存储器及其接口.docx
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存储器及其接口
一、分类
按元件组成:
半导体M,磁性材料存储器(磁芯),
激光存储器
按工作性质:
内存储器:
速度快,容量小(64K〜8Gbyte)
外存储器:
速度慢,容量大(20MB〜640GB)
二、半导体存储分类
RAM
SRAM静态
DRAM动态
IRAM集成动态
ROM
掩膜ROM
PROM可编程
EPROM可改写
EPROM可电擦除
三、内存储器性能指标
1.容量M可容纳的二进制信息量,总位数。
总位数=字数×字长bit,byte,word
2.存取速度
内存储器从接受地址码,寻找内存单元开始,到它
取出或存入数据为止所需的时间,TA。
TA越小,计算机内存工作速度愈高,半导体M存储
时间为几十ns〜几百nsns=mus
3.功耗
维持功耗操作功耗
CMOSNMOSTTLECL
(低功耗.集成度高)(高速.昂贵.功耗高)
4、可靠性
平均故障间隔时间
MTBF(MeanTimeBetweenFailures)
越长,可靠性越高.跟抗电磁场和温度变化的能力有关.
5、集成度
位/片1K位/片〜1M位/片
在一块芯片上能集成多少个基本存储电路
(即一个二进制位)
四、存储器的基本结构
随机存储器RAM或读写存储器
一、基本组成结构
存储矩阵
寄存二进制信息的基本存储单元的集合体,为便于读写,基本存储单元都排列成一定的阵列,且进行编址。
N×1—位结构:
常用于较大容量的SRAM,DRAM
N×4
N×8—字结构常用于较小容量的静态SRAM
2、地址译码器
它接收来自CPU的地址信号,产生地址译码信号。
选中
存储矩阵中某一个或几个基本存储单元进行读/写操作
两种编址方式:
单译码编址方式.双译码编址方式
(字结构M)(复合译码)
存储容量