；（b）输入与输出电压波形。
在需要不高的稳定电压输出时，可以利用几个二极管的正向压降串联来实现。
还有一种稳压二极管，可以专门用来实现稳定电压输出。
稳压二级管有不同的系列用以实现不问的稳定电压输出。
在数字电路中经常将半导体二极管作为开关元件来使用，因为二极管只有单向导电性，可以相当于—个受外加偏置电压控制的无触点开关。
如图1-13所示，为监测发电机组工作的某种仪表的部分电路。
其中
是需要定期通过二极管D加入记忆电路的信号，
为控制信号。
当控制信号
时，D的负极电位被抬高，二极管截止，相当于“开关断开”，
不能通过D；当
时，D正偏导通，
可以通过D加入记忆电路。
此时二极管相当于“开关闭合”情况。
这样，二极管D就在信号
的控制下，实现了接通或关断
信号的作用。
图1-13二极管的开关应用
1.3.6二极管的识别与简单测试
1、二极管的极性判别
有的二极管从外壳的形状上可以区分电极；有的二极管的极性用二极管符号印在外壳上，箭头指向的一端为负极；还有的二极管用色环或色点来标志（靠近色环的一端是负极，有色点的一端是正极）。
若标志脱落，可用万用表测其正反向电阻值来确定二极管的电极。
测量时把万用表置于
×100挡或
×1K档，不可用
×1挡或
×10K档，前者电流太大，后者电压太高，有可能对二极管造成不利的影响。
用万用表的黑表笔和红表笔分别与二极管两极相连。
对于指针式万用表，当测得电阻较小时，与黑表笔相接的极为二极管正极；测得电阻很大时，与红表笔相接的极为二极管正极。
对于数字万用表，由于表内电池极性相反，数字表的红表笔为表内电池正极，实际测量中必须要注意。
对于数字万用表，还可以用专门的二极管档来测量，当二极管被正向偏置时，显示屏上将显示二极管的正向导通压降，单位是毫伏。
2、性能测试
二极管正、反向电阻的测量值相差愈大愈好，一般二极管的正向电阻测量值为几百欧姆，反向电阻为几十千欧姆到几百千欧姆。
如果测得正、反向电阻均为无穷大，说明内部断路；若测量值均为零，则说明内部短路；如测得正、反向电阻几乎一样大，这样的二极管已经失去单向导电性，没有使用价值了。
一般来说，硅二极管的正向电阻在几百到几千欧姆，锗管小于lKΩ，因此如果正向电阻较小，基本上可以认为是锗管。
若要更准确地知道二极管的材料，可将管子接入正偏电路中测其导通压降：
若压降在0.6-0.7V左右，则是硅管；若压降在0.2-0.3V左右，则是锗管。
当然，利用数字万用表的二极管挡，也可以很方便地知道二极管的材料。
1.4特殊二极管
除了上述普通二极管外，还有一些特殊二极管，如稳压二极管、发光二极管和光电二
极管等，对它们仅作简单的介绍。
1.4.1稳压管
1、稳压管的稳压作用
稳压管是一种特殊的硅二极管，由于它在电路中与适当数值的电阻配合后能起稳定电压的作用，故称为稳压管。
稳压管的伏安持性曲线与普通二极管的类似，如图1-14（a）所示，其差异是稳压管的反向特性曲线比较陡。
如图1-14（b）所示为稳压管的符号。
稳压管正常工作于反向击穿区，且在外加反向电压撤除后，稳压管又恢复正常，即它的反向击穿是可逆的。
从反向特性曲线上可以看出，当稳压管工作于反向击穿区时，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压变化很小，即它能起稳压的作用。
如果稳压管的反向电流超过允许值，则它将会因过热而损坏。
所以，与稳压管配合的电阻要适当，才能起稳压作用。
（a）（b）
图1-14稳压管的伏安特性曲线与符号
（a）伏安特性曲线；（b）符号。
2、稳压管的主要参数
稳压管的主要参数有：
（1）稳定电压
。
指稳压管的稳压值。
由于制造工艺方面和其他的原因，稳压值也有一定的分散性。
同一型号的稳压管稳压值可能略有不同。
手册给出的都是在一定条件（工作电流、温度）下的数值。
例如，2CWl8稳压管的稳压值为10V—12V。
（2）稳定电流
。
指稳压管工作电压等于稳定电压
时的工作电流。
稳压管的稳定电流只是一个作为依据的参考数值，设计选用时要根据具体情况（例如工作电流的变化范围）来考虑。
但对每一种型号的稳压管都规定有一个最大稳定电流
。
〔3〕动态电阻
。
指稳压管两端电压的变化量与相应电流变化量的比值，即：
稳压管的反向伏安特性曲线越陡，则动态电阻越小，稳压性能越好。
（4）最大允许耗散功率
。
指管子不致发生热击穿的最大功率损耗，即：
=
稳压管在电路中的主要作用是稳压和限幅，也可和其他电路配合构成欠压或过压保护、报警环节等。
1.4.2光电二极管
光电二极管也是一种特殊二极管。
它的特点是：
在电路中它一般处于反向工作状态，当没有光照射时，其反向电阻很大，PN结流过的反向电流很小；当光线照射在PN结上时就在PN结及其附近产生电子空穴对，电子和空穴在PN结的内电场作用下作定向运动，形成光电流。
如果光的照度发生改变，电子空穴对的浓度也相应改变，光电流强度也随之改变。
可见光电二极管能将光信号转变为电信号输出。
光电二极管可用来作为光控元件。
当制成大面积的光电二极管时，能将光能直接转换为电能，可作为一种能源，因而称为光电池。
光电二极管的管壳上有一个玻璃口，以便接受光照，光电二极管的伏安特性曲线及符号如图1-15所示。
（a）（b）
图1-15光电二极管的伏安特性曲线及符号
（a）特性曲线；（b）符号。
发光二极管简写为LED，其工作原理与光电二极管相反。
由于它采用砷化镓、磷化镓等半导体材料制成，所以在通过正向电流时，由于电子与空穴的直接复合而发出光来。
如图1-16所示为发光二极管的图形符号及其正向导通发光时的工作电路。
当发光二极管正向偏置时，其发光亮度随注入的电流的增大而提高。
为限制其工作电流，通常都要串接限流电阻R。
由于发光二极管的工作电压低（1.5V～3V）、工作电流小（5mA～10mA），所以用发光二极管作为显示器件具有体积小、显示快和寿命长等优点。
（a）（b）
图1-16发光二极管的符号及其工作电路
（a）符号；（b）工作电路。
本章小结
本章主要介绍了半导体材料、半导体二极管的结构、导电特性、主要参数和一些典型应用。
主要内容有：
1、运载电荷的粒子称为载流子。
半导体中有两种载流子：
电子和空穴，电子带负电空穴带正电。
在半导体中用掺杂的方法可以得到两种导电类型的半导体：
P型和N型半导体，P型
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