华南理工数字数逻辑随堂作业.docx
《华南理工数字数逻辑随堂作业.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《华南理工数字数逻辑随堂作业.docx（50页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。
华南理工数字数逻辑随堂作业
第一章
微电子器件基础
·半导体的基础知识
随堂练习提交截止时间：
2020-06-1423:
59:
59
目前页有10题，你已做10题，已提交
10题，此中答对
10题。
1.（单项选择题）
一般而言，自然界中的物质按其导电性能可分为（
）
A导体
B绝缘体
C半导体
D以上都是
答题：
A.
B.
C.
D.（已提交）
参照答案：
D
问题分析：
2.（单项选择题）以下属于半导体的是（）
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
C
问题分析：
3.（单项选择题）半导体资料拥有的独到性能有（）
A热敏性和光敏性B光敏性和混杂性
C热敏性和混杂性D热敏性、光敏性和混杂性
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
D
问题分析：
4.（单项选择题）以下各项中（）是本征半导体
AP型半导体BN型半导体
CPN结D纯净的半导体
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
D
问题分析：
5.（单项选择题）N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（）
A电子B空穴C三价硼元素D五价磷元素
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
D
问题分析：
6.（单项选择题）P型半导体是在本征半导体中加入（）物质后形成的
A电子B.空穴C.三价硼元素D.五价磷元
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
C
问题分析：
7.（单项选择题）按掺入杂质的不一样，杂质半导体分为（）。
A电流型和电压型半导体
B电子型和空穴型半导体
C空穴型和电流型半导体
D电压型和电子型半导体
答题：
A.
B.
C.
D.（已提交）
参照答案：
B
问题分析：
8.（单项选择题）
P型半导体中不可以挪动的杂质离子带负电，说明
P型半导体呈
（）性
A负电
B正电
C电中
D弱负电
答题：
A.
B.
C.
D.（已提交）
参照答案：
C
问题分析：
9.（单项选择题）
在N型半导体中，拥有的载流子的特征为（
）
A电子为多子，空穴为少子
B空穴是多子
电子为少子
C电子和空穴相同多D
电子和空穴都比较少
答题：
A.
B.
C.
D.（已提交）
参照答案：
A
问题分析：
（单项选择题）PN结拥有（
）特征
10.
A正偏
B反偏
C单向
D双向
答题：
A.
B.
C.
D.（已提交）
参照答案：
C
问题分析：
11.（单项选择题）半导体受光照，导电性能（）。
A加强B减弱C不变D先加强后减弱
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
A
问题分析：
12.（单项选择题）半导体中传导电流的载流子是（）。
A电子B空穴
C电子和空穴D以上都不对
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
C
问题分析：
13.（单项选择题）交通讯号灯采纳的是（）管。
A发光二极管B光电二极管
C变容二极管D整流二极管
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
A
问题分析：
14.（单项选择题）对于PN结以下说法正确的选项是：
（）。
APN结是P型，N型半导体混淆制成的
BPN结是P型，N型半导体相接触形成的
CPN结是P型半导体中掺入少许
N型半导体形成的
DPN结是N型半导体中掺入少许
P型半导体形成的
答题：
A.
B.
C.
D.（已提交）
参照答案：
B
问题分析：
15.（单项选择题）
半导体的导电能力（
）
A与导体相同
B与绝缘体相同
C介于导体和绝缘体之间
D比导体好
答题：
A.
B.
C.
D.（已提交）
参照答案：
C
问题分析：
16.（单项选择题）
PN结外加正向电压时，其耗尽层（
）。
A不变
B变宽
C变窄
D没法确立
答题：
A.
B.
C.
D.（已提交）
参照答案：
C
问题分析：
17.（单项选择题）PN结反向偏置时，其内电场被（）
A.削弱B加强
C不变D不确立
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
B
问题分析：
18.（单项选择题）PN结两头加正向电压时，其正向电流是（）而成。
A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
A
问题分析：
第一章微电子器件基础·半导体二极管
随堂练习提交截止时间：
2020-06-1423:
59:
59
目前页有7题，你已做7题，已提交7题，此中答对6题。
1.（单项选择题）半导体二极管的主要特色是拥有（）
A电流放大作用B单导游电性
C电压放大作用D双导游电性
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
B
问题分析：
2.（单项选择题）二极管导通的条件是加在二极管两头的电压（）
A正向电压大于二极管的死区电压B正向电压大于零
C一定加反向电压D以上都不对
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
A
问题分析：
3.（单项选择题）若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的利害，好的管子应为（）
A正、反向电阻相等B正向电阻答，反向电阻小
C反向电阻比正向电阻大好多D正、反向电阻都等于无量大
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
C
问题分析：
4.（单项选择题）二极管反偏时，以下说法正确的选项是（）
A在达到反向击穿电压以前经过电流很小，称为反向饱和电流；
B在达到死区电压以前，反向电流很小；
C二极管反偏必定截止，电流很小，与外加反偏电压大小没关。
D电流向来很小
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
A
问题分析：
5.（单项选择题）把电动势为的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（）。
A、基本正常B、将被击穿C、将被烧坏D、电流为零
答题：
A.
B.
C.
D.（已提交）
参照答案：
A
问题分析：
6.（单项选择题）
当环境温度高升时，二极管的反向饱和电流将增大，是由于此时
PN结内部（
）
A多半载流子浓度增大
B少量载流子增大
C多半载流子浓度减小
D少量载流子减小
答题：
A.
B.
C.
D.（已提交）
参照答案：
B
问题分析：
7.（单项选择题）
用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于
1KΩ，说明该二极管（
）。
A、已经击穿；
B、完满状态；
C、内部老化不通；
D、没法判断。
答题：
A.
B.
C.
D.（已提交）
参照答案：
C
问题分析：
第一章微电子器件基础·双极型晶体管及其开关特征
随堂练习提交截止时间：
2020-06-1423:
59:
59
目前页有10题，你已做10题，已提交10题，此中答对7题。
1.（单项选择题）双极型晶体管是一种（）的半导体器件。
A电压控制B电流控制
C既是电压控制又是电流控制D功率控制
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
A
问题分析：
2.（单项选择题）双极型晶体管要能正常实现放大功能，一定（）
A发射结正偏，集电结反偏B发射结反偏，集电结正偏
C发射结和集电结都正偏D发射结和集电结都反偏
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
A
问题分析：
3.（单项选择题）双极型晶体管在制作工艺上的详细要求为（）
A发射区混杂浓度最高，集电区混杂浓度最低
B发射区混杂浓度最低，集电区混杂浓度最高
C三个区的混杂浓度相同
D基区混杂浓度最高，发射区和集电区混杂浓度相同
答题：
A.
B.
C.
D.（已提交）
参照答案：
A
问题分析：
4.（单项选择题）
三级管工作在截止区，要求（
）
A发射结正偏，集电结正偏
B发射结正偏，集电结反偏
C发射结反偏，集电结正偏
D发射结反偏，集电结反偏
答题：
A.
B.
C.
D.（已提交）
参照答案：
D
问题分析：
5.（单项选择题）
三级管工作在截止区，要求（
）
A发射结正偏，集电结正偏
B发射结正偏，集电结反偏
C发射结反偏，集电结正偏
D发射结反偏，集电结反偏
答题：
A.
B.
C.
D.（已提交）
参照答案：
A
问题分析：
6.（单项选择题）
在数字电路中，双极型晶体管一般工作在（
）状态。
A截止和饱和
B放大和截止
C放大和饱和
D放大、饱和和截止
答题：
A.
B.
C.
D.（已提交）
参照答案：
A
问题分析：
7.（单项选择题）
测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为
VE＝，VB＝，VC＝，说明此三极管处在（
）。
A放大区
B饱和区
C截止区
D反向击穿区
答题：
A.
B.
C.
D.（已提交）
参照答案：
A
问题分析：
8.（单项选择题）三极管超出（）所示极限参数时，必然被破坏。
A集电极最大同意电流
ICM；
B集―射极间反向击穿电压
U（BR）CEO；
C集电极最大同意耗散功率
PCM；
D管子的电流放大倍数
。
答题：
A.
B.
C.D.（已提交）
参照答案：
C
问题分析：
9.（单项选择题）以下选项中，不属三极管的参数是（
A．电流放大系数
）。
B．最大整流电流
C．集电极最大同意电流
D．集电极最大同意耗散功率
答题：
A.
B.
C.D.（已提交）
参照答案：
B
问题分析：
10.（单项选择题）三极管β值是反应（B）能力的参数。
（三极管可改为电流控制电流源）
A．电压控制电压B．电流控制电流
C．电压控制电流D．电流控制电压
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
B
问题分析：
第一章微电子器件基础·场效应管及其开关特征
随堂练习提交截止时间：
2020-06-1423:
59:
59
目前页有
7题，你已做
7题，已提交
7题，此中答对
5题。
1.（单项选择题
）
单极型半导体器件是（
）。
A二极管
B双极型三极管
C场效应管
D稳压管
答题：
A.
B.
C.D.（已提交）
参照答案：
C
问题分析：
2.（单项选择题
）
绝缘栅型场效应管的输入电流（
）。
A较大
B较小
C为零
D没法判断
答题：
A.
B.
C.D.（已提交）
参照答案：
C
问题分析：
3.（）
A非饱和区B饱和区
C截止区D击穿区
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
B
问题分析：
4.（单项选择题）描绘场效应晶体管的输入特征的主要参数是（）。
A漏极电流，压漏-源电压，以栅极电压为参变量
B漏极电流，栅极电压，以楼-源电压为参变量
C基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量
D漏极电流，栅极电流，以漏-源电压为参变量
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
B
问题分析：
5.（单项选择题）场效应晶体管的控制方式是（）
A输入电流控制输出电压B输入电压控制输出电流
C输入电压控制输出电压D输入电流控制输出电流
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
B
问题分析：
6.（单项选择题）场效应晶体管是用（）控制漏极电流的。
A栅源电流B栅源电压
C漏源电流D漏源电压
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
B
问题分析：
7.（单项选择题）场效应管靠（）导电。
A一种载流子B两种载流子
C电子D空穴
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
A
问题分析：
第二章数字逻辑的数学基础·进位计数制
随堂练习提交截止时间：
2020-06-1423:
59:
59
目前页有10题，你已做10题，已提交10题，此中答对9题。
1.（单项选择题）十进制数100对应的二进制数为（）。
A1011110B1100010
C1100100D
答题：
A.
B.
C.D.（已提交）
参照答案：
C
问题分析：
2.（单项选择题
）
数字电路中机器辨别和常用的数制是（
）。
A二进制
B八进制
C十进制
D十六进制
答题：
A.
B.
C.D.（已提交）
参照答案：
A
问题分析：
3.（单项选择题）十进制数93变换为二进制数为（
A1110111B1110101
C1010111D1011101
）。
答题：
A.
B.
C.D.（已提交）
参照答案：
D
问题分析：
4.（单项选择题）十进制数100变换成二进制数是（
A1100010B1100111
C1010111D1100100
）。
答题：
A.
B.
C.D.（已提交）
参照答案：
D
问题分析：
5.（单项选择题）二进制数01001101变换为十进制数为（）。
A45B85
C77D75
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
C
问题分析：
6.（单项选择题）以下不一样数制表示的数中，最大的是（）。
A95HBBCD
C96DD01100100B
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
A
问题分析：
7.（单项选择题）进位计数制包含______两个因素。
A基数和权数
B基数和位数
C位数和权数
D进制和基数
答题：
A.
B.
C.
D.（已提交）
参照答案：
A
问题分析：
8.（单项选择题）
7.进位计数制中最简单的是（
）
A二进制
B八进制
C十进制
D十六进制
答题：
A.
B.
C.
D.（已提交）
参照答案：
A
问题分析：
9.（单项选择题）
在进位计数制中，
“基数”是指（
）
A一个数位同意使用的最大数码
B一个数位同意使用的数码个数
C确立一个数位实质数值的因子
D与一个数位数值相关的常数
答题：
A.
B.
C.
D.（已提交）
参照答案：
B
问题分析：
10.（单项选择题）进位计数制中使用的基本数码个数被称为（）。
A基数B尾数
C阶码D位权
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
A
问题分析：
第二章数字逻辑的数学基础·进位计数制
随堂练习提交截止时间：
2020-06-1423:
59:
59
目前页有1题，你已做1题，已提交1题，此中答对1题。
11.（单项选择题）在进位计数制中，当某一位的值达到某个固定量时，就要向高位产生进位，这个固定量就是该种进位计数制
的（）。
A尾数B原码
C基数D阶码
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
C
问题分析：
第二章数字逻辑的数学基础·带符号数的表示
随堂练习提交截止时间：
2020-06-1423:
59:
59
目前页有4题，你已做4题，已提交4题，此中答对4题。
1.（单项选择题）[＋56]的补码是（）。
A00111000BBB
C01000111BD01001000B
答题：
A.
B.
C.
D.（已提交）
参照答案：
D
问题分析：
2.（单项选择题）
对于正数，其原码，反码和补码是（
）。
A一致的
B不一致的
C互为相反的
D互为相补的
答题：
A.
B.
C.
D.（已提交）
参照答案：
A
问题分析：
3.（单项选择题）
已知8
位机器码是，若其为补码时，表示的十进制真值是（
）。
A
-76
B
-74
C
74
D
76
答题：
A.
B.
C.
D.（已提交）
参照答案：
A
问题分析：
4.（单项选择题）
负数的补码是在原码的基础上（
）
A按位取反
B按位取反加1
C按位取反减
1
D与原码相同
答题：
A.
B.
C.
D.（已提交）
参照答案：
B
问题分析：
第二章数字逻辑的数学基础·数的编码表示
随堂练习提交截止时间：
2020-06-1423:
59:
59
目前页有4题，你已做4题，已提交4题，此中答对2题。
1.（单项选择题）ASCII码是表示（）的代码。
A汉字B标点符号
C英文字符D制表符
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
C
问题分析：
2.（单项选择题）在数的编码中，（）是有权码。
A8421BCD编码
B余3码
C格雷码D8421BCD码和余3码
答题：
A.
B.
C.
D.（已提交）
参照答案：
A
问题分析：
3.（单项选择题）（100001101001）余3BCD变换成十进制数是（
）。
A536
B869
C2153
D263
答题：
A.
B.
C.
D.（已提交）
参照答案：
A
问题分析：
4.（单项选择题）（001110010001）8421BCD变换成十进制数是（
）。
A913
B391
C623
D390
答题：
A.
B.
C.
D.（已提交）
参照答案：
B
问题分析：
第二章数字逻辑的数学基础·逻辑代数
随堂练习提交截止时间：
2020-06-1423:
59:
59
目前页有6题，你已做6题，已提交6题，此中答对6题。
1.（单项选择题）履行以下逻辑加运算（即逻辑或运算）V01001010，其结果是（）。
ABCD
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
B
问题分析：
2.（单项选择题）履行以下二进制数算术加法运算+00101010，其结果是（）。
AB
CD00101010
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
A
问题分析：
3.（单项选择题）对于卡诺图，以下说法正确的选项是（）。
A卡诺图是用来化简逻辑表达式的有效手段
B卡诺图化简逻辑表达式时，只好归并卡诺图中的
1
C卡诺图化简逻辑表达式时，只好归并卡诺图中的0
D卡诺图能减少逻辑错误
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参照答案：
A
问题分析：
4.（单项选择题
升级会员 