元器件技术规范.docx
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元器件技术规范
1总体要求
（1）投标人拟用于本项目的元器件，须同时满足本技术文件以及中国铁塔集团公司、铁塔广东公司的相关技术规范要求。
（2）投标书应包含针对本技术规范书的点对点应答及偏离表。
（3）投标书应提交室内分布系统产品清单（无源器件、室内天线）。
（4）投标方提出的建议书应包括以下内容：
⏹每一种无源器件、室内天线和同轴射频电缆的详细技术性能、功能和指标、工作原理、方框图、结构（容量、尺寸和重量）等；
⏹主要设备、元器件的生产厂家和技术指标；
⏹操作和维护手册；
⏹不同类型无源器件的应用注意事项；
⏹不同类型室内天线应用场景建议及注意事项。
（5）资格、资质证明文件：
⏹如投标方为原设备厂家的代理商，请提供设备制造商售后服务承诺书；
⏹相关设备的权威机构检测报告；
⏹投标方认为必要的其他资质文件。
（6）如有，请提供新技术产品、专利等介绍材料。
2无源器件
2.1电气性能要求
2.1.1功分器
本次规范只涉及腔体功分器。
根据分布系统的节点支路的要求，又分为二功分器、三功分器和四功分器。
根据不同的功率容限及互调指标，分为高品质功分器、一般品质功分器两大类。
2.1.1.1高品质功分器
高品质功分器指标要求
型号
二功分
三功分
四功分
频率范围（MHz）
800～2500
插入损耗（dB）
≤3.3
≤5.2
≤6.5
驻波比（VSWR）
≤1.25
≤1.25
≤1.3
带内波动（dB）
≤0.3
≤0.45
≤0.55
三阶互调（dBc）@+43dBm×2
≤-150
≤-145
≤-140
≤-150
≤-145
≤-140
≤-150
≤-145
≤-140
五阶互调（dBc）@+43dBm×2
≤-160
≤-155
≤-155
≤-160
≤-155
≤-155
≤-160
≤-155
≤-155
阻抗（Ω）
50
接口类型
DIN型
N型
DIN型
N型
DIN型
N型
平均功率容限（W）
500
300
500
300
500
300
峰值功率容限（W）
1500
1000
1500
1000
1500
1000
2.1.1.2一般品质功分器
一般品质功分器指标要求
型号
二功分
三功分
四功分
频率范围（MHz）
800～2500
插入损耗（dB）
≤3.3
≤5.2
≤6.5
驻波比（VSWR）
≤1.25
≤1.25
≤1.3
带内波动（dB）
≤0.3
≤0.45
≤0.55
三阶互调（dBc）@+43dBm×2
≤-120
五阶互调（dBc）@+43dBm×2
≤-145
阻抗（Ω）
50
接口类型
N型
平均功率容限（W）
200
2.1.2耦合器
本次规范只涉及腔体耦合器。
根据不同的功率容限及互调指标，分为高品质耦合器、一般品质耦合器两大类。
2.1.2.1高品质耦合器
高品质耦合器具体指标要求如下：
高品质耦合器指标要求
（1）
型号
5dB
6dB
7dB
10dB
频率范围（MHz）
800～2500
耦合度偏差/dB
±0.6
±0.6
±0.6
±1
最小隔离度（dB）
≥23
≥24
≥25
≥28
插入损耗（dB）
≤2.15
≤1.76
≤1.47
≤0.96
输入驻波比
≤1.25
特性阻抗（Ω）
50
三阶互调（dBc）@+43dBm×2
≤-150
≤-145
≤-140
≤-150
≤-145
≤-140
≤-150
≤-145
≤-140
≤-150
≤-145
≤-140
五阶互调（dBc）@+43dBm×2
≤-160
≤-155
≤-155
≤-160
≤-155
≤-155
≤-160
≤-155
≤-155
≤-160
≤-155
≤-155
接口类型
DIN型
N型
DIN型
N型
DIN型
N型
DIN型
N型
平均功率容限（W）
500
300
500
300
500
300
500
300
峰值功率容限（W）
1500
1000
1500
1000
1500
1000
1500
1000
高品质耦合器指标要求
（2）
型号
15dB
20dB
30dB
40dB
频率范围（MHz）
800～2500
耦合度偏差/dB
±1
±1
±1
±1.5
最小隔离度（dB）
≥33
≥38
≥48
≥55
插入损耗（dB）
≤0.44
≤0.34
≤0.3
≤0.3
输入驻波比
≤1.25
特性阻抗（Ω）
50
三阶互调（dBc）@+43dBm×2
≤-150
≤-145
≤-140
≤-150
≤-145
≤-140
≤-150
≤-145
≤-140
≤-150
≤-145
≤-140
五阶互调（dBc）@+43dBm×2
≤-160
≤-155
≤-155
≤-160
≤-155
≤-155
≤-160
≤-155
≤-155
≤-160
≤-155
≤-155
接口类型
DIN型
N型
DIN型
N型
DIN型
N型
DIN型
N型
平均功率容限（W）
500
300
500
300
500
300
500
300
峰值功率容限（W）
1500
1000
1500
1000
1500
1000
1500
1000
2.1.2.2一般品质耦合器
一般品质耦合器具体指标要求如下：
一般品质耦合器指标要求
型号
5dB
6dB
7dB
10dB
15dB
20dB
30dB
40dB
频率范围（MHz）
800～2500
耦合度偏差/dB
±0.6
±0.6
±0.6
±1
±1
±1
±1
±1.5
最小隔离度（dB）
≥23
≥24
≥25
≥28
≥33
≥38
≥48
≥55
插入损耗（dB）
≤2.15
≤1.76
≤1.47
≤0.96
≤0.44
≤0.34
≤0.3
≤0.3
输入驻波比
≤1.25
特性阻抗（Ω）
50
三阶互调（dBc）@+43dBm×2
≤-120
五阶互调（dBc）@+43dBm×2
≤-145
接口类型
N型
平均功率容限（W）
200
2.1.33dB电桥
3dB电桥具体指标要求如下：
3dB电桥指标要求
频率范围（MHz）
800～2500
插入损耗（dB）
≤0.5
带内波动（dB）
≤0.5
隔离度（dB）
≥23
驻波比
≤1.3
阻抗（Ω）
50
三阶互调（dBc）@+43dBm×2
≤-150
≤-145
≤-140
≤-120
五阶互调（dBc）@+43dBm×2
≤-160
≤-155
≤-155
≤-145
接口类型
DIN型
N型
N型
平均功率容限（W）
500
300
200
峰值功率容限（W）
1500
1000
/
2.1.4衰减器
衰减器具体指标要求如下：
衰减器指标要求
（1）
型号
3dB
6dB
10dB
频率范围（MHz）
800-3000
衰减值精度（dB）
±0.4
±0.4
±0.6
带内波动度（dB）
≤0.3
≤0.5
≤0.7
输入驻波比
≤1.2
特性阻抗（Ω）
50
平均功率容量（W）
50W、100W、200W
5W、25W
50W、100W、200W
5W、25W
50W、100W、200W
5W、25W
三阶互调（dBc）
≤-105（+43dBm×2）
≤-125（+33dBm×2）
≤-105（+43dBm×2）
≤-125（+33dBm×2）
≤-105（+43dBm×2）
≤-125（+33dBm×2）
五阶互调（dBc）
≤-120（+43dBm×2）
≤-145（+33dBm×2）
≤-120（+43dBm×2）
≤-145（+33dBm×2）
≤-120（+43dBm×2）
≤-145（+33dBm×2）
接口类型
N型
衰减器指标要求
（2）
型号
15dB
20dB
30dB
频率范围（MHz）
800-3000
衰减值精度（dB）
±0.6
±0.8
±0.8
带内波动度（dB）
≤0.8
≤1.0
≤1.0
输入驻波比
≤1.2
特性阻抗（Ω）
50
平均功率容量（W）
50W、100W、200W
5W、25W
50W、100W、200W
5W、25W
50W、100W、200W
5W、25W
三阶互调（dBc）
≤-105（+43dBm×2）
≤-125（+33dBm×2）
≤-105（+43dBm×2）
≤-125（+33dBm×2）
≤-105（+43dBm×2）
≤-125（+33dBm×2）
五阶互调（dBc）
≤-120（+43dBm×2）
≤-145（+33dBm×2）
≤-120（+43dBm×2）
≤-145（+33dBm×2）
≤-120（+43dBm×2）
≤-145（+33dBm×2）
接口类型
N型
2.1.5负载
负载具体指标要求如下：
负载指标要求
型号
5W
25W
50W
100W
200W
频率范围（MHz）
800-3000
输入驻波比
≤1.2
特性阻抗（Ω）
50
接口类型
N型
三阶互调（dBc）
≤-125（+33dBm×2）
≤-125（+33dBm×2）
≤-105（+43dBm×2）
≤-105（+43dBm×2）
≤-105（+43dBm×2）
≤-150（+43dBm×2）
五阶互调（dBc）
≤-145（+33dBm×2）
≤-145（+33dBm×2）
≤-120（+43dBm×2）
≤-120（+43dBm×2）
≤-120（+43dBm×2）
≤-160（+43dBm×2）
2.2寿命要求
室温条件下MTBF应大于10万小时。
2.3机械特性要求
（1）一般结构要求：
应牢固可靠，便于安装、使用和运输。
（2）器件表面清洁，无变形、无毛刺、无伤痕。
（3）多端口无源器件（合路器、电桥等）要求各端口接头之间具有足够大的施工安装间隔。
2.4工艺、材质要求
（1）腔体功分器、耦合器、电桥，内导体须采用黄铜或铝合金,外导体采用铝合金，盖板采用铝合金；腔体内表面采用导电氧化或镀银，接头使用铍青铜或磷青铜，镀银或三元合金；内置负载使用射频微带大功率厚膜电阻。
（2）衰减器的散热片、内置安装管须选用铝合金，内置衰减片采用氧化铍，连接器外导体采用黄铜，连接器内导体公头用黄铜，母头使用铍青铜。
（3）负载散热片须采用铝合金，内置负载采用氧化铍，连接器外导体采用黄铜，连接器内导体公头负载采用黄铜，母头负载采用铍青铜。
2.5环境条件要求
工作温度：
-20～55℃
工作湿度≤95％（温度40℃±2℃）
大气压力：
70～106kPa
储存温度
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