16、时钟周期为T,触发器D1的建立时间最大为T1max,最小为T1min.组合逻辑电路最大延迟为T2max,最小为T2min.问,触发器D2的建立时间T3和保持时间应满足什么条件.（华为）17、给出某个一般时序电路的图,有Tsetup,Tdelay,Tck->q,还有clock的delay,写出决定最大时钟的因素,同时给出表达式.（威盛VIA2003.11.06上海笔试试题）
18、说说静态、动态时序模拟的优缺点.（威盛VIA2003.11.06上海笔试试题）
动态时序验证是在验证功能的同时验证时序，需要输入向量作为激励。
随着规模增大，所需要的向量数量以指数增长，验证所需时间占到整个设计周期的50，且这种方法难以保证足够的覆盖率，因而对片上系统芯片设计已成为设计流程的瓶颈，所以必须有更有效的时序验证技术取代之。
动态时序仿真的优点是比较精确，而且同后者相比较，它适用于更多的设计类型。
但是它也存在着比较明显的缺点：
首先是分析的速度比较慢；
其次是它需要使用输入矢量，这使得它在分析的过程中有可能会遗漏一些关键路径（criticalpaths），因为输入矢量未必是对所有相关的路径都敏感的。
静态时序分析技术是一种穷尽分析方法，用以衡量电路性能。
它提取整个电路的所有时序路径，通过计算信号沿在路径上的延迟传播找出违背时序约束的错误，主要是检查建立时间和保持时间是否满足要求，而它们又分别通过对最大路径延迟和最小路径延迟的分析得到。
静态时序分析的方法不依赖于激励，且可以穷尽所有路径，运行速度很快，占用内存很少。
它完全克服了动态时序验证的缺陷，适合进行超大规模的片上系统电路的验证，可以节省多达20的设计时间。
因此，静态时序分析器在功能和性能上满足了全片分析的目的。
19、一个四级的Mux,其中第二级信号为关键信号如何改善timing.（威盛VIA2003.11.06上海笔试试题）
20、给出一个门级的图,又给了各个门的传输延时,问关键路径是什么,还问给出输入,使得输出依赖于关键路径.（未知）
21、逻辑方面数字电路的卡诺图化简,时序（同步异步差异）,触发器有几种（区别,优点）,全加器等等.（未知）
22、卡诺图写出逻辑表达使.（威盛VIA2003.11.06上海笔试试题）
23、化简F（A,B,C,D）=m（1,3,4,5,10,11,12,13,14,15）的和.（威盛）
24、pleaseshowtheCMOSinverterschmatic,layoutanditscrosssectionwithP-wellprocess.Plotitstransfercurve（Vout-Vin）AndalsoexplaintheoperationregionofPMOSandNMOSforeachsegmentofthetransfercurve?
（威盛笔试题circuitdesign-beijing-03.11.09）
25、TodesignaCMOSinvertorwithbalanceriseandfalltime,pleasedefinetherationofchannelwidthofPMOSandNMOSandexplain?
26、为什么一个标准的倒相器中P管的宽长比要比N管的宽长比大?
（仕兰微电子）
27、用mos管搭出一个二输入与非门.（扬智电子笔试）
28、pleasedrawthetransistorlevelschematicofacmos2inputANDgateandexplainwhichinputhasfasterresponseforoutputrisingedge.（lessdelaytime）.（威盛笔试题circuitdesign-beijing-03.11.09）
29、画出NOT,NAND,NOR的符号,真值表,还有transistorlevel的电路.（Infineon笔试）
30、画出CMOS的图,画出tow-to-onemuxgate.（威盛VIA2003.11.06上海笔试试题）
31、用一个二选一mux和一个inv实现异或.（飞利浦-大唐笔试）
32、画出Y=A*B+C的cmos电路图.（科广试题）
33、用逻辑们和cmos电路实现ab+cd.（飞利浦-大唐笔试）
34、画出CMOS电路的晶体管级电路图,实现Y=A*B+C（D+E）.（仕兰微电子）
35、利用4选1实现F（x,y,z）=xz+yz'.（未知）
36、给一个表达式f=xxxx+xxxx+xxxxx+xxxx用最少数量的与非门实现（实际上就是化简）.37、给出一个简单的由多个NOT,NAND,NOR组成的原理图,根据输入波形画出各点波形.（Infineon笔试）
38、为了实现逻辑（AXORB）OR（CANDD）,请选用以下逻辑中的一种,并说明为什么?
1）INV2）AND3）OR4）NAND5）NOR6）XOR答案:
NAND（未知）
39、用与非门等设计全加法器.（华为）
40、给出两个门电路让你分析异同.（华为）
41、用简单电路实现,当A为输入时,输出B波形为…（仕兰微电子）
42、A,B,C,D,E进行投票,多数服从少数,输出是F（也就是如果A,B,C,D,E中1的个数比0多,那么F输出为1,否则F为0）,用与非门实现,输入数目没有限制.（未知）
43、用波形表示D触发器的功能.（扬智电子笔试）
44、用传输门和倒向器搭一个边沿触发器.（扬智电子笔试）
45、用逻辑们画出D触发器.（威盛VIA2003.11.06上海笔试试题）
46、画出DFF的结构图,用verilog实现之.（威盛）
47、画出一种CMOS的D锁存器的电路图和版图.（未知）
48、D触发器和D锁存器的区别.（新太硬件面试）
49、简述latch和filp-flop的异同.（未知）
50、LATCH和DFF的概念和区别.（未知）
51、latch与register的区别,为什么现在多用register.行为级描述中latch如何产生的.（南山之桥）
52、用D触发器做个二分颦的电路.又问什么是状态图.（华为）
53、请画出用D触发器实现2倍分频的逻辑电路?
（汉王笔试）
54、怎样用D触发器、与或非门组成二分频电路?
（东信笔试）
55、Howmanyflip-flopcircuitsareneededtodivideby16?
（Intel）16分频?
56、用filp-flop和logic-gate设计一个1位加法器,输入carryin和current-stage,输出carryout和next-stage.（未知）
57、用D触发器做个4进制的计数.（华为）
58、实现N位JohnsonCounter,N=5.（南山之桥）
59、用你熟悉的设计方式设计一个可预置初值的7进制循环计数器,15进制的呢?
（仕兰微电子）
60、数字电路设计当然必问Verilog/VHDL,如设计计数器.（未知）
61、BLOCKINGNONBLOCKING赋值的区别.（南山之桥）
62、写异步D触发器的verilogmodule.（扬智电子笔试）moduledff8（clk,reset,d,q）;inputclk;inputreset;input[7:
0]d;output[7:
0]q;reg[7:
0]q;always@（posedgeclkorposedgereset）if（reset）q<=0;elseq<=d;endmodule
63、用D触发器实现2倍分频的Verilog描述?
（汉王笔试）moduledivide2（clk,clk_o,reset）;inputclk,reset;outputclk_o;wirein;regout;always@（posedgeclkorposedgereset）if（reset）out<=0;elseout<=in;assignin=~out;assignclk_o=out;endmodule
64、可编程逻辑器件在现代电子设计中越来越重要,请问:
a）你所知道的可编程逻辑器件有哪些?
b）试用VHDL或VERILOG、ABLE描述8位D触发器逻辑.（汉王笔试）PAL,PLD,CPLD,FPGA.moduledff8（clk,reset,d,q）;inputclk;inputreset;inputd;outputq;regq;always@（posedgeclkorposedgereset）if（reset）q<=0;elseq<=d;endmodule
65、请用HDL描述四位的全加法器、5分频电路.（仕兰微电子）
66、用VERILOG或VHDL写一段代码,实现10进制计数器.（未知）
67、用VERILOG或VHDL写一段代码,实现消除一个glitch.（未知）
68、一个状态机的题目用verilog实现（不过这个状态机画的实在比较差,很容易误解的）.（威盛VIA2003.11.06上海笔试试题）
69、描述一个交通信号灯的设计.（仕兰微电子）
70、画状态机,接受1,2,5分钱的卖报机,每份报纸5分钱.（扬智电子笔试）
71、设计一个自动售货机系统,卖soda水的,只能投进三种硬币,要正确的找回钱数.
（1）画出fsm（有限状态机）;
（2）用verilog编程,语法要符合fpga设计的要求.（未知）
72、设计一个自动饮料售卖机,饮料10分钱,硬币有5分和10分两种,并考虑找零:
（1）画出fsm（有限状态机）;
（2）用verilog编程,语法要符合fpga设计的要求;（3）设计工程中可使用的工具及设计大致过程.（未知）
73、画出可以检测10010串的状态图,并verilog实现之.（威盛）
74、用FSM实现101101的序列检测模块.（南山之桥）a为输入端,b为输出端,如果a连续输入为1101则b输出为1,否则为0.例如a:
0001100110110100100110b:
0000000000100100000000请画出statemachine;请用RTL描述其statemachine.（未知）
75、用verilog/vddl检测stream中的特定字符串（分状态用状态机写）.（飞利浦-大唐笔试）
76、用verilog/vhdl写一个fifo控制器（包括空,满,半满信号）.（飞利浦-大唐笔试）
77、现有一用户需要一种集成电路产品,要求该产品能够实现如下功能:
y=lnx,其中,x为4位二进制整数输入信号.y为二进制小数输出,要求保留两位小数.电源电压为3~5v假设公司接到该项目后,交由你来负责该产品的设计,试讨论该产品的设计全程.（仕兰微电子）
78、sram,falshmemory,及dram的区别?
（新太硬件面试）
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是ReadOnlyMemory的缩写，RAM是RandomAccessMemory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
RAM有两大类，一种称为静态RAM（StaticRAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
另一种称为动态RAM（DynamicRAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDRRAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDRRAM。
DDRRAM（Date-RateRAM）也称作DDRSDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。
这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－RambusDRAM。
在很多高端的显卡上，也配备了高速DDRRAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。
另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。
举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写入通过记录（通话记录保存在EEPROM中），因为当时有很重要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。
FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦出可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。
在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。
目前Flash主要有两种NORFlash和NADNFlash。
NORFlash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NORFLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。
NANDFlash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一快的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。
用户不能直接运行NANDFlash上的代码，因此好多使用NANDFlash的开发板除了使用NANDFlah以外，还作上了一块小的NORFlash来运行启动代码。
一般小容量的用NORFlash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NANDFLASH，最常见的NANDFLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（DiskOnChip）和我们通常用的“闪盘”，可以在线擦除。
目前市面上的FLASH主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NANDFlash的主要厂家有Samsung和Toshiba。
79、给出单管DRAM的原理图（西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9-14b）,问你有什么办法提高refreshtime,总共有5个问题,记不起来了.（降低温度,增大电容存储容量）（Infineon笔试）
80、PleasedrawschematicofacommonSRAMcellwith6transistors,pointoutwhichnodescanstoredataandwhichnodeiswordlinecontrol?
（威盛笔试题circuitdesign-beijing-03.11.09）
81、名词:
sram,ssram,sdram名词IRQ,BIOS,USB,VHDL,SDRIRQ:
InterruptReQuestBIOS:
BasicInputOutputSystemUSB:
UniversalSerialBusVHDL:
VHICHardwareDescriptionLanguageSDR:
SingleDataRate压控振荡器的英文缩写（VCO）.动态随机存储器的英文缩写（DRAM）.名词解释,无聊的外文缩写罢了,比如PCI、ECC、DDR、interrupt、pipeline、IRQ,BIOS,USB,VHDL,VLSIVCO（压控振荡器）RAM（动态随机存储器）,FIRIIRDFT（离散傅立叶变换）或者是中文的,比如:
a.量化误差b.直方图c.白平衡
1.PCB上微带线阻抗用什么软件计算。
微带线的阻抗和哪几个因素有关。
不同频率，线特征阻抗是否和频率相关?
2.NF级联NF的公式，电阻PI的NF，Mixer的NF，普通射频放大器的NF值的范围。
3.IP3IP3的定义。
级联IP3公式。
IP3测试设备连接框图和测试方法。
IP3和IM3的关系公式。
4.P1dBP1dB的定义。
P1dB的测试方法。
5.电阻PI（衰减器）给出不同衰减值对应的电阻值。
已知衰减值（AdB）和源&负载阻抗（50Ohm），请给出电阻值计算方法。
6.电阻类型、值系列、使用时哪些指标需要降额使用、不同封装的电阻的额定功耗。
7.电容类型、值系列、使用时哪些指标需要降额使用、等效电路。
8.电感类型、值系列、使用时主要考虑哪些指标、等效电路。
贴片电感的主要供应商。
SRF的含义，不同电感值的SRF频率。
9.射频器件：
射频放大器、Mixer、滤波器、衰减器、3dB桥、隔离器、耦合器、合/分路器、PLLModule、VCO。
主要供应商，每类器件的主要指标，使用过的品牌和型号和指标。
射频放大器的原理图（包括外围电路），外围电路如何取值。
10.射频接收通路系统指标：
接收机灵敏度、接收机动态范围等、抗干扰性能。
接收机灵敏度、接收机动态范围等、抗干扰性能的定义。
你所熟悉的系统的接收机灵敏度公式、接收机灵敏度的值。
你所熟悉的系统的抗干扰性能如何实现。
11.射频发射通道系统指标：
发射功率、杂散要求、信号质量要求。
12.你所熟悉的系统的发射功率、杂散要求、信号质量要求。
13.原理图经验工具软件，网络数，如何检查原理图的正确性，原理图库是否自己做的。
14.PCB设计经验PCB外形尺寸、PCB厚度、线特征阻抗、线特征阻抗是否和频率相关，使用什么工具计算特征阻抗。
15.高速数字信号完整性源端/负载端匹配的原理和PCB上的实现。
降低串扰的要求。
LVDS差分线的阻抗要求和PCB布线要求。
17.单板功耗是多少（做过的单板），如何计算。
18.发光二极管电流计算3.3/5V点发光二极管，二极管电流如何选取，串联电阻值如何选取。
19.芯片资料下载网站哪些网站。
20.产品开发流程（注：
这个问题考官非常重视）产品开发流程描述，都有哪些阶段，每个阶段都要输出什么文档。
单板/产品设计规范文档文档的主要内容有哪些（分为哪几个部分）。
单板/产品实验或测试报告文档文档的主要内容有哪些（分为哪几个部分）。
21.毕业设计（毕业1年以内的应聘者需要答复）文档.文档的主要内容分为哪几个部分。
22.说明使用过哪些仪表，建议采用表格方式描述。
仪表类型品牌型号主要用来做了哪些测试，做过的东西的对应熟练程度
23.软件使用:
说明使用过哪些软件，建议采用表格方式描述。
使用过的软件描述
软件名称用此软件做过什么，做过的东西的对应熟练程度
24.数字通信系统模型一般由哪几部分组成？
25.
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