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半导体物理器件设计报告 晶体管的开关特性.docx

1、半导体物理器件设计报告 晶体管的开关特性半导体物理器件设计报告班级:组名:成员:课题:晶体管的开关特性前言:晶体管开关电路的输出回路受到输入回路的控制,且当输入一个正的脉冲电压时,集电极将输出一个放大了的负脉冲电压。所以晶体管适宜做开关。一理想开关应有如下直流特征: 1.输出端受输入信号的控制而处于导通或关断两种状态之一 2.导通时开关上的电压为0。 3.关断时流过开关的电流为0。 4.输入端及开关本身均不消耗功率。二实际晶体管与理想开关的区别: 1.开态时,Vce虽很小但不为0. 2.关态时,Ic虽很小但也不为0.三晶体管的开关特性:1. 静态特性:晶体管处于开态或关态时端电流电压之间关系。

2、(静态参数:临界饱和电流增益,饱和深度,开态阻抗,关态阻抗)2. 晶体管在开态和关态之间转换时,端电流电压随时间变化的特性。(延迟时间,上升时间,储存时间,下降时间)四晶体管开关电路图 五静态特性。 六动态特性.晶体管的开关过程 七饱和开关的优点: 1.导通状态时压降很小,因此晶体管的功率很小。 2.抗干扰性好。八总结 关态工作点可能在截至区,也可能在工作区;开态工作在饱和区或工作区。 开态时晶体管饱和的开关电路称饱和开关,工作在放大区则称非饱和开关。 晶体管开关不是理想开关,关态工作在截至区,导通时饱和是最接近于理想开关的工作模式,同其他模式比,截至区的集电极电流最小。关态阻抗最高,饱和工作的晶体管压降最小,开态阻抗最低。

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