MN?
非饱和导通
?
IDSN=KN〔(VGSN-VTN)VDSN-1/2VDSN2〕
?
?
=KN〔(VIH-VTN)Vout-1/2Vout2〕
MP:
-VGSP?
=VDD?
-Vin=VDD?
-VIH
-VDSP?
=VDD?
-Vout
∴-VDSP?
>-VGSP?
–(-VTP)
MP饱和导通
IDSP?
=1/2KP(-VGSP?
-|VTP|)2
?
=1/2KP(VDD-VIH-|VTP|)2
∵IDSN?
=IDSP,对VIH微分,得:
KN〔(VIH-VTN)(dVout/dVin)+Vout-Vout(dVout/dVin)〕=KP(VDD-VIH-|VTP|)
∵dVout/dVin=-1
∴VIH=〔VDD+VTP?
+KR(2Vout?
+VTN)〕/(1+KR)?
?
其中KR?
=KN/KP
20.解:
Vin?
=VM,NMOS、PMOS均饱和导通
?
IDSN?
=1/2μNCOX(W/L)N(VGSN?
-VTN)2
=1/2KN(VM-VTN)2
IDSP?
=1/2μPCOX(W/L)P(-VGSP?
-|VTP|)2
?
=1/2KP(VDD-VM-|VTP|)2
由IDSN?
=IDSP得:
VM=(VDD+VTP+VTN?
)/(1+)?
?
?
其中KR?
=KN/KP
?
?
?
?
?
当工艺确定,VDD、VTN、VTP、μN、μP均确定
?
?
因而VM取决于两管的尺寸之比WN/WP
18、
根据CMOS反相器的传输特性曲线计算VIL和VIH
?
【答案:
】
?
19、
求解CMOS反相器的逻辑阈值,并说明它与哪些因素有关
?
【答案:
】
?
Vin?
=VM,NMOS、PMOS均饱和导通
?
IDSN?
=1/2μNCOX(W/L)N(VGSN?
-VTN)2
=1/2KN(VM-VTN)2
IDSP?
=1/2μPCOX(W/L)P(-VGSP?
-|VTP|)2
?
=1/2KP(VDD-VM-|VTP|)2
由IDSN?
=IDSP得:
VM=(VDD+VTP+VTN?
)/(1+)?
?
?
其中KR?
=KN/KP
?
?
?
?
?
当工艺确定,VDD、VTN、VTP、μN、μP均确定
?
?
因而VM取决于两管的尺寸之比WN/WP
20、
为什么的PMOS尺寸通常比NMOS的尺寸大
?
【答案:
】
?
1)电子迁移率较大,是空穴迁移率的两倍,即μN=2μP。
2)根据逻辑阈值与晶体管尺寸的关系VM∝WP/WN,在VM较大的取值范围中,WP〉WN。
21、
考虑一个具有如下参数的CMOS反相器电路:
VDD=VTN=VTP=KN=200uA/V2Kp=80uA/V2计算电路的噪声容限。
?
【答案:
】
?
KR=KN/KP=
CMOS反相器的VOL=0V,VOH=VDD=
?
?
?
?
?
?
VIL=(2Vout+VTP-VDD+KRVTN)/(1+KR)=?
=VIL时,有1/2KN(VIL-VTN)2=KP〔(VDD-VIL?
-|VTP|)(VDD?
-Vout)-1/2(VDD?
-Vout)2〕
Vout2+Vout?
=0
解得:
Vout?
=?
?
?
∴VIL=
VIH=〔VDD+VTP?
+KR(2Vout?
+VTN)〕/(1+KR)=Vout+
Vin?
=VIH时,有KN〔(VIH-VTN)Vout-1/2Vout2〕=1/2KP(VDD-VIH-|VTP|)2
+解得:
Vout=?
?
?
?
∴VIH=
∴VNML=VIL-VOL=
?
VNMH=VOH-VIH=
22、
采用工艺的CMOS反相器,相关参数如下:
VDD=NMOS:
VTN=μNCOX=60uA/V2(W/L)N=8PMOS:
VTP=μpCOX=25uA/V2(W/L)P=12求电路的噪声容限及逻辑阈值
?
【答案:
】
?
KR=μNCOX(W/L)N/μpCOX?
(W/L)P=
对于CMOS反相器而言,VOL=0V,VOH=VDD=
VIL=(2Vout+VTP-VDD+KRVTN)/(1+KR)=当Vin?
=VIL时,NMOS饱和导通,PMOS非饱和导通
由IDSN?
=IDSP得:
1/2KN(VIL-VTN)2=KP〔(VDD-VIL?
-|VTP|)(VDD?
-Vout)-1/2(VDD?
-Vout)2〕
Vout2+Vout?
=0
解得:
Vout?
=?
?
?
∴VIL=
同理,VIH=〔VDD+VTP?
+KR(2Vout?
+VTN)〕/(1+KR)=Vout+
当Vin?
=VIH时,PMOS饱和导通,NMOS非饱和导通
由IDSN?
=IDSP得:
KN〔(VIH-VTN)Vout-1/2Vout2〕=1/2KP(VDD-VIH-|VTP|)2
+解得:
Vout=?
?
?
?
∴VIH=
∴该CMOS反相器的噪声容限:
VNML=VIL-VOL=
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
VNMH=VOH-VIH=
23、
设计一个CMOS反相器,NMOS:
VTN=μNCOX=60uA/V2PMOS:
VTP=μPCOX=25uA/V2电源电压为,LN=LP=1)求VM=时的WN/WP。
2)此CMOS反相器制作工艺允许VTN、VTP的值在标称值有正负15%的变化,假定其他参数仍为标称值,求VM的上下限。
?
【答案:
】
?
24、
举例说明什么是有比反相器和无比反相器
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【答案:
】
?
有比反相器在输出低电平时,驱动管和负载管同时导通,其输出低电平由驱动管导通电阻和负载管导通电阻的分压决定。
为保持足够低的低电平,两个等效电阻应保持一定的比值。
当驱动管为增强型N沟MOSFET,负载管为电阻或增强型MOSFET或耗尽型MOSFET时,即E/R反相器、E/E反相器、E/D反相器属于有比反相器。
而无比反相器在输出低电平时,只有驱动管导通,负载管是截止的,理想情况下,输出低电平为0。
当驱动管为增强型N沟MOSFET,负载管为P沟MOSFET时,即CMOS反相器即属于无比反相器,具有理想的输入低电平0。
25、
以CMOS反相器为例,说明什么是静态功耗和动态功耗
?
【答案:
】
?
对于CMOS反相器,静态功耗是指当输入为0或VDD时,NMOS和PMOS总是一个导通、一个截止,没有从VDD到VSS的直流通路,也没有电流流入栅极,功耗几乎为0。
26、
在图中标注出上升时间tr、下降时间tf、导通延迟时间、截止延迟时间,给出延迟时间tpd的定义。
若希望tr=tf,求WN/WP。
?
【答案:
】
?
图中,导通延迟时间为tPHL,截止延迟时间为tPLH
延迟时间tpd=(tPHL+tPLH)/2
?
?
?
上升时间tr=2CL/KNVDD?
?
?
?
?
?
?
?
KN=μNCOX(W/L)N
?
?
?
下降时间tf?
=2CL/KPVDD?
?
?
?
?
?
?
?
KP=μPCOX(W/L)P
?
?
?
若希望tr=tf,则要求WP=2WN
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