中国半导体产业发展历史大事记.docx

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中国半导体产业发展历史大事记

中国半导体产业发展历史大事记

1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。

1956年，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。

中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。

请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。

在五所大学――大学、复旦大学、大学、大学和大学联合在大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。

培养出了第一批著名的教授：

大学的黄昆、复旦大学的希德、大学的高鼎三。

1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元（大学微电子所所长）、工程院院士许居衍（华晶集团中央研究院院长）和电子工业部总工程师俞忠钰（北方华虹设计公司董事长）。

1957年，电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。

中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。

当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。

1958年，美国仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路（IC）之后，发展极为迅猛，从SSI（小规模集成电路）起步，经过MSI（中规模集成电路），发展到LSI（大规模集成电路），然后发展到现在的VLSI（超大规模集成电路）及最近的ULSI（特大规模集成电路），甚至发展到将来的GSI（甚大规模集成电路），届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。

1959年，天津拉制出硅（Si）单晶。

1960年，中科院在建立半导体研究所，同年在建立工业性专业化研究所――第十三所（半导体研究所）。

1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。

1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。

1963年，省半导体研究所制成硅平面型晶体管。

1964年，省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。

1965年12月，半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国首先鉴定了DTL型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。

1966年底，在工厂围元件五厂鉴定了TTL电路产品。

这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。

标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。

1968年，组建国营东光电工厂（878厂）、无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国IC产业中的“两霸”。

1968年，无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物半导体）电路（MOSIC）。

拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，半导体研究所（现电子第24所）、上无十四厂和878厂相继研制成功NMOS电路。

之后，又研制成CMOS电路。

七十年代初，IC价高利厚，需求巨大，引起了全国建设IC生产企业的热潮，共有四十多家集成电路工厂建成，四机部所属厂有749厂（永红器材厂）、871（天光集成电路厂）、878（东光电工厂）、4433厂（风光电工厂）和4435厂（韶光电工厂）等。

各省市所建厂主要有：

元件五厂、上无七厂、上无十四厂、上无十九厂、半导体厂、半导体厂、半导体器件二厂、三厂、五厂、六厂、天津半导体

（一）厂、航天部691厂等等。

1972年，中国第一块PMOS型LSI电路在半导体研究所研制成功。

1973年，我国7个单位分别从国外引进单台设备，期望建成七条3英寸工艺线，最后只有878厂，航天部骊山771所和都匀4433厂。

1976年11月，中国科学院计算所研制成功1000万次大型电子计算机，所使用的电路为中国科学院109厂（现中科院微电子中心）研制的ECL型（发射极耦合逻辑）电路。

1982年，的江南无线电器材厂（742厂）IC生产线建成验收投产，这是一条从日本东芝公司全面引进彩色和黑白电视机集成电路生产线，不仅拥有部封装，而且有3英寸全新工艺设备的芯片制造线，不但引进了设备和净化厂房及动力设备等“硬件”，而且还引进了制造工艺技术“软件”。

这是中国第一次从国外引进集成电路技术。

第一期742厂共投资2.7亿元（6600万美元），建设目标是月投10000片3英寸硅片的生产能力，年产2648万块IC成品，产品为双极型消费类线性电路，包括电视机电路和音响电路。

到1984年达产，产量达到3000万块，成为中国技术先进、规模最大，具有工业化大生产的专业化工厂。

1982年10月，国务院为了加强全国计算机和大规模集成电路的领导，成立了以万里副总理为组长的“电子计算机和大规模集成电路领导小组”，制定了中国IC发展规划，提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造。

1983年，针对当时多头引进，重复布点的情况，国务院大规模集成电路领导小组提出“治散治乱”，集成电路要“建立南北两个基地和一个点”的发展战略，南方基地主要指、和，北方基地主要指、天津和，一个点指，主要为航天配套。

1986年，电子部集成电路发展战略研讨会，提出“七五”期间我国集成电路技术“531”发展战略，即普及推广5微米技术，开发3微米技术，进行1微米技术科技攻关。

1988年，871厂分厂，改名为华越微电子。

1988年9月，上无十四厂在技术引进项目，建了新厂房的基础上，成立了中外合资公司――贝岭微电子制造。

1988年，在元件五厂、上无七厂和上无十九厂联合搞技术引进项目的基础上，组建成中外合资公司――飞利浦半导体公司（现在的先进）。

1989年2月，机电部在召开“八五”集成电路发展战略研讨会，提出了“加快基地建设，形成规模生产，注重发展专用电路，加强科研和支持条件，振兴集成电路产业”的发展战略。

1989年8月8日，742厂和半导体研究所分所合并成立了中晶电子集团公司。

1990年10月，国家计委和机电部在联合召开了有关领导和专家参加的座谈会，并向党中央进行了汇报，决定实施九O八工程。

1991年，首都钢铁公司和日本NEC公司成立中外合资公司――首钢NEC电子。

1995年，电子部提出“九五”集成电路发展战略：

以市场为导向，以CAD为突破口，产学研用相结合，以我为主，开展国际合作，强化投资，加强重点工程和技术创新能力的建设，促进集成电路产业进入良性循环。

1995年10月，电子部和国家外专局在联合召开国外专家座谈会，献计献策，加速我国集成电路产业发展。

11月，电子部向国务院做了专题汇报，确定实施九0九工程。

1997年7月17日，由华虹集团与日本NEC公司合资组建的华虹NEC电子组建，总投资为12亿美元，注册资金7亿美元，华虹NEC主要承担“九0九”工程超大规模集成电路芯片生产线项目建设。

1998年1月，华晶与上华合作生产MOS圆片合约签定，有效期四年，华晶芯片生产线开始承接上华公司来料加工业务。

1998年1月18日，“九0八”主体工程华晶项目通过对外合同验收，这条从朗讯科技公司引进的0.9微米的生产线已经具备了月投6000片6英寸圆片的生产能力。

1998年1月，集成电路设计中心向国外用户推出了熊猫2000系统，这是我国自主开发的一套EDA系统，可以满足亚微米和深亚微米工艺需要，可处理规模达百万门级，支持高层次设计。

1998年2月，韶光与群立在签订LSI合资项目，投资额达2.4亿元，合资建设大规模集成电路（LSI）微封装，将形成封装、测试集成电路5200万块的生产能力。

1998年2月28日，我国第一条8英寸硅单晶抛光片生产线建成投产，这个项目是在有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心进行的。

1998年3月16日，华虹集成电路设计有限责任公司与日本NEC株式会社在长城-饭店举行华虹NEC集成电路设计公司合资合同签字仪式，新成立的合资公司其设计能力为每年约200个集成电路品种，并为华虹NEC生产线每年提供8英寸硅片两万片的加工订单。

1998年4月，集成电路“九0八”工程九个产品设计开发中心项目验收授牌，这九个设计中心为信息产业部电子第十五研究所、信息产业部电子第五下四研究所、集成电路设计公司、先科设计中心、设计中心、专用电路设计中心、兵器第二一四研究所、机械工业自动化研究所和航天工业771研究所。

这些设计中心是与华晶六英寸生产线项目配套建设的。

1998年6月，华虹NEC九0九二期工程启动。

1998年6月12日，超大规模集成电路项目一期工程――后工序生产线及设计中心在赛意法微电子正式投产，其集成电路封装测试的年生产能力由原设计的3.18亿块提高到目前的7.3亿块，并将扩展的10亿块的水平。

1998年10月，华越集成电路引进的日本富士通设备和技术的生产线开始验收试制投片，-该生产线以双极工艺为主、兼顾Bi-CMOS工艺、2微米技术水平、年投5英寸硅片15万片、年产各类集成电路芯片1亿只能力的前道工序生产线及动力配套系统。

1998年3月，由交通大学开元集团微电子科技自行设计开发的我国第一个-CMOS微型彩色摄像芯片开发成功，我国视觉芯片设计开发工作取得的一项可喜的成绩。

1999年2月23日，华虹NEC电子建成试投片，工艺技术档次从计划中的0.5微米提升到了0.35微米，主导产品64M同步动态存储器（S－DRAM）。

这条生产线的建-成投产标志着我国从此有了自己的深亚微米超大规模集成电路芯片生产线。

中国半导体产业发展历史

◎分立器件发展阶段（１９５６--１９６５）

　　１９５６年中国提出“向科学进军”，国家制订了发展各门尖端科学的“十二年科学技术发展远景规划”，明确了目标。

根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究发展半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。

从半导体材料开始，自力更生研究半导体器件。

为了落实发展半导体规划，中国科学院应用物理所首先举行了半导体器件短期训练班。

请回国的半导体专家昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制技术和半导体线路。

参加短训班的约１００多人。

　　当时国家决定由五所大学-大学、复旦大学、大学、大学和大学联合在大学半导体物理专来，共同培养第一批半导体人才。

五校中最出名的教授有大学的黄昆、复旦大学的希德和大学的高鼎三。

１９５７年就有一批毕业生，其中有现在成为中国科学院院士的王阳元（大学）、工程院院士的许居衍（华晶集团公司）和电子工业部总工程师俞忠钰等人。

之后，清华大学等一批工科大学也先后设置了半导体专业。

　　中国半导体材料从锗（Ｇｅ）开始。

通过提炼煤灰制备了锗材料。

１９５７年电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。

中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一研究所开发锗晶体管。

前者由王守武任半导体实验室主任，后者由武尔桢负责。

１９５７可国依靠自己的技术开发，相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。

　　为了加强半导体的研究，中国科学院于１９６０年在建立了半导体研究所，同年在省建立了工业性专业研究所-第十三研究所，即现在的半导体研究所。

到六十年代初，中国半导体器件开始在工厂生产。

此时，国搞半导体器件的已有十几个厂点。

当时北方以电子管厂为代表，生产了ＩＩ－６低频合金管和ＩＩ４０１高频合金扩散管；南方以元件五厂为代表。

　　在锗之后，很快也研究出其他半导体材料。

１９５９年天津拉制了硅（Ｓｉ）单晶。

　１９６２年又接制了砷化镓（ＧａＡｓ）单晶，后来也研究开发了其他种化合物半导体。

　　硅器件开始搞的是合金管。

１９６２年研究成外延工艺，并开始研究采用照相制版、光刻工艺，半导体研究所在１９６３年搞出了硅平面型晶体管，１９６４年搞出了硅外延平面型晶体管。

在平面管之前不久，也搞过错和硅的台面扩散管，但一旦平面管研制出来后，绝大部分器件采用平面结构，因为它更适合于批量生产。

　　当时接制的单晶棒的直径很小，也不规则。

一般将硅片切成方片的形状，如７＊７、　１０＊１０、１５＊１５ｍｍ２。

后来单晶直径拉