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华南理工数字数逻辑随堂作业.docx

1、华南理工数字数逻辑随堂作业第一章微电子器件基础 半导体的基础知识随堂练习提交截止时间:2020-06-14 23:59:59目前页有 10 题,你已做 10 题,已提交10 题,此中答对10 题。1.(单项选择题 )一般而言,自然界中的物质按其导电性能可分为()A 导体B 绝缘体C 半导体D 以上都是答题:A.B.C.D. (已提交)参照答案: D问题分析:2.(单项选择题 ) 以下属于半导体的是()答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: C问题分析:3.(单项选择题 ) 半导体资料拥有的独到性能有( )A 热敏性和光敏性 B 光敏性和混杂性C 热敏性和混杂性 D 热敏性、光敏性

2、和混杂性答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: D问题分析:4.(单项选择题 ) 以下各项中( )是本征半导体A P 型半导体 B N 型半导体C PN结 D 纯净的半导体答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: D问题分析:5.(单项选择题 ) N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( )A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: D问题分析:6.(单项选择题 ) P 型半导体是在本征半导体中加入( )物质后形成的A 电子 B.空穴 C.三价硼元素 D.五价磷元答题: A. B. C. D. (已

3、提交)参照答案: C问题分析:7.(单项选择题 ) 按掺入杂质的不一样,杂质半导体分为()。A 电流型和电压型半导体B 电子型和空穴型半导体C 空穴型和电流型半导体D 电压型和电子型半导体答题:A.B.C.D. (已提交)参照答案: B问题分析:8.(单项选择题 )P 型半导体中不可以挪动的杂质离子带负电,说明P 型半导体呈( )性A 负电B 正电C 电中D 弱负电答题:A.B.C.D. (已提交)参照答案: C问题分析:9.(单项选择题 )在 N 型半导体中,拥有的载流子的特征为()A 电子为多子,空穴为少子B 空穴是多子电子为少子C 电子和空穴相同多D电子和空穴都比较少答题:A.B.C.D

4、. (已提交)参照答案: A问题分析:(单项选择题 ) PN 结拥有()特征10.A 正偏B 反偏C 单向D 双向答题:A.B.C.D. (已提交)参照答案: C问题分析:11.( 单项选择题 ) 半导体受光照,导电性能( )。A 加强 B 减弱 C 不变 D 先加强后减弱答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: A问题分析:12.( 单项选择题 ) 半导体中传导电流的载流子是( )。A电子 B空穴C 电子和空穴 D 以上都不对答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: C问题分析:13.( 单项选择题 ) 交通讯号灯采纳的是 ( )管。A 发光二极管 B 光电二极管C

5、变容二极管 D 整流二极管答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: A问题分析:14.( 单项选择题 ) 对于 PN 结以下说法正确的选项是:()。A PN 结是 P 型, N 型半导体混淆制成的B PN 结是 P 型, N 型半导体相接触形成的C PN结是 P 型半导体中掺入少许N 型半导体形成的D PN 结是 N 型半导体中掺入少许P 型半导体形成的答题:A.B.C.D. (已提交)参照答案: B问题分析:15.( 单项选择题 )半导体的导电能力()A 与导体相同B 与绝缘体相同C 介于导体和绝缘体之间D 比导体好答题:A.B.C.D. (已提交)参照答案: C问题分析:16.

6、( 单项选择题 )PN 结外加正向电压时,其耗尽层()。A 不变B 变宽C 变窄D 没法确立答题:A.B.C.D. (已提交)参照答案: C问题分析:17.( 单项选择题 ) PN 结反向偏置时,其内电场被( )A.削弱 B 加强C不变 D不确立答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: B问题分析:18.( 单项选择题 ) PN 结两头加正向电压时,其正向电流是( )而成。A、多子扩散; B、少子扩散; C、少子漂移; D、多子漂移。答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: A问题分析:第一章 微电子器件基础 半导体二极管随堂练习提交截止时间: 2020-06-14 2

7、3:59:59目前页有 7 题,你已做 7 题,已提交 7 题,此中答对 6 题。1.(单项选择题 ) 半导体二极管的主要特色是拥有( )A 电流放大作用 B 单导游电性C 电压放大作用 D 双导游电性答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: B问题分析:2.(单项选择题 ) 二极管导通的条件是加在二极管两头的电压( )A 正向电压大于二极管的死区电压 B 正向电压大于零C 一定加反向电压 D 以上都不对答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: A问题分析:3.(单项选择题 ) 若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的利害,好的管子应为( )A 正、反向电阻

8、相等 B 正向电阻答,反向电阻小C 反向电阻比正向电阻大好多 D 正、反向电阻都等于无量大答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: C问题分析:4.(单项选择题 ) 二极管反偏时,以下说法正确的选项是( )A在达到反向击穿电压以前经过电流很小,称为反向饱和电流;B在达到死区电压以前,反向电流很小;C二极管反偏必定截止,电流很小,与外加反偏电压大小没关。D电流向来很小答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: A问题分析:5.(单项选择题 ) 把电动势为的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管的负极,则该管( )。A、基本正常 B、将被击穿 C、将被烧

9、坏 D、电流为零答题:A.B.C.D. (已提交)参照答案: A问题分析:6.(单项选择题 )当环境温度高升时,二极管的反向饱和电流将增大,是由于此时PN 结内部()A 多半载流子浓度增大B 少量载流子增大C 多半载流子浓度减小D 少量载流子减小答题:A.B.C.D. (已提交)参照答案: B问题分析:7.(单项选择题 )用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1K,说明该二极管()。A、已经击穿;B、完满状态;C、内部老化不通;D、没法判断。答题:A.B.C.D. (已提交)参照答案: C问题分析:第一章 微电子器件基础 双极型晶体管及其开关特征随堂练习提交截止时间: 2020-06

10、-14 23:59:59目前页有 10 题,你已做 10 题,已提交 10 题,此中答对 7 题。1.(单项选择题 ) 双极型晶体管是一种()的半导体器件。A 电压控制 B 电流控制C 既是电压控制又是电流控制 D 功率控制答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: A问题分析:2.(单项选择题 ) 双极型晶体管要能正常实现放大功能,一定( )A 发射结正偏,集电结反偏 B 发射结反偏,集电结正偏C 发射结和集电结都正偏 D 发射结和集电结都反偏答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: A问题分析:3.(单项选择题 ) 双极型晶体管在制作工艺上的详细要求为( )A发射区混

11、杂浓度最高,集电区混杂浓度最低B发射区混杂浓度最低,集电区混杂浓度最高C三个区的混杂浓度相同D基区混杂浓度最高,发射区和集电区混杂浓度相同答题:A.B.C.D. (已提交)参照答案: A问题分析:4.(单项选择题 )三级管工作在截止区,要求()A 发射结正偏,集电结正偏B 发射结正偏,集电结反偏C 发射结反偏,集电结正偏D 发射结反偏,集电结反偏答题:A.B.C.D. (已提交)参照答案: D问题分析:5.(单项选择题 )三级管工作在截止区,要求()A 发射结正偏,集电结正偏B 发射结正偏,集电结反偏C 发射结反偏,集电结正偏D 发射结反偏,集电结反偏答题:A.B.C.D. (已提交)参照答案

12、: A问题分析:6.(单项选择题 )在数字电路中,双极型晶体管一般工作在()状态。A 截止和饱和B 放大和截止C 放大和饱和D 放大、饱和和截止答题:A.B.C.D. (已提交)参照答案: A问题分析:7.(单项选择题 )测得 NPN 型三极管上各电极对地电位分别为VE, VB, VC,说明此三极管处在()。A 放大区B 饱和区C 截止区D 反向击穿区答题:A.B.C.D. (已提交)参照答案: A问题分析:8.(单项选择题 ) 三极管超出( )所示极限参数时,必然被破坏。A 集电极最大同意电流ICM;B 集 射极间反向击穿电压U( BR) CEO;C 集电极最大同意耗散功率PCM;D 管子的

13、电流放大倍数。答题:A.B.C. D. (已提交)参照答案: C问题分析:9.(单项选择题 ) 以下选项中,不属三极管的参数是(A电流放大系数)。B最大整流电流C集电极最大同意电流D集电极最大同意耗散功率答题:A.B.C. D. (已提交)参照答案: B问题分析:10.(单项选择题 ) 三极管 值是反应( B )能力的参数。(三极管可改为电流控制电流源)A电压控制电压 B电流控制电流C电压控制电流 D电流控制电压答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: B问题分析:第一章 微电子器件基础 场效应管及其开关特征随堂练习提交截止时间: 2020-06-14 23:59:59目前页有7

14、题,你已做7 题,已提交7 题,此中答对5 题。1.(单项选择题)单极型半导体器件是()。A 二极管B 双极型三极管C 场效应管D 稳压管答题:A.B.C. D. (已提交)参照答案:C问题分析:2.(单项选择题)绝缘栅型场效应管的输入电流()。A 较大B 较小C 为零D 没法判断答题:A.B.C. D. (已提交)参照答案: C问题分析:3.( )A 非饱和区 B 饱和区C 截止区 D 击穿区答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: B问题分析:4.(单项选择题 ) 描绘场效应晶体管的输入特征的主要参数是( )。A 漏极电流,压漏 -源电压,以栅极电压为参变量B 漏极电流,栅极电

15、压,以楼 -源电压为参变量C基极电压,集电极电流,以集电极电压为参变量D漏极电流,栅极电流,以漏 -源电压为参变量答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: B问题分析:5.(单项选择题 ) 场效应晶体管的控制方式是()A 输入电流控制输出电压 B 输入电压控制输出电流C 输入电压控制输出电压 D 输入电流控制输出电流答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: B问题分析:6.(单项选择题 ) 场效应晶体管是用 ( )控制漏极电流的。A 栅源电流 B 栅源电压C 漏源电流 D 漏源电压答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: B问题分析:7.(单项选择题 ) 场

16、效应管靠 ( )导电。A 一种载流子 B 两种载流子C电子 D 空穴答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: A问题分析:第二章 数字逻辑的数学基础 进位计数制随堂练习提交截止时间: 2020-06-14 23:59:59目前页有 10 题,你已做 10 题,已提交 10 题,此中答对 9 题。1.(单项选择题 ) 十进制数 100 对应的二进制数为( )。A 1011110 B 1100010C 1100100 D答题:A.B.C. D. (已提交)参照答案: C问题分析:2.(单项选择题)数字电路中机器辨别和常用的数制是()。A 二进制B 八进制C 十进制D 十六进制答题:A.

17、B.C. D. (已提交)参照答案:A问题分析:3.(单项选择题 ) 十进制数 93 变换为二进制数为(A 1110111 B 1110101C 1010111 D 1011101)。答题:A.B.C. D. (已提交)参照答案: D问题分析:4.(单项选择题 ) 十进制数 100 变换成二进制数是(A 1100010 B 1100111C 1010111 D 1100100)。答题:A.B.C. D. (已提交)参照答案: D问题分析:5.(单项选择题 ) 二进制数 01001101 变换为十进制数为( )。A 45 B 85C77 D 75答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案

18、: C问题分析:6.(单项选择题 ) 以下不一样数制表示的数中,最大的是( )。A 95H B BCDC 96D D 01100100B答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: A问题分析:7.(单项选择题 ) 进位计数制包含 _ 两个因素。A 基数和权数B 基数和位数C 位数和权数D 进制和基数答题:A.B.C.D. (已提交)参照答案: A问题分析:8.(单项选择题 )7. 进位计数制中最简单的是()A 二进制B 八进制C 十进制D 十六进制答题:A.B.C.D. (已提交)参照答案: A问题分析:9.(单项选择题 )在进位计数制中,“基数 ”是指()A 一个数位同意使用的最大

19、数码B 一个数位同意使用的数码个数C 确立一个数位实质数值的因子D 与一个数位数值相关的常数答题:A.B.C.D. (已提交)参照答案: B问题分析:10.(单项选择题 ) 进位计数制中使用的基本数码个数被称为 ()。A基数 B尾数C阶码 D 位权答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: A问题分析:第二章 数字逻辑的数学基础 进位计数制随堂练习提交截止时间: 2020-06-14 23:59:59目前页有 1 题,你已做 1 题,已提交 1 题,此中答对 1 题。11.(单项选择题 ) 在进位计数制中,当某一位的值达到某个固定量时,就要向高位产生进位,这个固定量就是该种进位计数制

20、的( )。A尾数 B原码C基数 D阶码答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: C问题分析:第二章 数字逻辑的数学基础 带符号数的表示随堂练习提交截止时间: 2020-06-14 23:59:59目前页有 4 题,你已做 4 题,已提交 4 题,此中答对 4 题。1.(单项选择题 ) 56 的补码是( )。A 00111000B B BC 01000111B D 01001000B答题:A.B.C.D. (已提交)参照答案: D问题分析:2.(单项选择题 )对于正数,其原码,反码和补码是()。A 一致的B 不一致的C 互为相反的D 互为相补的答题:A.B.C.D. (已提交)参照答

21、案: A问题分析:3.(单项选择题 )已知 8位机器码是,若其为补码时,表示的十进制真值是()。A-76B-74C74D76答题:A.B.C.D. (已提交)参照答案: A问题分析:4.(单项选择题 )负数的补码是在原码的基础上()A 按位取反B 按位取反加 1C 按位取反减1D 与原码相同答题:A.B.C.D. (已提交)参照答案: B问题分析:第二章 数字逻辑的数学基础 数的编码表示随堂练习提交截止时间: 2020-06-14 23:59:59目前页有 4 题,你已做 4 题,已提交 4 题,此中答对 2 题。1.(单项选择题 ) ASCII码是表示( )的代码。 A 汉字 B 标点符号C

22、 英文字符 D 制表符答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: C问题分析:2.(单项选择题 ) 在数的编码中,() 是有权码。A 8421BCD 编码B余3码C 格雷码 D 8421BCD 码和余 3 码答题:A.B.C.D. (已提交)参照答案: A问题分析:3.(单项选择题 ) ( 1000 0110 1001 )余 3BCD 变换成十进制数是()。A 536B 869C 2153D 263答题:A.B.C.D. (已提交)参照答案: A问题分析:4.(单项选择题 ) ( 0011 1001 0001 ) 8421BCD 变换成十进制数是()。A 913B 391C 623D

23、 390答题:A.B.C.D. (已提交)参照答案: B问题分析:第二章 数字逻辑的数学基础 逻辑代数随堂练习提交截止时间: 2020-06-14 23:59:59目前页有 6 题,你已做 6 题,已提交 6 题,此中答对 6 题。1.(单项选择题 ) 履行以下逻辑加运算(即逻辑或运算) V01001010 ,其结果是( )。AB C D答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: B问题分析:2.(单项选择题 ) 履行以下二进制数算术加法运算 +00101010 ,其结果是( )。A BC D 00101010答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: A问题分析:3.(单项选择题 ) 对于卡诺图,以下说法正确的选项是( )。A卡诺图是用来化简逻辑表达式的有效手段B 卡诺图化简逻辑表达式时,只好归并卡诺图中的1C 卡诺图化简逻辑表达式时,只好归并卡诺图中的 0D卡诺图能减少逻辑错误答题: A. B. C. D. (已提交)参照答案: A问题分析:4.(单项选择题

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