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电子元器件

电子元器件分类

⑴继电器

|温度继电器|真空继电器时间继电器|混合电子继电器延时继电器|其他继电器

⑵二极管

|开关二极管|普通二极管稳压二极管|肖特基二极管双向触发二极管

激光二极管|变容二极管|检波二极管其他二极管

⑶三极管

|带阻三极管|磁敏三极管开关晶体管|闸流晶体管中高频放大三极管|

低噪声放大三极管低频、高频、微波功率晶体管|开关三极管光敏三极管|

功率开关晶体管|其他三极管

⑷电子专用材料

⑸电容器

|玻璃釉电容器有机薄膜电容器|导电塑料电位器|红外热敏电阻|气敏电阻器

|陶瓷电容器|钽电容器纸介电容器|电子电位器磁敏电阻/电位器|湿敏电阻器

|光敏电阻/电位器|固定电阻器可变电阻器|排电阻器热敏电阻器|熔断电阻器

|其它电阻/电位器

⑹连接器

|端子|线束|卡座|IC插座|光纤连接器|接线柱|电缆连接器|印刷板连接器

|电脑连接器手机连接器|端子台、接线座其他连接器

⑺电位器

单圈、多圈电位器单连、双连电位器|带开关电位器|线绕电位器|其他电位器

⑻保险元器件

⑼传感器

|位移传感器|视觉、图像传感器其他传感器

⑽电感器

⑾电声器件

|扬声器|传声器|拾音器|送话器|受话器|蜂鸣器

⑿电声配件

|盆架|电声喇叭|防尘盖|音膜、振膜|其他电声配件|T铁|磁钢|弹波

|鼓纸|压边|电声网罩

⒀频率元件

|分频器|振荡器|滤波器|谐振器|调频器|鉴频器其他频率元件

⒁开关元件

|可控硅|光耦|干簧管|其他开关元件

⒂光电与显示器件

|显示管|显象管|指示管示波管|摄像管|投影管光电管|发射器件|其他光电与显示器件

⒃磁性元器件

⒄集成电路

⒅电子五金件

|触点|触片|探针|铁心|其他电子五金件

⒆显示器件

⒇蜂鸣器

2、质量方面现在国际上面有中国的CQC认证，美国的UL和CUL认证，德国的VDE和TUV以及欧盟的CE等国内外认证，来保证元器件的合

单结晶体管工作原理

单结晶体管（简称UJT）（unijunctiontransistor又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。

在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。

一、单结晶体管的特性从图1可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻：

rbb=rb1+rb2式中：

rb1----第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流ie而变化，rb2为第二基极与发射结之间的电阻，其数值与ie无关；发射结是PN结，与二极管等效。

若在两面三刀基极b2、b1间加上正电压Vbb，则A点电压为：

VA=[rb1/（rb1+rb2）]vbb=（rb1/rbb）vbb=ηVbb式中：

η----称为分压比，其值一般在0.3---0.85之间，如果发射极电压VE由零逐渐增加，就可测得单结晶体管的伏安特性二、单结晶体管的主要参数

（1）基极间电阻Rbb发射极开路时，基极b1、b2之间的电阻，一般为2--10千欧，其数值随温度上升而增大。

（2）分压比η由管子内部结构决定的常数，一般为0.3--0.85。

（3）eb1间反向电压Vcb1b2开路，在额定反向电压Vcb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。

（4）反向电流Ieob1开路，在额定反向电压Vcb2下，eb2间的反向电流。

（5）发射极饱和压降Veo在最大发射极额定电流时，eb1间的压降。

（6）峰点电流Ip单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流

可控硅（SiliconControlledThyristor）

晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电器公司开发出世界上第一晶闸管产品，并于1958年使其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：

阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：

加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：

快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。

它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。

晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。

就是一个用在电路里面的开关，可以经受很大的电压和电流。

上千安培和上千伏特。

今天大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极：

第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。

从晶闸管的电路符号可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成

当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。

此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。

因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。

此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。

这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。

由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。

由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化

光电耦合器原理及应用

光电耦合器是以光为媒介传输电信号的一种电一光一电转换器件。

它由发光源和受光器两部分组成。

把发光源和受光器组装在同一密闭的壳体内，彼此间用透明绝缘体隔离。

发光源的引脚为输入端，受光器的引脚为输出端，常见的发光源为发光二极管，受光器为光敏二极管、光敏三极管等等。

光电耦合器的种类较多，常见有光电二极管型、光电三极管型、光敏电阻型、光控晶闸管型、光电达林顿型、集成电路型等。

工作原理

在光电耦合器输入端加电信号使发光源发光，光的强度取决于激励电流的大小，此光照射到封装在一起的受光器上后，因光电效应而产生了光电流，由受光器输出端引出，这样就实现了电一光一电的转换。

基本工作特性（以光敏三极管为例）

1、共模抑制比很高

在光电耦合器内部，由于发光管和受光器之间的耦合电容很小（2pF以内）所以共模输入电压通过极间耦合电容对输出电流的影响很小，因而共模抑制比很高。

2、输出特性

光电耦合器的输出特性是指在一定的发光电流IF下，光敏管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的关系，当IF=0时，发光二极管不发光，此时的光敏晶体管集电极输出电流称为暗电流，一般很小。

当IF>0时，在一定的IF作用下，所对应的IC基本上与VCE无关。

IC与IF之间的变化成线性关系，用半导体管特性图示仪测出的光电耦合器的输出特性与普通晶体三极管输出特性相似。

D、C、E三根线分别对应B、C、E极，接在仪器插座上。

3、光电耦合器可作为线性耦合器使用。

在发光二极管上提供一个偏置电流，再把信号电压通过电阻耦合到发光二极管上，这样光电晶体管接收到的是在偏置电流上增、减变化的光信号，其输出电流将随输入的信号电压作线性变化。

光电耦合器也可工作于开关状态，传输脉冲信号。

在传输脉冲信号时，输入信号和输出信号之间存在一定的延迟时间，不同结构的光电耦合器输入、输出延迟时间相差很大。

光电耦合器的测试

1、用万用表判断好坏，断开输入端电源，用R×1k档测1、2脚电阻，正向电阻为几百欧，反向电阻几十千欧，3、4脚间电阻应为无限大。

1、2脚与3、4脚间任意一组，阻值为无限大，输入端接通电源后，3、4脚的电阻很小。

调节RP，3、4间脚电阻发生变化，说明该器件是好的。

注：

不能用R×10k档，否则导致发射管击穿。

2、简易测试电路，当接通电源后，LED不发光，按下SB，LED会发光，调节RP、LED的发光强度会发生变化，说明被测光电耦合器是好的。

光电耦合器具体应用

1.组成开关电路

当输入信号ui为低电平时，晶体管V1处于截止状态，光电耦合器B1中发光二极管的电流近似为零，输出端Q11、Q12间的电阻很大，相当于开关“断开”；当ui为高电平时，v1导通，B1中发光二极管发光，Q11、Q12间的电阻变小，相当于开关“接通”．该电路因Ui为低电平时，开关不通，故为高电平导通状态．反之，因无信号（Ui为低电平）时，开关导通，故为低电平导通状态．

2．组成逻辑电路

图3电路为“与门”逻辑电路。

其逻辑表达式为P=A．B.图中两只光敏管串联，只有当输入逻辑电平A=1、B=1时，输出P=1．同理，还可以组成“或门”、“与非门”、“或非门”等逻辑电路．

3．组成隔离耦合电路

电路如图4所示．这是一个典型的交流耦合放大电路．适当选取发光回路限流电阻Rl，使B4的电流传输比为一常数，即可保证该电路的线性放大作用。

4．组成高压稳压电路

电略如图5所示．驱动管需采用耐压较高的晶体管（图中驱动管为3DG27）。

当输出电压增大时，V55

的偏压增加，B5中发光二极管的正向电流增大，使光敏管极间电压减小，调整管be结偏压降低而内阻增大，使输出电压降低，而保持输出电压的稳定．

5.组成门厅照明灯自动控制电路

电路如图6所示。

A是四组模拟电子开关（S1~S4）：

S1，S2，S3并联（可增加驱动功率及抗干扰能力）用于延时电路，当其接通电源后经R4，B6驱动双向可控硅VT，VT直接控制门厅照明灯H；S4与外接光敏电阻Rl等构成环境光线检测电路。

当门关闭时，安装在门框上的常闭型干簧管KD受到门上磁铁作用，其触点断开，S1，S2，S3处于数据开状态。

晚间主人回家打开门，磁铁远离KD，KD触点闭合。

此时9V电源整流后经R1向C1充电，C1两端电压很快上升到9V，整流电压经S1，S2，S3和R4使B6内发光管发光从而触发双向可控硅导通，VT亦导通，H点亮，实现自动照明控制作用。

房门关闭后，磁铁控制KD，触点断开，9V电源停止对C1充电，电路进入延时状态。

C1开始对R3放电，经一段时间延迟后，C1两端电压逐渐下降到S1，S2，S3的开启电压（1.5v）以下，S1，S2，S3恢复断开状态，导致B6截止，VT亦截止，H熄来，实现延时关灯功能。

霍尔开关与普通接近开关有什么区别

主要区别是：

霍尔接近开关的检测对象必须是磁性物体。

1、涡流式接近开关

这种开关有时也叫电感式接近开关。

它是利用导电物体在接近这个能产生电磁场接近开关时，使物体内部产生涡流。

这个涡流反作用到接近开关，使开关内部电路参数发生变化，由此识别出有无导电物体移近，进而控制开关的通或断。

这种接近开关所能检测的物体必须是导电体。

2、电容式接近开关

这种开关的测量通常是构成电容器的一个极板，而另一个极板是开关的外壳。

这个外壳在测量过程中通常是接地或与设备的机壳相连接。

当有物体移向接近开关时，不论它是否为导体，由于它的接近，总要使电容的介电常数发生变化，从而使电容量发生变化，使得和测量头相连的电路状态也随之发生变化，由此便可控制开关的接通或断开。

这种接近开关检测的对象，不限于导体，可以绝缘的液体或粉状物等。

3、霍尔接近开关

霍尔元件是一种磁敏元件。

利用霍尔元件做成的开关，叫做霍尔开关。

当磁性物件移近霍尔开关时，开关检测面上的霍尔元件因产生霍尔效应而使开关内部电路状态发生变化，由此识别附近有磁性物体存在，进而控制开关的通或断。

这种接近开关的检测对象必须是磁性物体。

4、光电式接近开关

利用光电效应做成的开关叫光电开关。

将发光器件与光电器件按一定方向装在同一个检测头内。

当有反光面（被检测物体）接近时，光电器件接收到反射光后便在信号输出，由此便可“感知”有物体接近。

5、热释电式接近开关

用能感知温度变化的元件做成的开关叫热释电式接近开关。

这种开关是将热释电器件安装在开关的检测面上，当有与环境温度不同的物体接近时，热释电器件的输出便变化，由此便可检测出有物体接近。

6、其它型式的接近开关

当观察者或系统对波源的距离发生改变时，接近到的波的频率会发生偏移，这种现象称为多普勒效应。

声纳和雷达就是利用这个效应的原理制成的。

利用多普勒效应可制成超声波接近开关、微波接近开关等。

当有物体移近时，接近开关接收到的反射信号会产生多普勒频移，由此可以识别出有无物体接近。

半导体器件型号及命名

半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。

五个部分意义如下：

第一部分：

用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管

第二部分：

用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时：

A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：

A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：

用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管（F<3MHz,Pc<1W）、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：

用数字表示序号

第五部分：

用汉语拼音字母表示规格号

例如：

3DG18表示NPN型硅材料高频三极管

2、日本半导体分立器件型号命名方法

日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。

通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：

第一部分：

用数字表示器件有效电极数目或类型。

0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分：

日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：

用字母表示器件使用材料极性和类型。

A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。

第四部分：

用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。

两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。

第五部分：

用字母表示同一型号的改进型产品标志。

A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

3、美国半导体分立器件型号命名方法

美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。

美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：

第一部分：

用符号表示器件用途的类型。

JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。

第二部分：

用数字表示pn结数目。

1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。

第三部分：

美国电子工业协会（EIA）注册标志。

N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。

第四部分：

美国电子工业协会登记顺序号。

多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。

第五部分：

用字母表示器件分档。

A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。

如：

JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。

4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法

德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。

这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：

第一部分：

用字母表示器件使用的材料。

A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料

第二部分：

用字母表示器件的类型及主要特征。

A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。

第三部分：

用数字或字母加数字表示登记号。

三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。

第四部分：

用字母对同一类型号器件进行分档。

A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。

除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。

常见后缀如下：

1、稳压二极管型号的后缀。

其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。

3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。

如：

BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。

5、欧洲早期半导体分立器件型号命名法

欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。

第一部分：

O-表示半导体器件

第二部分：

A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。

第三部分：

多位数字-表示器件的登记序号。

第四部分：

A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。

关于“材料与极性Pcm（W）Icm（mA）BVcbo（V）ft（MHz）”给你解释一下

如：

SI-NPN0.12045>100

意为三极管为硅材料、NPN结、标称功率为0.1W、工作电流为20mA、耐压45V、工作频率大于100MHz。

半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。

五个部分意义如下：

第一部分：

用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管

第二部分：

用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时：

A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：

A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：

用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

第四部分：

用数字表示序号

第五部分：

用汉语拼音字母表示规格号

例如：

3DG18表示NPN型硅材料高频三极管

2、日本半导体分立器件型号命名方法

日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。

通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：

第一部分：

用数字表示器件有效电极数目或类型。

第二部分：

日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登

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