半导体物理器件设计报告 晶体管的开关特性.docx

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半导体物理器件设计报告晶体管的开关特性

半导体物理器件

设计报告

班级：

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成员：

课题：

晶体管的开关特性

前言：

晶体管开关电路的输出回路受到输入回路的控制，且当输入一个正的脉冲电压时，集电极将输出一个放大了的负脉冲电压。

所以晶体管适宜做开关。

一．理想开关应有如下直流特征：

1.输出端受输入信号的控制而处于导通或关断两种状态之一

2.导通时开关上的电压为0。

3.关断时流过开关的电流为0。

4.输入端及开关本身均不消耗功率。

二．实际晶体管与理想开关的区别：

1.开态时，Vce虽很小但不为0.

2.关态时，Ic虽很小但也不为0.

三．晶体管的开关特性：

1.静态特性：

晶体管处于开态或关态时端电流电压之间关系。

（静态参数：

临界饱和电流增益，饱和深度，开态阻抗，关态阻抗）

2.晶体管在开态和关态之间转换时，端电流电压随时间变化的特性。

（延迟时间，上升时间，储存时间，下降时间）

四．晶体管开关电路图

五．静态特性。

六．动态特性.

晶体管的开关过程

七．饱和开关的优点：

1.导通状态时压降很小，因此晶体管的功率很小。

2.抗干扰性好。

八．总结

关态工作点可能在截至区，也可能在工作区；开态工作在饱和区或工作区。

开态时晶体管饱和的开关电路称饱和开关，工作在放大区则称非饱和开关。

晶体管开关不是理想开关，关态工作在截至区，导通时饱和是最接近于理想开关的工作模式，同其他模式比，截至区的集电极电流最小。

关态阻抗最高，饱和工作的晶体管压降最小，开态阻抗最低。