半导体制造的常用名词.docx
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半导体制造的常用名词
半导体制造的常用名词
发表于:
2007-5-0717:
10 作者:
luhaoxinglhx 来源:
半导体技术天地
Ingot-Acylindricalsolidmadeofpolycrystallineorsinglecrystalsiliconfromwhichwafersarecut.
晶锭-由多晶或单晶形成的圆柱体，晶圆片由此切割而成。
LaserLight-ScatteringEvent-Asignalpulsethatlocatessurfaceimperfectionsonawafer.
激光散射-由晶圆片表面缺陷引起的脉冲信号。
Lay-Themaindirectionofsurfacetextureonawafer.
层-晶圆片表面结构的主要方向。
LightPointDefect（LPD）（Notpreferred;seelocalizedlight-scatterer）
光点缺陷（LPD）（不推荐使用，参见“局部光散射”）
Lithography-Theprocessusedtotransferpatternsontowafers.
光刻-从掩膜到圆片转移的过程。
LocalizedLight-Scatterer-Onefeatureonthesurfaceofawafer,suchasapitorascratchthatscatterslight.Itisalsocalledalightpointdefect.
局部光散射-晶圆片表面特征，例如小坑或擦伤导致光线散射，也称为光点缺陷。
Lot-Wafersofsimilarsizesandcharacteristicsplacedtogetherinashipment.
批次-具有相似尺寸和特性的晶圆片一并放置在一个载片器内。
MajorityCarrier-Acarrier,eitheraholeoranelectronthatisdominantinaspecificregion,suchaselectronsinanN-Typearea.
多数载流子-一种载流子，在半导体材料中起支配作用的空穴或电子，例如在N型中是电子。
MechanicalTestWafer-Asiliconwaferusedfortestingpurposes.
机械测试晶圆片-用于测试的晶圆片。
Microroughness-Surfaceroughnesswithspacingbetweentheimpuritieswithameasurementoflessthan100μm.
微粗糙-小于100微米的表面粗糙部分。
MillerIndices,ofaCrystallographicPlane-Asystemthatutilizesthreenumberstoidentifyplanorientationinacrystal.
Miller索指数-三个整数，用于确定某个并行面。
这些整数是来自相同系统的基本向量。
MinimalConditionsorDimensions-Theallowableconditionsfordeterminingwhetherornotawaferisconsideredacceptable.
最小条件或方向-确定晶圆片是否合格的允许条件。
MinorityCarrier-Acarrier,eitheraholeoranelectronthatisnotdominantinaspecificregion,suchaselectronsinaP-Typearea.
少数载流子-在半导体材料中不起支配作用的移动电荷，在P型中是电子，在N型中是空穴。
Mound-Araiseddefectonthesurfaceofawafermeasuringmorethan0.25mm.
堆垛-晶圆片表面超过0.25毫米的缺陷。
Notch-Anindentontheedgeofawaferusedfororientationpurposes.
凹槽-晶圆片边缘上用于晶向定位的小凹槽。
OrangePeel-Aroughenedsurfacethatisvisibletotheunaidedeye.
桔皮-可以用肉眼看到的粗糙表面
OrthogonalMisorientation-
直角定向误差-
Particle-Asmallpieceofmaterialfoundonawaferthatisnotconnectedwithit.
颗粒-晶圆片上的细小物质。
ParticleCounting-Wafersthatareusedtotesttoolsforparticlecontamination.
颗粒计算-用来测试晶圆片颗粒污染的测试工具。
ParticulateContamination-Particlesfoundonthesurfaceofawafer.Theyappearasbrightpointswhenacollineatedlightisshinedonthewafer.
颗粒污染-晶圆片表面的颗粒。
Pit-Anon-removableimperfectionfoundonthesurfaceofawafer.
深坑-一种晶圆片表面无法消除的缺陷。
PointDefect-Acrystaldefectthatisanimpurity,suchasalatticevacancyoraninterstitialatom.
点缺陷-不纯净的晶缺陷，例如格子空缺或原子空隙。
PreferentialEtch-
优先蚀刻-
PremiumWafer-Awaferthatcanbeusedforparticlecounting,measuringpatternresolutioninthephotolithographyprocess,andmetalcontaminationmonitoring.Thiswaferhasverystrictspecificationsforaspecificusage,butlooserspecificationsthantheprimewafer.
测试晶圆片-影印过程中用于颗粒计算、测量溶解度和检测金属污染的晶圆片。
对于具体应用该晶圆片有严格的要求，但是要比主晶圆片要求宽松些。
PrimaryOrientationFlat-Thelongestflatfoundonthewafer.
主定位边-晶圆片上最长的定位边。
ProcessTestWafer-Awaferthatcanbeusedforprocessesaswellasareacleanliness.
加工测试晶圆片-用于区域清洁过程中的晶圆片。
Profilometer-Atoolthatisusedformeasuringsurfacetopography.
表面形貌剂-一种用来测量晶圆片表面形貌的工具。
Resistivity（Electrical）-Theamountofdifficultythatchargedcarriershaveinmovingthroughoutmaterial.
电阻率（电学方面）-材料反抗或对抗电荷在其中通过的一种物理特性。
Required-Theminimumspecificationsneededbythecustomerwhenorderingwafers.
必需-订购晶圆片时客户必须达到的最小规格。
Roughness-Thetexturefoundonthesurfaceofthewaferthatisspacedverycloselytogether.
粗糙度-晶圆片表面间隙很小的纹理。
SawMarks-Surfaceirregularities
锯痕-表面不规则。
ScanDirection-Intheflatnesscalculation,thedirectionofthesubsites.
扫描方向-平整度测量中，局部平面的方向。
ScannerSiteFlatness-
局部平整度扫描仪-
Scratch-Amarkthatisfoundonthewafersurface.
擦伤-晶圆片表面的痕迹。
SecondaryFlat-Aflatthatissmallerthantheprimaryorientationflat.Thepositionofthisflatdetermineswhattypethewaferis,andalsotheorientationofthewafer.
第二定位边-比主定位边小的定位边，它的位置决定了晶圆片的类型和晶向。
Shape-
形状-
Site-Anareaonthefrontsurfaceofthewaferthathassidesparallelandperpendiculartotheprimaryorientationflat.（Thisareaisrectangularinshape）
局部表面-晶圆片前面上平行或垂直于主定位边方向的区域。
SiteArray-aneighboringsetofsites
局部表面系列-一系列的相关局部表面。
SiteFlatness-
局部平整-
Slip-Adefectpatternofsmallridgesfoundonthesurfaceofthewafer.
划伤-晶圆片表面上的小皱造成的缺陷。
Smudge-Adefectorcontaminationfoundonthewafercausedbyfingerprints.
污迹-晶圆片上指纹造成的缺陷或污染。
Sori-
Striation-Defectsorcontaminationsfoundintheshapeofahelix.
条痕-螺纹上的缺陷或污染。
Subsite,ofaSite-Anareafoundwithinthesite,alsorectangular.Thecenterofthesubsitemustbelocatedwithintheoriginalsite.
局部子表面-局部表面内的区域，也是矩形的。
子站中心必须位于原始站点内部。
SurfaceTexture-Variationsfoundontherealsurfaceofthewaferthatdeviatefromthereferencesurface.
表面纹理-晶圆片实际面与参考面的差异情况。
TestWafer-Asiliconwaferthatisusedinmanufacturingformonitoringandtestingpurposes.
测试晶圆片-用于生产中监测和测试的晶圆片。
ThicknessofTopSiliconFilm-Thedistancefoundbetweenthefaceofthetopsiliconfilmandthesurfaceoftheoxidelayer.
顶部硅膜厚度-顶部硅层表面和氧化层表面间的距离。
TopSiliconFilm-Thelayerofsilicononwhichsemiconductordevicesareplaced.Thisislocatedontopoftheinsulatinglayer.
顶部硅膜-生产半导体电路的硅层，位于绝缘层顶部。
TotalIndicatorReading（TIR）-Thesmallestdistancebetweenplanesonthesurfaceofthewafer.
总计指示剂数（TIR）-晶圆片表面位面间的最短距离。
VirginTestWafer-Awaferthathasnotbeenusedinmanufacturingorotherprocesses.
原始测试晶圆片-还没有用于生产或其他流程中的晶圆片。
Void-Thelackofanysortofbond（particularlyachemicalbond）atthesiteofbonding.
无效-在应该绑定的地方没有绑定（特别是化学绑定）。
Waves-Curvesandcontoursfoundonthesurfaceofthewaferthatcanbeseenbythenakedeye.
波浪-晶圆片表面通过肉眼能发现的弯曲和曲线。
Waviness-Widelyspacedimperfectionsonthesurfaceofawafer.
波纹-晶圆片表面经常出现的缺陷。
1.acceptancetesting（WAT:
waferacceptancetesting）
2.acceptor:
受主，如B，掺入Si中需要接受电子
3.ACCESS：
一个EDA（EngineeringDataAnalysis）系统
4.Acid：
酸
5.Activedevice：
有源器件，如MOSFET（非线性，可以对信号放大）
6.Alignmark（key）：
对位标记
7.Alloy：
合金
8.Aluminum：
铝
9.Ammonia：
氨水
10.Ammoniumfluoride：
NH4F
11.Ammoniumhydroxide：
NH4OH
12.Amorphoussilicon：
α-Si，非晶硅（不是多晶硅）
13.Analog：
模拟的
14.Angstrom：
A（1E-10m）埃
15.Anisotropic：
各向异性（如POLYETCH）
16.AQL（AcceptanceQualityLevel）：
接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）
17.ARC（Antireflectivecoating）：
抗反射层（用于METAL等层的光刻）
18.Antimony（Sb）锑
19.Argon（Ar）氩
20.Arsenic（As）砷
21.Arsenictrioxide（As2O3）三氧化二砷
22.Arsine（AsH3）
23.Asher：
去胶机
24.Aspectration：
形貌比（ETCH中的深度、宽度比）
25.Autodoping：
自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）
26.Backend：
后段（CONTACT以后、PCM测试前）
27.Baseline：
标准流程
28.Benchmark：
基准
29.Bipolar：
双极
30.Boat：
扩散用（石英）舟
31.CD：
（CriticalDimension）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLYCD为多晶条宽。
32.Characterwindow：
特征窗口。
用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
33.Chemical-mechanicalpolish（CMP）：
化学机械抛光法。
一种去掉圆片表面某种物质的方法。
34.Chemicalvapordeposition（CVD）：
化学汽相淀积。
一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。
35.Chip：
碎片或芯片。
36.CIM：
computer-integratedmanufacturing的缩写。
用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。
37.Circuitdesign：
电路设计。
一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。
38.Cleanroom：
一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。
39.Compensationdoping：
补偿掺杂。
向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。
40.CMOS：
complementarymetaloxidesemiconductor的缩写。
一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。
41.Computer-aideddesign（CAD）：
计算机辅助设计。
42.Conductivitytype：
传导类型，由多数载流子决定。
在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。
43.Contact：
孔。
在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔。
44.Controlchart：
控制图。
一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。
45.Correlation：
相关性。
46.Cp：
工艺能力，详见processcapability。
47.Cpk：
工艺能力指数，详见processcapabilityindex。
48.Cycletime：
圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。
通常用来衡量流通速度的快慢。
49.Damage：
损伤。
对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。
50.Defectdensity：
缺陷密度。
单位面积内的缺陷数。
51.Depletionimplant：
耗尽注入。
一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。
（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。
）
52.Depletionlayer：
耗尽层。
可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。
53.Depletionwidth：
耗尽宽度。
53中提到的耗尽层这个区域的宽度。
54.Deposition：
淀积。
一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。
55.Depthoffocus（DOF）：
焦深。
56.designofexperiments（DOE）：
为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。
57.develop：
显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程）
58.developer：
Ⅰ）显影设备；Ⅱ）显影液
59.diborane（B2H6）：
乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产中的硼源
60.dichloromethane（CH2CL2）：
二氯甲，一种无色，不可燃，不可爆的液体。
61.dichlorosilane（DSC）：
二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。
62.die：
硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。
63.dielectric：
Ⅰ）介质，一种绝缘材料；Ⅱ）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能。
64.diffusedlayer：
扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。
65.disilane（Si2H6）：
乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。
在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。
66.drive-in：
推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。
67.dryetch：
干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。
68.effectivelayerthickness：
有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。
69.EM：
electromigration，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。
70.epitaxiallayer：
外延层。
半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体材料，这一单晶半导体层即为外延层。
71.equipmentdowntime：
设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。
72.etch：
腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。
73.exposure：
曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。
74.fab：
常指半导体生产的制造工厂。
75.featuresize：
特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。
76.field-effecttransistor（FET）：
场效应管。
包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。
77.film：
薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。
78.flat：
平边
79.flatbandcapacitanse：
平带电容
80.flatbandvoltage：
平带电压
81.flowcoefficicent：
流动系数
82.flowvelocity：
流速计
83.flowvolume：
流量计
84.flux：
单位时间内流过给定面积的颗粒数
85.forbiddenenergygap：
禁带
86.four-pointprobe：
四点探针台
87.functionalarea：
功能区
88.gate
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