微电子笔试笔试和面试题概述.docx
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微电子笔试笔试和面试题概述
第一部分：
基础篇
（该部分共有试题8题,为必答题，每位应聘者按自己对问题的理解去回答，尽可能多回答你所知道的内容。
若不清楚就写不清楚）。
1、我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念）。
数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。
模拟信号，是指幅度随时间连续变化的信号。
例如，人对着话筒讲话，话筒输出的音频电信号就是模拟信号，收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号，也是模拟信号。
数字信号，是指在时间上和幅度上离散取值的信号，例如，电报电码信号，按一下电键，产生一个电信号，而产生的电信号是不连续的。
这种不连续的电信号，一般叫做电脉冲或脉冲信号，计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又叫做数字信号。
在电子技术中，通常又把模拟信号以外的非连续变化的信号，统称为数字信号。
FPGA是英文Field－ProgrammableGateArray的缩写，即现场可编程门阵列，它是在PAL、GAL、EPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。
它是作为专用集成电路（ASIC）领域中的一种半定制电路而出现的，既解决了定制电路的不足，又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。
2、你认为你从事研发工作有哪些特点？
3、基尔霍夫定理的内容是什么？
基尔霍夫电流定律:
流入一个节点的电流总和等于流出节点的电流总和。
基尔霍夫电压定律:
环路电压的总和为零。
欧姆定律:
电阻两端的电压等于电阻阻值和流过电阻的电流的乘积。
4、描述你对集成电路设计流程的认识。
5、描述你对集成电路工艺的认识。
把电路所需要的晶体管、二极管、电阻器和电容器等元件用一定工艺方式制作在一小块硅片、玻璃或陶瓷衬底上，再用适当的工艺进行互连，然后封装在一个管壳内，使整个电路的体积大大缩小，引出线和焊接点的数目也大为减少。
集成的设想出现在50年代末和60年代初，是采用硅平面技术和薄膜与厚膜技术来实现的。
电子集成技术按工艺方法分为以硅平面工艺为基础的单片集成电路、以薄膜技术为基础的薄膜集成电路和以丝网印刷技术为基础的厚膜集成电路。
单片集成电路工艺 利用研磨、抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术，在一小块硅单晶片上同时制造晶体管、二极管、电阻和电容等元件，并且采用一定的隔离技术使各元件在电性能上互相隔离。
然后在硅片表面蒸发铝层并用光刻技术刻蚀成互连图形，使元件按需要互连成完整电路，制成半导体单片集成电路。
随着单片集成电路从小、中规模发展到大规模、超大规模集成电路，平面工艺技术也随之得到发展。
例如，扩散掺杂改用离子注入掺杂工艺；紫外光常规光刻发展到一整套微细加工技术，如采用电子束曝光制版、等离子刻蚀、反应离子铣等；外延生长又采用超高真空分子束外延技术；采用化学汽相淀积工艺制造多晶硅、二氧化硅和表面钝化薄膜；互连细线除采用铝或金以外，还采用了化学汽相淀积重掺杂多晶硅薄膜和贵金属硅化物薄膜，以及多层互连结构等工艺。
薄膜集成电路工艺 整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及其间的互连线,全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发工艺、溅射工艺和电镀等工艺重叠构成。
用这种工艺制成的集成电路称薄膜集成电路。
薄膜集成电路中的晶体管采用薄膜工艺制作,它的材料结构有两种形式：
①薄膜场效应硫化镉和硒化镉晶体管，还可采用碲、铟、砷、氧化镍等材料制作晶体管；②薄膜热电子放大器。
薄膜晶体管的可靠性差，无法与硅平面工艺制作的晶体管相比，因而完全由薄膜构成的电路尚无普遍的实用价值。
实际应用的薄膜集成电路均采用混合工艺，也就是用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉或抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的互连线，再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不便用薄膜工艺制作的功率电阻、大电容值的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式组装成一块完整电路。
厚膜集成电路工艺 用丝网印刷工艺将电阻、介质和导体涂料淀积在氧化铝、氧化铍陶瓷或碳化硅衬底上。
淀积过程是使用一细目丝网，制作各种膜的图案。
这种图案用照相方法制成，凡是不淀积涂料的地方，均用乳胶阻住网孔。
氧化铝基片经过清洗后印刷导电涂料，制成内连接线、电阻终端焊接区、芯片粘附区、电容器的底电极和导体膜。
制件经干燥后，在750～950℃间的温度焙烧成形，挥发掉胶合剂，烧结导体材料，随后用印刷和烧成工艺制出电阻、电容、跨接、绝缘体和色封层。
有源器件用低共熔焊、再流焊、低熔点凸点倒装焊或梁式引线等工艺制作，然后装在烧好的基片上，焊上引线便制成厚膜电路。
厚膜电路的膜层厚度一般为7～40微米。
用厚膜工艺制备多层布线的工艺比较方便，多层工艺相容性好，可以大大提高二次集成的组装密度。
此外，等离子喷涂、火焰喷涂、印贴工艺等都是新的厚膜工艺技术。
与薄膜集成电路相仿，厚膜集成电路由于厚膜晶体管尚不能实用，实际上也是采用混合工艺。
单片集成电路和薄膜与厚膜集成电路这三种工艺方式各有特点，可以互相补充。
通用电路和标准电路的数量大，可采用单片集成电路。
需要量少的或是非标准电路，一般选用混合工艺方式，也就是采用标准化的单片集成电路，加上有源和无源元件的混合集成电路。
厚膜、薄膜集成电路在某些应用中是互相交叉的。
厚膜工艺所用工艺设备比较简易，电路设计灵活，生产周期短，散热良好，所以在高压、大功率和无源元件公差要求不太苛刻的电路中使用较为广泛。
另外，由于厚膜电路在工艺制造上容易实现多层布线，在超出单片集成电路能力所及的较复杂的应用方面，可将大规模集成电路芯片组装成超大规模集成电路，也可将单功能或多功能单片集成电路芯片组装成多功能的部件甚至小的整机。
单片集成电路除向更高集成度发展外，也正在向着大功率、线性、高频电路和模拟电路方面发展。
不过,在微波集成电路、较大功率集成电路方面，薄膜、厚膜混合集成电路还具有优越性。
在具体的选用上，往往将各类单片集成电路和厚膜、薄膜集成工艺结合在一起，特别如精密电阻网络和阻容网络基片粘贴于由厚膜电阻和导带组装成的基片上，装成一个复杂的完整的电路。
必要时甚至可配接上个别超小型元件，组成部件或整机。
6、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种？
集成电路设计的流程一般先要进行软硬件划分，将设计基本分为两部分：
芯片硬件设计和软件协同设计。
芯片硬件设计包括：
1．功能设计阶段。
设计人员产品的应用场合，设定一些诸如功能、操作速度、接口规格、环
境温度及消耗功率等规格，以做为将来电路设计时的依据。
更可进一步规划软
件模块及硬件模块该如何划分，哪些功能该整合于SOC内，哪些功能可以设
计在电路板上。
2．设计描述和行为级验证
能设计完成后，可以依据功能将SOC划分为若干功能模块，并决定实现
这些功能将要使用的IP核。
此阶段将接影响了SOC内部的架构及各模块间互
动的讯号，及未来产品的可靠性。
决定模块之后，可以用VHDL或Verilog等硬件描述语言实现各模块的设
计。
接着，利用VHDL或Verilog的电路仿真器，对设计进行功能验证（function
simulation，或行为验证behavioralsimulation）。
注意，这种功能仿真没有考虑电路实际的延迟，但无法获得精确的结果。
3．逻辑综合
确定设计描述正确后，可以使用逻辑综合工具（synthesizer）进行综合。
综合过程中，需要选择适当的逻辑器件库（logiccelllibrary），作为合成逻辑
电路时的参考依据。
硬件语言设计描述文件的编写风格是决定综合工具执行效率的一个重要
因素。
事实上，综合工具支持的HDL语法均是有限的，一些过于抽象的语法
只适于做为系统评估时的仿真模型，而不能被综合工具接受。
逻辑综合得到门级网表。
4．门级验证（Gate-LevelNetlistVerification）
门级功能验证是寄存器传输级验证。
主要的工作是要确认经综合后的电路
是否符合功能需求，该工作一般利用门电路级验证工具完成。
注意，此阶段仿真需要考虑门电路的延迟。
5．布局和布线
布局指将设计好的功能模块合理地安排在芯片上，规划好它们的位置。
布
线则指完成各模块之间互连的连线。
注意，各模块之间的连线通常比较长，因此，产生的延迟会严重影响SOC
的性能，尤其在0.25微米制程以上，这种现象更为显著。
模拟集成电路设计的一般过程：
1.电路设计
依据电路功能完成电路的设计。
2.前仿真
电路功能的仿真，包括功耗，电流，电压，温度，压摆幅，输入输出特性等参数的仿真。
3.版图设计（Layout）
依据所设计的电路画版图。
一般使用Cadence软件。
4.后仿真
对所画的版图进行仿真，并与前仿真比较，若达不到要求需修改或重新设计版图。
5.后续处理
将版图文件生成GDSII文件交予Foundry流片。
7、描述一个交通信号灯的设计。
8、我们将研发人员分为若干研究方向，对协议和算法理解（主要应用在网络通信、图象语音压缩方面）、电子系统方案的研究、用MCU、DSP编程实现电路功能、用ASIC设计技术设计电路（包括MCU、DSP本身）、电路功能模块设计（包括模拟电路和数字电路）、集成电路后端设计（主要是指综合及自动布局布线技术）、集成电路设计与工艺接口的研究。
你希望从事哪方面的研究？
（可以选择多个方向。
另外，已经从事过相关研发的人员可以详细描述你的研发经历）。
第二部分：
专业篇
（根据你选择的方向回答以下你认为相关的专业篇的问题。
一般情况下你只需要回答五道题以上，但请尽可能多回答你所知道的，以便我们了解你的知识结构及技术特点。
）
1、请谈谈对一个系统设计的总体思路。
针对这个思路，你觉得应该具备哪些方面的知识？
2、现有一用户需要一种集成电路产品，要求该产品能够实现如下功能：
y=lnx，其中，x为4位二进制整数输入信号。
y为二进制小数输出，要求保留两位小数。
电源电压为3~5v假设公司接到该项目后，交由你来负责该产品的设计，试讨论该产品的设计全程。
3、简单描述一个单片机系统的主要组成模块，并说明各模块之间的数据流流向和控制流流向。
简述单片机应用系统的设计原则。
4、请用方框图描述一个你熟悉的实用数字信号处理系统，并做简要的分析；如果没有，也可以自己设计一个简单的数字信号处理系统，并描述其功能及用途。
5、画出8031与2716（2K*8ROM）的连线图，要求采用三-八译码器，8031的P2.5,P2.4和P2.3参加译码，基本地址范围为3000H-3FFFH。
该2716有没有重叠地址？
根据是什么？
若有，则写出每片2716的重叠地址范围。
6、用8051设计一个带一个8*16键盘加驱动八个数码管（共阳）的原理图。
7、PCI总线的含义是什么？
PCI总线的主要特点是什么？
8、请简要描述HUFFMAN编码的基本原理及其基本的实现方法。
9、说出OSI七层网络协议中的四层（任意四层）。
由下至上为1至7层，分别为:
应用层（Applicationlayer）
表示层（Presentationlayer）
会话层（Sessionlayer）
传输层（Transportlayer）
网络层（Networklayer）
数据链路层（Datalinklayer）
物理层（Physicallayer）
10、中断的概念？
简述中断的过程。
11、说说对数字逻辑中的竞争和冒险的理解，并举例说明竞争和冒险怎样消除。
12、要用一个开环脉冲调速系统来控制直流电动机的转速，程序由8051完成。
简单原理如下：
由P3.4输出脉冲的占空比来控制转速，占空比越大，转速越快；而占空比由K7-K0八个开关来设置，直接与P1口相连（开关拨到下方时为"0"，拨到上方时为"1"，组成一个八位二进制数N），要求占空比为N/256。
下面程序用计数法来实现这一功能，请将空余部分添完整。
MOVP1，#0FFH
LOOP1：
MOVR4，#0FFH
--------
MOVR3，#00H
LOOP2：
MOVA，P1
--------
SUBBA，R3
JNZSKP1
--------
SKP1：
MOVC，70H
MOVP3.4，C
ACALLDELAY：
此延时子程序略
--------
--------
AJMPLOOP1
13、用你熟悉的设计方式设计一个可预置初值的7进制循环计数器，15进制的呢？
14、请用HDL描述四位的全加法器、5分频电路。
15、简述FPGA等可编程逻辑器件设计流程。
16、同步电路和异步电路的区别是什么？
17、电压源、电流源是集成电路中经常用到的模块，请画出你知道的线路结构，简单描述其优缺点。
18、描述反馈电路的概念，列举他们的应用。
19、放大电路的频率补偿的目的是什么，有哪些方法？
20、画出CMOS电路的晶体管级电路图，实现Y=A.B+C（D+E）
21、请分析如下电路所实现的功能。
22、A）
＃include
voidtestf（int*p）
{
*p+=1;
}
main（）
{
int*n,m[2];
n=m;
m[0]=1;
m[1]=8;
testf（n）;
printf（"Datavalueis%d",*n）;
}
------------------------------
B）
＃include
voidtestf（int**p）
{
*p+=1;
}
main（）
{int*n,m[2];
n=m;
m[0]=1;
m[1]=8;
testf（&n）;
printf（Datavalueis%d",*n）;
}
下面的结果是程序A还是程序B的？
Datavalueis8
那么另一段程序的结果是什么？
2
23、用简单电路实现，当A为输入时，输出B波形为：
A:
B:
24、LC正弦波振荡器有哪几种三点式振荡电路，分别画出其原理图。
25、锁相环有哪几部分组成？
26、人的话音频率一般为300~3400HZ，若对其采样且使信号不失真，其最小的采样频率应为多大？
若采用8KHZ的采样频率，并采用8bit的PCM编码，则存储一秒钟的信号数据量有多大？
27、在CMOS电路中，要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平，这个单管你会用P管还是N管，为什么？
28、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。
并画出一个晶体管级的运放电路。
29、数字滤波器的分类和结构特点。
30、DAC和ADC的实现各有哪些方法？
31、描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果？
32、什么叫做OTP片、掩膜片，两者的区别何在？
33、列举几种集成电路典型工艺。
工艺上常提到0.25,0.18指的是什么？
34、请描述一下国内的工艺现状。
35、请简述一下设计后端的整个流程？
36、有否接触过自动布局布线？
请说出一两种工具软件。
自动布局布线需要哪些基本元素？
37、半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？
38、什么是NMOS、PMOS、CMOS？
什么是增强型、耗尽型？
什么是PNP、NPN？
他们有什么差别？
39、为什么一个标准的倒相器中P管的宽长比要比N管的宽长比大？
40、硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管，N阱的阱电位的连接有什么要求？
汉王笔试
1、下面是一些基本的数字电路知识问题，请简要回答之。
a）什么是Setup和Holdup时间？
Setup/holdtime是测试芯片对输入信号和时钟信号之间的时间要求。
建立时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以前，数据稳定不变的时间。
输入信号应提前时钟上升沿（如上升沿有效）T时间到达芯片，这个T就是建立时间-Setuptime。
如不满足setuptime,这个数据就不能被这一时钟打入触发器，只有在下一个时钟上升沿，数据才能被打入触发器。
保持时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以后，数据稳定不变的时间。
如果holdtime不够，数据同样不能被打入触发器。
b）什么是竞争与冒险现象？
怎样判断？
如何消除？
c）请画出用D触发器实现2倍分频的逻辑电路？
d）什么是"线与"逻辑，要实现它，在硬件特性上有什么具体要求？
e）什么是同步逻辑和异步逻辑？
f）请画出微机接口电路中，典型的输入设备与微机接口逻辑示意图（数据接口、控制接口、所存器/缓冲器）。
g）你知道那些常用逻辑电平？
TTL与COMS电平可以直接互连吗？
2、可编程逻辑器件在现代电子设计中越来越重要，请问：
a）你所知道的可编程逻辑器件有哪些？
b）试用VHDL或VERILOG、ABLE描述8位D触发器逻辑。
3、设想你将设计完成一个电子电路方案。
请简述用EDA软件（如PROTEL）进行设计（包括原理图和PCB图）到调试出样机的整个过程。
在各环节应注意哪些问题？
飞利浦－大唐笔试
1、用逻辑们和cmos电路实现ab+cd
2、用一个二选一mux和一个inv实现异或
3、给了reg的setup,hold时间，求中间组合逻辑的delay范围。
4.如何解决亚稳态
5.用verilog/vhdl写一个fifo控制器
6.用verilog/vddl检测stream中的特定字符串
信威dsp软件面试题
1）DSP和通用处理器在结构上有什么不同，请简要画出你熟悉的一种DSP结构图
2）说说定点DSP和浮点DSP的定义（或者说出他们的区别）
3）说说你对循环寻址和位反序寻址的理解
4）请写出【－8，7】的二进制补码，和二进制偏置码。
用Q15表示出0.5和－0.5
扬智电子笔试
第一题：
用mos管搭出一个二输入与非门。
第二题：
集成电路前段设计流程，写出相关的工具。
第三题：
名词IRQ,BIOS,USB,VHDL,SDR
第四题：
unix命令cp-r,rm,uname
第五题：
用波形表示D触发器的功能
第六题：
写异步D触发器的verilogmodule
第七题：
WhatisPCChipset?
第八题：
用传输门和倒向器搭一个边沿触发器
第九题：
画状态机，接受1，2，5分钱的卖报机，每份报纸5分钱。
华为面试题
研发（硬件）
全都是几本模电数电信号单片机题目
1.用与非门等设计全加法器
Cout=a&b+b&cin+a&cin
Sum=a^b^cin
2.给出两个门电路让你分析异同
3.名词:
sram,ssram,sdram
4.信号与系统:
在时域与频域关系
5.信号与系统:
和4题差不多
6.晶体振荡器,好像是给出振荡频率让你求周期（应该是单片机的,12分之一周期....）
7.串行通信与同步通信异同,特点,比较
8.RS232c高电平脉冲对应的TTL逻辑是?
（负逻辑?
）
9.延时问题,判错
10.史密斯特电路,求回差电压
11.VCO是什么,什么参数（压控振荡器?
）
12.用D触发器做个二分颦的电路.又问什么是状态图
13.什么耐奎斯特定律,怎么由模拟信号转为数字信号
14.用D触发器做个4进制的计数
15.那种排序方法最快?
16.时钟周期为T,触发器D1的建立时间最大为T1max，最小为T1min。
组合逻辑电路最大延
迟为T2max,最小为T2min。
问，触发器D2的建立时间T3和保持时间应满足什么条件。
研发（软件）
用C语言写一个递归算法求N！
；
给一个C的函数，关于字符串和数组，找出错误；
防火墙是怎么实现的？
你对哪方面编程熟悉？
新太硬件
（1）d触发器和d锁存器的区别
（2）有源滤波器和无源滤波器的原理及区别
（3）sram，falshmemory，及dram的区别？
（4）iir，fir滤波器的异同
（5）冒泡排序的原理
（6）操作系统的功能
（7）学过的计算机语言及开发的系统
（8）拉氏变换和傅立叶变换的表达式及联系。
各大公司电子类招聘题目精选1
发表于2007-1-1318:
02:
34
各大公司电子类招聘题目精选[转]
模拟电路
1、基尔霍夫定理的内容是什么？
（仕兰微电子）
2、平板电容公式（C=εS/4πkd）。
（未知）
3、最基本的如三极管曲线特性。
（未知）
4、描述反馈电路的概念，列举他们的应用。
（仕兰微电子）
5、负反馈种类（电压并联反馈，电流串联反馈，电压串联反馈和电流并联反馈）
；负反馈的优点（降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放
大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用）（未知
）
6、放大电路的频率补偿的目的是什么，有哪些方法？
（仕兰微电子）
7、频率响应，如：
怎么才算是稳定的，如何改变频响曲线的几个方法。
（未知）
8、给出一个查分运放，如何相位补偿，并画补偿后的波特图。
（凹凸）
9、基本放大电路种类（电压放大器，电流放大器，互导放大器和互阻放大器），
优缺点，特别是广泛采用差分结构的原因。
（未知）
10、给出一差分电路，告诉其输出电压Y+和Y-,求共模分量和差模分量。
（未知）
11、画差放的两个输入管。
（凹凸）
12、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。
并画出一个晶
体管级的运放电路。
（仕兰微电子）
13、用运算放大器组成一个10倍的放大器。
（未知）
14、给出一个简单电路，让你分析输出电压的特性（就是个积分电路），并求输
出端某点的 rise/fall时间。
（Infineon笔试试题）
15、电阻R和电容C串联，输入电压为R和C之间的电压，输出电压分别为C上电压和R上电压，要求制这两种电路输入电压的频谱，判断这两种电路何为高通滤波器，何为低通滤波器。
当RC<（未知）
16、有源滤波器和无源滤波器的原理及区别?
（新太硬件）
17、有一时域信号S=V0sin（2pif0t）+V1cos（2pif1t）+V2sin（2pif3t+90）,当其通过
低通、带通、高通滤波器后的信号表示方式。
（未知）
18、选择电阻时要考虑什么？
（东信笔试题）
19、在CMOS电路中，要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平，这个单管你会用P管还是N管，为什么？
（仕兰微电子）
20、给出多个mos管组成的电路求5个点的电压。
（Infineon笔试试题）
21、电压源、电流源是集成电路中经常用到的模块，请画出你知道的线路结构，简单描述其优缺点。
（
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