单相半桥无源逆变电路的设计.docx

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单相半桥无源逆变电路的设计

基于MOSFET的单相半桥无源逆变电路的设计

设计目的：

1·掌握单相桥式全控桥整流电路和单相半桥无源逆变电路的工作原理，进行结合完成交-直-交电路的设计；

2·熟悉两种电路的拓扑，控制方法；

3·掌握两种电路的主电路，驱动电路，保护电路的设计方法，元器件参数的计算方法；

4·培养一定的电力电子的实验和调试能力；

5·培养学生综合运用知识解决问题的能力与实际动手能力；

2·加深理解?

电力电子技术?

课程的根本理论；

设计指标：

MOSFET电压型单相半桥无源逆变电路设计〔纯电阻负载〕 

〔1〕输入直流电压：

Ui=200V

〔2〕输出功率：

500W

〔3〕输出电压波形：

1KHz方波

总体目标及任务：

选择整流电路，计算整流变压器额定参数，选择全控器件的额定电压电流，计算平波电抗器感值，设计保护电路，全控器件触发电路的设计，画出主电路原理图和控制电路原理图，进行Matlab的仿真，画出输出电压，电流模拟图。

1·主电路的设计：

（1）整流局部主电路设计:

单项桥式全控整流电路带电阻性负载电路如图〔1〕：

图〔1〕

在单项桥式全控整流电路中，晶闸管VT1和VT4组成一对桥臂，VT2和VT3组成另一对桥臂。

在u2正半周〔即a点电位高于b点电位〕，假设4个晶闸管均不导通，负载电流id为零，ud也为零，VT1、VT4串联承受电压u2，设VT1和VT4的漏电阻相等，那么各承受u2的一半。

假设在触发角α处给VT1和VT4加触发脉冲，VT1、VT4即导通，电流从a端经VT1、R、VT4流回电源b端。

当u2为零时，流经晶闸管的电流也降到零，VT1和VT4关断。

在u2负半周，仍在触发延迟角α处触发VT2和VT3〔VT2和VT3的α=0处为ωt=π〕，VT2和VT3导通，电流从电源的b端流出，经VT3、R、VT2流回电源a端。

到u2过零时，电流又降为零，VT2和VT3关断。

此后又是VT1和VT4导通，如此循环的工作下去，整流电压ud和晶闸管VT1、VT4两端的电压波形如下列图〔2〕所示。

晶闸管承受的最大正向电压和反向电压分别为

U2和

U2。

工作原理

第1阶段〔0~ωt1〕：

这阶段u2在正半周期，a点电位高于b点电位晶闸管VT1和VT2方向串联后于u2连接，VT1承受正向电压为u2/2，VT2承受u2/2的反向电压；同样VT3和VT4反向串联后与u2连接，VT3承受u2/2的正向电压，VT4承受u2/2的反向电压。

虽然VT1和VT3受正向电压，但是尚未触发导通，负载没有电流通过，所以Ud=0，id=0。

第2阶段〔ωt1~π〕：

在ωt1时同时触发VT1和VT3，由于VT1和VT3受正向电压而导通，有电流经a点→VT1→R→VT3→变压器b点形成回路。

在这段区间里，ud=u2，id=iVT1=iVT3=ud/R。

由于VT1和VT3导通，忽略管压降，uVT1=uVT2=0，而承受的电压为uVT2=uVT4=u2。

第3阶段〔π~ωt2〕：

从ωt=π开始u2进入了负半周期，b点电位高于a点电位，VT1和VT3由于受反向电压而关断，这时VT1~VT4都不导通，各晶闸管承受u2/2的电压，但VT1和VT3承受的事反向电压，VT2和VT4承受的是正向电压，负载没有电流通过，ud=0，id=i2=0。

第4阶段〔ωt2~π〕：

在ωt2时，u2电压为负，VT2和VT4受正向电压，触发VT2和VT4导通，有电流经过b点→VT2→R→VT4→a点，在这段区间里，ud=u2，id=iVT2=iVT4=i2=ud/R。

由于VT2和VT4导通，VT2和VT4承受u2的负半周期电压，至此一个周期工作完毕，下一个周期，充复上述过程，单项桥式整流电路两次脉冲间隔为180°。

（2）逆变局部主电路设计：

如下图，它有两个桥臂，每个桥臂由一个全控器件和一个二极管反并联而成。

在直流侧有两个相互串联的大电容，两个电容的中点为直流电源中点。

负载接在直流电源中点和两个桥臂连接点之间。

开关器件设为V1和V2，当负载为感性时，输出为矩形波，Um=Ud/2.

刚开始V1为通态，V2为断态，给V1关断信号，V2开通信号后，V1关断，但由于感性负载，电流方向不能立即改变，就沿着VD2续流，直到电流为零时VD2截止，V2开通，电流开始反向。

依此原理，V1和V2交替导通，VD1和VD2交替续流。

此电路优点在于结构简单，使用器件少，缺点是输出交流电压幅值仅为Ud/2。

（3）控制电路的设计：

控制电路需要实现的功能是产生控制信号，用于逆变电路中功率器件的通断，通过对逆变角的调节而到达对逆变后的交流电压的调节。

我们采用PWM控制方法，进行连续控制，我们采用了SG3525芯片，它是一款专用的PWM控制集成芯片，它采用恒频调宽控制方案，内部包括精密基准源，锯齿波振荡器，误差放大器，比拟器，分频器和保护电路等。

SG3525是电流控制型PWM控制器，所谓电流控制型脉宽调制器是按照接反应电流来调节脉宽的。

在脉宽比拟器的输入端直接用流过输出电感线圈的信号与误差放大器输出信号进行比拟，从而调节占空比使输出的电感峰值电流跟随误差电压变化而变化。

由于结构上有电压环和电流环双环系统，因此，无论开关电源的电压调整率、负载调整率和瞬态响应特性都有提高，是目前比拟理想的新型控制器。

SG3525的结构和工作原理:

1.Inv.input（引脚1）：

误差放大器反向输入端。

在闭环系统中，该引脚接反应信号。

在开环系统中，该端与补偿信号输入端〔引脚9〕相连，可构成跟随器。

2.Noninv.input（引脚2）：

误差放大器同向输入端。

在闭环系统和开环系统中，该端接给定信号。

根据需要，在该端与补偿信号输入端〔引脚9〕之间接入不同类型的反应网络，可以构成比例、比例积分和积分等类型的调节器。

3.Sync（引脚3）：

振荡器外接同步信号输入端。

该端接外部同步脉冲信号可实现与外电路同步。

4.OSC.Output（引脚4）：

振荡器输出端。

5.CT（引脚5）：

振荡器定时电容接入端。

6.RT〔引脚6〕：

振荡器定时电阻接入端。

7.Discharge（引脚7）：

振荡器放电端。

该端与引脚5之间外接一只放电电阻，构成放电回路。

8.Soft-Start（引脚8）：

软启动电容接入端。

该端通常接一只5的软启动电容。

9pensation（引脚9）：

PWM比拟器补偿信号输入端。

在该端与引脚2之间接入不同类型的反应网络，可以构成比例、比例积分和积分等类型调节器。

10.Shutdown（引脚10）：

外部关断信号输入端。

该端接高电平时控制器输出被禁止。

该端可与保护电路相连，以实现故障保护。

11.OutputA〔引脚11〕：

输出端A。

引脚11和引脚14是两路互补输出端。

12.Ground（引脚12）：

信号地。

13.Vc（引脚13）：

输出级偏置电压接入端。

14.OutputB〔引脚14〕：

输出端B。

引脚14和引脚11是两路互补输出端。

15.Vcc〔引脚15〕：

偏置电源接入端。

16.Vref（引脚16）：

基准电源输出端。

该端可输出一温度稳定性极好的基准

±1％〕V，采用了温度补偿，而且设有过流保护电路。

脚5，脚6，脚7内有一个双门限比拟器，内电容充放电电路，加上外接的电阻电容电路共同构成SG3525的振荡器。

振荡器还设有外同步输入端（脚3）。

脚1及脚2分别为芯片内误差放大器的反相输入端、同相输入端。

该放大器是一个两级差分放大器，直流开环增益为70dB左右。

SG3525的特点如下：

〔1〕工作电压范围宽：

8—35V。

〔2〕5.1〔11.0%〕V微调基准电源。

〔3〕振荡器工作频率范围宽：

100Hz¬—400KHz.

〔4〕具有振荡器外部同步功能。

〔5〕死区时间可调。

〔6〕内置软启动电路。

〔7〕具有输入欠电压锁定功能。

〔8〕具有PWM琐存功能，禁止多脉冲。

〔9〕逐个脉冲关断。

〔10〕双路输出〔灌电流/拉电流〕：

mA（峰值）。

各局部功能：

a基准电压源:

基准电压源是一个三端稳压电路，其输入电压VCC可在〔8～35〕V内变化，通常采用+15V，其输出电压VST＝5.1V，精度±1%，采用温度补偿，作为芯片内部电路的电源，也可为芯片外围电路提供标准电源，向外输出电流可达400mA，没有过流保护电路。

b振荡电路：

由一个双门限电压均从基准电源取得，其高门限电压VH=3.9V，低门限电压VL=0.9,内部横流源向CT充电，其端压VC线性上升，构成锯齿波的上升沿，当VC=VH时比拟器动作，充电过程结束，上升时间t1为：

t1=0.67RTCT

比拟器动作时使放电电路接通，CT放电，VC下降并形成锯齿波的下降沿，当VC=VL时比拟器动作，放电过程结束，完成一个工作循环，下降时间间t2为：

注意：

此时间即为死区时间

锯齿波的根本周期T为:

T=t1+t2=（0.67RT+1.3RD）CT振荡频率：

f=1/T

CT和RT是连接脚5和脚6的振荡器的电阻和电容，RD是于脚7相连的放电电阻的阻值。

控制电路图：

（4）驱动电路的设计：

如图，我们采用了电气隔离的光耦合方式。

光耦合器〔opticalcoupler，英文缩写为OC〕亦称光电隔离器，简称光耦。

光耦合器以光为媒介传输电信号。

它对输入、输出电信号有良好的隔离作用，所以，它在各种电路中得到广泛的应用。

目前它已成为种类最多、用途最广的光电器件之一。

光耦合器一般由三局部组成：

光的发射、光的接收及信号放大。

输入的电信号驱动发光二极管〔LED〕，使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。

这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。

由于光耦合器输入输出间互相隔离，电信号传输具有单向性等特点，因而具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力。

又由于光耦合器的输入端属于电流型工作的低阻元件，因而具有很强的共模抑制能力。

所以，它在长线传输信息中作为终端隔离元件可以大大提高信噪比。

在计算机数字通信及实时控制中作为信号隔离的接口器件，可以大大增加计算机工作的可靠性。

光耦合器的主要优点是：

信号单向传输，输入端与输出端完全实现了电气隔离隔离，输出信号对输入端无影响，抗干扰能力强，工作稳定，无触点，使用寿命长，传输效率高。

光耦合器是70年代开展起来产新型器件，现已广泛用于电气绝缘、电平转换、级间耦合、驱动电路、开关电路、斩波器、多谐振荡器、信号隔离、级间隔离、脉冲放大电路、数字仪表、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器（SSR）、仪器仪表、通信设备及微机接口中。

在单片开关电源中，利用线性光耦合器可构成光耦反应电路，通过调节控制端电流来改变占空比，到达精密稳压目的。

我们在末端加一个推挽式放大结构进行电压电流放大，到达高输出电压，高速，高共模抑制。

（5）保护电路的设计：

相对于电机和继电器，接触器等控制器而言，电力电子器件承受过电流和过电压的能力较差，短时间的过电流和过电压就会把器件损坏。

但又不能完全根据装置运行时可能出现的暂时过电流和过电压的数值来确定器件参数，必须充分发挥器件应有的过载能力。

因此，保护就成为提高电力电子装置运行可靠性必不可少的重要环节。

主电路的过电压保护设计

所谓过压保护，即指流过晶闸管两端的电压值超过晶闸管在正常工作时所能承受的最大峰值电压Um

产生过电压的原因一般由静电感应、雷击或突然切断电感回路电流时电磁感应所引起。

其中，对雷击产生的过电压，需在变压器的初级侧接上避雷器，以保护变压器本身的平安；而对突然切断电感回路电流时电磁感应所引起的过电压，一般发生在交流侧、直流侧和器件上，因而，下面介绍单相桥式全控整流主电路的电压保护方法。

交流侧