《电力电子技术》各章节课后题和答案.docx

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《电力电子技术》各章节课后题和答案

第1章电力电子器件

1.使晶闸管导通的条件是什么？

答：

使晶闸管导通的条件是：

晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。

或：

uAK>0且uGK>0。

2.维持晶闸管导通的条件是什么？

怎样才能使晶闸管由导通变为关断？

答：

维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。

要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。

3.图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为

Im，试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。

0ππ

4

2π0π

4

π5π4

2π0π2π

2

a）b）c）

图1-43晶闸管导电波形

解：

a）I

=1⎰pI

p

sinwtd（wt）=Im（2+1）≈0.2717I

m

d1

1

2p

⎰

p

p

（Isinwt）2d（wt）

m

4

I1=

2π4

2π2

=Im

2

m

42p

3+1

≈0.4767Im

b）I

=1⎰pI

p

sinwtd（wt）=Im（2+1）≈0.5434I

π

d2m

1

p

⎰

p

p

（Isinwt）2d（wt）

m

4

4

I2=

π2

=2Im

2

1p1

m

42p

3+1

≈0.6741I

c）Id3=

⎰2Imd（wt）=Im

2π0

p

1

2p

⎰

2

0

2Imd（wt）

4

1

I3=

=2Im

4.上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶闸管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为

多少？

这时，相应的电流最大值Im1、Im2、Im3各为多少?

解：

额定电流IT（AV）=100A的晶闸管，允许的电流有效值I=157A，由上题计算结果知

a）Im1≈

b）Im2≈

I≈329.35，Id1≈0.2717Im1≈89.48

0.4767

I≈232.90,Id2≈0.5434Im2≈126.56

0.6741

c）Im3=2I=314,Id3=1Im3=78.5

4

5.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？

答：

GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益a1和a2，由普通晶闸管的分析可得，a1+a2=1是器件临界导通

的条件。

a1+a2＞1，两个等效晶体管过饱和而导通；a1+a2＜1，不能维持饱和导通而

关断。

GTO之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：

1）GTO在设计时a2较大，这样晶体管V2控制灵敏，易于GTO关断；

2）GTO导通时的a1+a2更接近于1，普通晶闸管a1+a2≥1.15，而GTO则为

a1+a2≈1.05，GTO的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件；

3）多元集成结构使每个GTO元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得

P2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。

6.如何防止电力MOSFET因静电感应应起的损坏？

答：

电力MOSFET的栅极绝缘层很薄弱，容易被击穿而损坏。

MOSFET的输入电容是低泄漏电容，当栅极开路时极易受静电干扰而充上超过±20的击穿电压，所以为防止MOSFET因静电感应而引起的损坏，应注意以下几点：

①一般在不用时将其三个电极短接；

②装配时人体、工作台、电烙铁必须接地，测试时所有仪器外壳必须接地；

③电路中，栅、源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高

④漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。

7.IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？

答：

IGBT驱动电路的特点是：

驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，

IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。

GTR驱动电路的特点是：

驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。

GTO驱动电路的特点是：

GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。

电力MOSFET驱动电路的特点：

要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。

8.全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？

试分析RCD缓冲电路中各元件的作

用。

答：

全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压，du/dt或过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。

RCD缓冲电路中，各元件的作用是：

开通时，Cs经Rs放电，Rs起到限制放电电流的作用；关断时，负载电流经VDs从Cs分流，使du/dt减小，抑制过电压。

9.

器件

优点

缺点

IGBT

开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率

小

开关速度低于电力MOSFET,电压，电流容量不及GTO

GTR

耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低

开关速度低，为电流驱动，所需

驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题

GTO

电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强

电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关

频率低

开关速度快，输入阻抗高，热稳定性

电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置

电力

好，所需驱动功率小且驱动电路简

MOSFET

单，工作频率高，不存在二次击穿问

题

试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。

解：

对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较如下表：

第2章整流电路

1.单相半波可控整流电路对电感负载供电，L＝20mH，U2＝100V，求当α＝0︒和60︒

时的负载电流Id，并画出ud与id波形。

解：

α＝0︒时，在电源电压u2的正半周期晶闸管导通时，负载电感L储能，在晶闸管开始导通时刻，负载电流为零。

在电源电压u2的负半周期，负载电感L释放能量，晶闸管继续导通。

因此，在电源电压u2的一个周期里，以下方程均成立：

Ldid=

dt

2U2

sinwt

考虑到初始条件：

当wt＝0时id＝0可解方程得：

id=

I=12p

（1-coswt）

2U2

2U2

wL

（1-coswt）d（wt）

2U2

d2p⎰0wL

=

wL

=22.51（A）

u2

0

ud

π

2π

wt

0

π

2π

wt

id

0

π

2π

wt

ud与id的波形如下图：

当α＝60°时，在u2正半周期60︒~180︒期间晶闸管导通使电感L储能，电感L储藏的

能量在u2负半周期180︒~300︒期间释放，因此在u2一个周期中60︒~300︒期间以下微分方程成立：

Ldid=

dt

2U2

sinwt

考虑初始条件：

当wt＝60︒时id＝0可解方程得：

id=

（1-coswt）

2U2

wL2

其平均值为

15p

2U12U

Id=⎰p3

2（-coswt）d（wt）=2=11.25（A）

2p3

wL2

2wL

u2

+

+

0a

ud

wt

++

wt

id

wt

此时ud与id的波形如下图：

2.图2-9为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，问该变压器还有直流磁化

问题吗？

试说明：

①晶闸管承受的最大反向电压为2

其输出电压和电流的波形与单相全控桥时相同。

2U2；②当负载是电阻或电感时，

答：

具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，该变压器没有直流磁化的问题。

因为单相全波可控整流电路变压器二次测绕组中，正负半周内上下绕组内电流的方向相反，波形对称，其一个周期内的平均电流为零，故不会有直流磁化的问题。

以下分析晶闸管承受最大反向电压及输出电压和电流波形的情况。

①以晶闸管VT2为例。

当VT1导通时，晶闸管VT2通过VT1与2个变压器二次绕组

并联，所以VT2承受的最大电压为2

2U2。

②当单相全波整流电路与单相全控桥式整流电路的触发角a相同时，对于电阻负载：

（0~α）期间无晶闸管导通，输出电压为0；（α~π）期间，单相全波电路中VT1导通，单相全控桥电路中VT1、VT4导通，输出电压均与电源电压u2相等；（π~π＋α）期间，均无晶闸管导通，输出电压为0；（π＋α~2π）期间，单相全波电路中VT2导通，单相全控桥电路中VT2、VT3导通，输出电压等于-u2。

对于电感负载：

（α~π＋α）期间，单相全波电路中VT1导通，单相全控桥电路中

VT1、VT4导通，输出电压均与电源电压u2相等；（π＋α~2π＋α）期间，单相全波电路中VT2导通，单相全控桥电路中VT2、VT3导通，输出波形等于-u2。

可见，两者的输出电压相同，加到同样的负载上时，则输出电流也相同。

3.单相桥式全控整流电路，U2＝100V，负载中R＝2Ω，L值极大，当α＝30°时，要求：

①作出ud、id、和i2的波形；

②求整流输出平均电压Ud、电流Id，变压器二次电流有效值I2；

u2

O

ud

π

wt

a

O

id

O

i2

π

wt

Id

wt

Id

a

O

wt

③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。

解：

①ud、id、和i2的波形如下图：

②输出平均电压Ud、电流Id，变压器二次电流有效值I2分别为Ud＝0.9U2cosα＝0.9×100×cos30°＝77.97（V）

Id＝Ud/R＝77.97/2＝38.99（A）

I2＝Id＝38.99（A）

③晶闸管承受的最大反向电压为：

2

2

U2＝100＝141.4（V）

考虑安全裕量，晶闸管的额定电压为：

UN＝（2~3）×141.4＝283~424（V）具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。

2

流过晶闸管的电流有效值为：

晶闸管的额定电流为：

IVT＝Id∕

＝27.57（A）

IN＝（1.5~2）×27.57∕1.57＝26~35（A）具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。

4.单相桥式半控整流电路，电阻性负载，画出整流二极管在一周内承受的电压波形。

解：

注意到二极管的特点：

承受电压为正即导通。

因此，二极管承受的电压不会出现正的部分。

在电路中器件均不导通的阶段，交流电源电压由晶闸管平衡。

整流二极管在一周内承受的电压波形如下：

u2

0

π

2π

wt

uVD2

0

uVD4

wt

0

wt

5.

单相桥式全控整流电路，U2=100V，负载中R=2Ω，L值极大，反电势E=60V，当

a=30︒时，要求：

①作出ud、id和i2的波形；

②求整流输出平均电压Ud、电流Id，变压器二次侧电流有效值I2；

u2

O

ud

π

wt

a

O

id

O

i

π

wt

Id

I

d

I

wt

d

2

a

O

wt

③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。

解：

①ud、id和i2的波形如下图：

②整流输出平均电压Ud、电流Id，变压器二次侧电流有效值I2分别为Ud＝0.9U2cosα＝0.9×100×cos30°＝77.97（A）

Id＝（Ud－E）/R＝（77.97－60）/2＝9（A）

I2＝Id＝9（A）

③晶闸管承受的最大反向电压为：

2

U2＝100

流过每个晶闸管的电流的有效值为：

2

IVT＝Id∕

＝141.4（V）

2

＝6.36（A）

故晶闸管的额定电压为：

UN＝（2~3）×141.4＝283~424（V）

晶闸管的额定电流为：

IN＝（1.5~2）×6.36∕1.57＝6~8（A）

晶闸管额定电压和电流的具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。

6.晶闸管串联的单相半控桥（桥中VT1、VT2为晶闸管），电路如图2-11所示，U2=100V，电阻电感负载，R=2Ω，L值很大，当a=60︒时求流过器件电流的有效值，并作出ud、id、iVT、iD的波形。

解：

ud、id、iVT、iD的波形如下图：

u2

p

O

ud

2p

wt

O

idiVT1O

O

VD2

wt

Id

wt

I

d

wt

Id

O

p+a

wt

i

负载电压的平均值为：

p

U=1

p

d⎰p

3

2U2

sinwtd（wt）=0.9U2

1+cos（p/3）

＝67.5（V）

2

负载电流的平均值为：

Id＝Ud∕R＝67.52∕2＝33.75（A）流过晶闸管VT1、VT2的电流有效值为：

1

3

IVT＝Id＝19.49（A）

流过二极管VD3、VD4的电流有效值为：

2

3

IVD＝Id＝27.56（A）

7.在三相半波整流电路中，如果a相的触发脉冲消失，试绘出在电阻性负载和电感性负载下整流电压ud的波形。

解：

假设a

=0︒，当负载为电阻时，ud的波形如下：

u

uaubuc

d

Owt

u

uaubuc

d

Oawt

当负载为电感时，ud的波形如下：

u

uaubuc

d

Owt

u

uaubuc

d

Owt

8.三相半波整流电路，可以将整流变压器的二次绕组分为两段成为曲折接法，每段的电动势相同，其分段布置及其矢量如图2-60所示，此时线圈的绕组增加了一些，铜的用料约增加10%，问变压器铁心是否被直流磁化，为什么？

ABC

N

C

n

a1b1c1

a2b2c2

N

BA

c2

c1

n

a2

a1

b1

b2

图2-60变压器二次绕组的曲折接法及其矢量图

答：

变压器铁心不会被直流磁化。

原因如下：

变压器二次绕组在一个周期内：

当a1c2对应的晶闸管导通时，a1的电流向下流，c2的电流向上流；当c1b2对应的晶闸管导通时，c1的电流向下流，b2的电流向上流；当b1a2对应的晶闸管导通时，b1的电流向下流，a2的电流向上流；就变压器的一次绕组而言，每一周期中有两段时间（各为120︒）由电流流过，流过的电流大小相等而方向相反，故一周期

内流过的电流平均值为零，所以变压器铁心不会被直流磁化。

9.三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法，a、b两相的自然换相点是同一点吗？

如果不是，它们在相位上差多少度？

答：

三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法，a、b两相之间换相的的自然换相点不是同一点。

它们在相位上相差180°。

10.有两组三相半波可控整流电路，一组是共阴极接法，一组是共阳极接法，如果它们的触发角都是a，那末共阴极组的触发脉冲与共阳极组的触发脉冲对同一相来说，例如都是a相，在相位上差多少度？

答：

相差180°。

11.三相半波可控整流电路，U2=100V，带电阻电感负载，R=5Ω，L值极大，当a=60︒

时，要求：

①画出ud、id和iVT1的波形；

②计算Ud、Id、IdT和IVT。

解：

①ud、id和iVT1的波形如下图：

u

u

u

u2a=30°

abc

Owt

u

uaubuc

d

a

Owt

iVT

1

Owt

id

O

wt

②Ud、Id、IdT和IVT分别如下

Ud＝1.17U2cosa＝1.17×100×cos60°＝58.5（V）Id＝Ud∕R＝58.5∕5＝11.7（A）IdVT＝Id∕3＝11.7∕3＝3.9（A）

3

IVT＝Id∕＝6.755（A）

12.在三相桥式全控整流电路中，电阻负载，如果有一个晶闸管不能导通，此时的整

ud

O

wt

流电压ud波形如何？

如果有一个晶闸管被击穿而短路，其他晶闸管受什么影响？

答：

假设VT1不能导通，整流电压ud波形如下：

假设VT1被击穿而短路，则当晶闸管VT3或VT5导通时，将发生电源相间短路，使得VT3、VT5也可能分别被击穿。

13.三相桥式全控整流电路，U2=100V，带电阻电感负载，R=5Ω，L值极大，当a=60︒

时，要求：

①画出ud、id和iVT1的波形；

u2

a=60°

uaub

uc

wt1

O

wt

u

d

uab

uacubc

ⅠⅡ

ubauca

ⅢⅣ

ucbuab

ⅤⅥ

uac

O

wt

idO

1

O

wt

iVT

wt

②计算Ud、Id、IdT和IVT。

解：

①ud、id和iVT1的波形如下：

②Ud、Id、IdT和IVT分别如下

3

3

Ud＝2.34U2cosa＝2.34×100×cos60°＝117（V）Id＝Ud∕R＝117∕5＝23.4（A）IDVT＝Id∕3＝23.4∕3＝7.8（A）

IVT＝Id∕

＝23.4∕

＝13.51（A）

14.单相全控桥，反电动势阻感负载，R=1Ω，L=∞，E=40V，U2=100V，LB=0.5mH，当a=60︒时求Ud、Id与g的数值，并画出整流电压ud的波形。

解：

考虑LB时，有：

Ud＝0.9U2cosα－ΔUdΔUd＝2XBId∕πId＝（Ud－E）∕R

解方程组得：

Ud＝（πR0.9U2cosα＋2XBE）∕（πR＋2XB）＝44.55（V）

ΔUd＝0.455（V）

Id＝4.55（A）

2

又∵

即得出

cosa－cos（a+g）＝

IdXB∕U2

换流重叠角

cos（60︒+g）=0.4798

g＝61.33°-60°=1.33°

u2

O

wt

ud

g

O

a

wt

最后，作出整流电压Ud的波形如下：

15.三相半波可控整流电路，反电动势阻感负载，U2=100V，R=1Ω，L=∞，LB=1mH，求当a=30︒时、E=50V时Ud、Id、g的值并作出ud与iVT1和iVT2的波形。

解：

考虑LB时，有：

Ud＝1.17U2cosα－ΔUdΔUd＝3XBId∕2πId＝（Ud－E）∕R

解方程组得：

Ud＝（πR1.17U2cosα＋3XBE）∕（2πR＋3XB）＝94.63（V）

ΔUd＝6.7（V）

Id＝44.63（A）

又∵

即得出

换流重叠角

cosa－cos（a+g）＝2IdXB∕U2

6

cos（30︒+g）=0.752

g＝41.28°-30°=11.28°

ud、iVT1和iVT2的波形如下：

u2uaubuc

O

udauaubuc

Owt

iVT1

Og

iVT2

Og

Id

wt

Id

wt

16.三相桥式不可控整流电路，阻感负载，R=5Ω，L=∞，U2=220V，XB=0.3Ω，求

Ud、Id、IVD、I2和g的值并作出ud、iVD和i2的波形。

解：

三相桥式不可控整流电路相当于三相桥式可控整流电路α＝0°时的情况。

Ud＝2.34U2cosα－ΔUdΔUd＝3XBId∕πId＝Ud∕R

解方程组得：

又∵

Ud＝2.34U2cosα∕（1＋3XB/πR）＝486.9（V）Id＝97.38（A）

即得出

换流重叠角

cosa－cos（a+g）＝2IdXB∕U2

6

cosg=0.892

g＝26.93°

二极管电流和变压器二次测电流的有效值分别为

IVD＝Id∕3＝97.38∕3＝32.46（A）

2

3

I2a＝Id＝79.51（A）

ud、iVD1和i2a的波形如下：

u2

uaubuc

Owt1wt

Ⅰ

d

uuab

Ⅱ

uac

Ⅲ

ubc

Ⅳ

uba

Ⅴ

uca

Ⅵ

ucb

uab

uac

Owt

iVD1Id

i

Owt

2aId

Owt

17．三相全控桥，反电动势阻感负载，E=200V，R=1Ω，L=∞，U2=220V，a=60︒，当①LB=0和②LB=1mH情况下分别求Ud、Id的值，后者还应求g并分别作出ud与iT的波形。

解：

①当LB＝0时：

Ud＝2.34U2cosα＝2.34×220×cos60°＝257.4（V）

Id＝（Ud－E）∕R＝（257.4－200）∕1＝57.4（A）

②当LB＝1mH时

Ud＝2.34U2cosα－ΔUdΔUd＝3XBId∕πId＝（Ud－E）∕R

解方程组得：

Ud＝（2.34πU2Rcosα＋3XBE）∕（πR＋3XB）＝244.15（V）

Id＝44.15（A）

ΔUd＝13.25（V）又∵cosa－cos（a+g）＝2XBId∕6U2

cos（60︒+g）＝0.4485

γ＝63.35°－60°＝3.35°

ud、IVT1和IVT2的波形如下：

u2uaubuc