最新版半导体材料生产建设项目可研报告.docx
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最新版半导体材料生产建设项目可研报告
爱和科技有限公司
半导体材料项目
可行性研究报告
第一章总论1
第一节项目名称及承办单位1
第二节可行性研究编制单位1
第三节研究工作的依据与范围1
第四节简要结论2
第五节主要技术经济指标3
第二章项目提出的背景及建设的必要性3
第一节项目提出的背景3
第二节项目建设的必要性13
第三章市场需求分析与生产规模3
第一节市场需求分析3
第二节生产规模及产品方案15
第四章建设条件与厂址16
第一节原材辅材料供应16
第二节厂址概况16
第三节厂址方案22
第五章工程技术方案23
第一节项目组成23
第二节生产技术方案23
第三节总平面布置及运输26
第四节土建工程28
第五节公用工程及辅助工程30
第六章企业组织及劳动定员34
第一节企业组织34
第二节项目工作制度及定员3
第三节职工来源与培训36
第七章环境保护、劳动安全与消防38
第一节环境保护38
第二节劳动安全41
第三节消防45
第八章节能47
第一节用能标准和节能规范47
第二节能耗状况和能耗指标分析47
第三节节能措施和节能效果分析48
第九章项目实施进度51
第一节项目实施进度51
第二节项目进度计划52
第十章项目招标方案53
第十一章投资估算及资金筹措56
第十二章财务评价59
第一节评价原则和方法59
第二节财务分析59
第十三章社会影响分析63
第十四章综合评价69
附表目录
附表
1、建设投资估算表（附表1）
2、流动资金估算表（附表2）
3、投资计划与资金筹措表（附表3）
4、总成本费用估算表（附表4）
5、固定资产折旧费估算表（附表5）
6、销售收入和税金估算表（附表6）
7、利润及利润分配表（附表7）
8、项目投资现金流量表（附表8）
9、资金来源与运用表（附表9）
10、资产负债表（附表10）
第一章总论
第一节项目名称及承办单位
项目名称：
半导体材料项目
项目建设性质：
承办单位：
山东爱和科技有限公司
法人：
联系电话：
项目拟建地点：
山东省禹城市高新技术开发区
第二节可行性研究编制单位
单位名称：
德州天洁环境影响评价有限公司
资格等级：
丙级
发证机关：
国家发展和改革委员会
第三节研究工作的依据与范围
一、研究工作的依据
（一）双方签订关于编制项目申请报告的委托书、合同书；
（二）国家发展和改革委员会2005年第40号令发布实行的《产业结构调整指导目录（2005年本）》；
（三）《信息产业科技发展“十一五”规划和2020年中长期规划纲要》等文件；
（四）《节能中长期专项规划》；
（五）《建设项目经济评价方法与参数》（第三版）
（六）《投资项目可行性研究指南》、《投资项目经济咨询评估指南》
（七）项目承担单位提供的基础数据；
（八）国家有关法律、法规及产业政策；
（九）现行有关技术规范、规定及标准；
二、研究工作的范围
本可行性研究主要包括：
（一）对项目提出的背景、必要性、市场前景、建设规模、建设条件与场地状况的分析；
（二）对项目总图运输、生产工艺、土建、公用设施等技术方案的研究；
（三）对项目所采取的消防、环境保护、劳动安全卫生及节能措施的评价；
（四）对项目实施进度及劳动定员的确定；
（五）对项目作出的投资费用估算及财务综合评价。
第四节简要结论
半导体材料是指电导率介于金属和绝缘体之间的固体材料。
半导体于室温时电导率约在10ˉ10～10000/Ω·cm之间，纯净的半导体温度升高时电导率按指数上升。
半导体材料有很多种，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。
在半导体产业的发展中，一般将硅、锗称为第一代半导体材料；将砷化镓、磷化锢、磷化镓、砷化锢、砷化铝及其合金等称为第二代半导体材料；而将宽禁带（Eg>2.3eV）的氮化镓、碳化硅、硒化锌和金刚石等称为第三代半导体材料。
上述材料是目前主要应用的半导体材料，三代半导体材料代表品种分别为硅、砷化镓和氮化镓。
半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基础材料，支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术等电子信息产业的发展。
中国半导体材料市场自2003年以来已连续4年维持增长，且2007年全球规模已达423.93亿美元，较2006年增长约14%，其中晶圆制程材料增长17%，达到250亿美元，封装材料则增长9%，达到170亿美元。
而2007年全球整个半导体市场仅增长3%，达到2556亿美元。
中国半导体材料市场发展迅速，预计2010年，半导体材料的销售额将达到530亿美元。
与晶圆制造材料类似，封装材料预计在2009年和2010年将分别增长9％和6％，2010年将达206亿美元。
世界半导体行业巨头纷纷到国内投资，整个半导体行业快速发展，这也要求材料业要跟上半导体行业发展的步伐。
可以说，市场发展为半导体支撑材料业带来前所未有的发展机遇。
基于以上现状，山东爱和科技有限公司拟利用现有生产及技术优势开发生产半导体材料，以满足市场的需求。
该项目拟在禹城市高新技术开发区，新建生产车间、仓库以及水电气等公用基础设施厂房8664平方米，新上各种生产和检测设备35台（套），形成年产导电涂层材料、树脂材料、防静电树脂材料等半导体材料1.5万吨。
通过初步分析估算，本项目工程总投资构成及资金来源为：
1、项目总投资4800万元。
其中，建设投资4501万元，在建设投资中，建筑工程费545万元，设备购置及安装费3563万元，其它费用113万元,基本预备费280万元。
2、资金来源为企业自筹资金。
3、本项目完成后，达产年企业新增销售收入15000万元，新增利税1514万元（其中利润总额792万元，销售税金及附加722万元）。
该项目从半导体材料科研开发到生产，形成了一条开发、生产、推广、销售为一体的产业化链条，不仅为社会提供劳动就业机会，为国家和地方增加税收，同时也带动了与之相关的机械制造、运输物流、城市基础设施建设等行业的发展。
该项目符合国家产业政策和行业发展要求，产品市场广阔，经济效益和社会效益显著，抗风险能力强。
通过研究可以看出本项目依据条件较好，工艺技术成熟可靠，无论在技术上还是在经济效益上都是可行的。
第五节主要技术经济指标
主要技术经济指标表
序号
项目
单位
指标
备注
1
生产规模
年产半导体材料
万吨
1.5
2
项目总投资
万元
4800
其中：
建设投资
万元
4501
铺底流动资金
万元
299
3
流动资金
万元
4152
4
项目厂区占地面积
平方米
8664
5
项目定员
人
200
其中：
技术管理人员
人
40
工人
人
160
7
全年生产天数
天
300
8
人员工作日
天
250
9
销售收入
万元/年
15000
10
总成本
万元/年
13486
正常年
11
利税
万元/年
1514
正常年
12
利润
万元/年
792
正常年（税后）
13
总投资收益率
%
31.54
14
财务内部收益率
%
12.43
税后
15
投资回收期
年
5.54
含建设期、税后
第二章项目提出的背景及建设的必要性
第一节项目提出的背景
一、半导体材料现状
（一）世界半导体材料现状
1、半导体硅材料：
半导体硅材料自从60年代被广泛应用于各类电子元器件以来，其用量平均大约以每年12～16%的速度增长。
目前全世界每年消耗约18000～25000吨半导体级多晶硅，消耗6000～7000吨单晶硅，硅片销售金额约60～80亿美元。
可以说在未来30～50年内，硅材料仍将是LSI工业最基础和最重要的功能材料。
电子工业的发展历史表明，没有半导体硅材料的发展，就不可能有集成电路、电子工业和信息技术的发展。
半导体硅材料分为多晶硅、单晶硅、硅外延片以及非晶硅、浇注多晶硅、淀积和溅射非晶硅等。
现行多晶硅生产工艺主要有改良西门子法和硅烷热分解法。
主要产品有棒状和粒状两种，主要是用作制备单晶硅以及太阳能电池等。
生长单晶硅的工艺可分为区熔（FZ）和直拉（CZ）两种。
其中，直拉硅单晶（CZ-Si）广泛应用于集成电路和中小功率器件。
区域熔单晶（FZ-Si）目前主要用于大功率半导体器件，比如整流二极管，硅可控整流器，大功率晶体管等。
单晶硅和多晶硅应用最广。
经过多年的发展和竞争，国际硅材料行业出现了垄断性企业，日本、德国和美国的六大硅片公司的销量占硅片总销量的90%以上，其中信越、瓦克、SUMCO和MEMC四家的销售额占世界硅片销售额的70%以上，决定着国际硅材料的价格和高端技术产品市场，其中以日本的硅材料产业最大，占据了国际硅材料行业的半壁江山。
在集成电路用硅片中，8英寸的硅片占主流，约40～50％，6英寸的硅片占30％。
当硅片的直径从8英寸到12英寸时，每片硅片的芯片数增加2.5倍，成本约降低30％，因此，国际大公司都在发展12英寸硅片，2006年产量将达到13.4亿平方英寸，将占总产量的20%左右。
2、砷化镓单晶材料：
砷化镓是微电子和光电子的基础材料，为直接带隙，具有电子饱和漂移速度高、耐高温、抗辐照等特点，在超高速、超高频、低功耗、低噪声器件和电路，特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势。
目前，世界砷化镓单晶的总年产量已超过200吨（日本1999年的砷化镓单晶的生产量为94吨）。
用于大量生产砷化镓晶体的方法是传统的LEC法（液封直拉法）和HB法（水平舟生产法）。
国外开发了兼具以上2种方法优点的VGF法（垂直梯度凝固法）、VB法（垂直布里支曼法）和VCZ法（蒸气压控制直拉法），成功制备出4～6英寸大直径GaAs单晶。
其中以低位错密度的HB方法生长的2～3英寸的导电砷化镓衬底材料为主。
移动电话用电子器件和光电器件市场快速增长的要求，使全球砷化镓晶片市场以30%的年增长率迅速形成数十亿美元的大市场，预计未来20年砷化镓市场都具有高增长性。
日本是最大的生产国和输出国，占世界市场的70～80%；美国在1999年成功地建成了3条6英寸砷化镓生产线，在砷化镓生产技术上领先一步。
日本住友电工是世界最大的砷化镓生产和销售商，年产GaAs单晶30t。
美国AXT公司是世界最大的VGFGaAs材料生产商。
世界GaAs单晶主要生产商情况见表6。
国际上砷化镓市场需求以4英寸单晶材料为主，而6英寸单晶材料产量和市场需求快速增加，已占据35%以上的市场份额。
研制和小批量生产水平达到8英寸。
近年来，为满足高速移动通信的迫切需求，大直径（6～8英寸）的Si-GaAs发展很快，4英寸70厘米长及6英寸35厘米长和8英寸的半绝缘砷化镓（Si-GaAs）也在日本研制成功。
磷化铟具有比砷化镓更优越的高频性能，发展的速度更快，但研制直径4英寸以上大直径的磷化铟单晶的关键技术尚未完全突破，价格居高不下。
3、宽禁带氮化镓材料:
国外对SiC的研究早在五十年代末和六十年代初就已开始了。
到了八十年代中期，美国海军研究局和国家宇航局与北卡罗来纳州大学签订了开发SiC材料和器件的合同，并促成了在1987年建立专门研究SiC半导体的Cree公司。
九十年代初，美国国防部和能源部都把SiC集成电路列为重点项目，要求到2000年在武器系统中要广泛使用SIC器件和集成电路，从此开始了有关SiC材料和器件的系统研究，并取得了令人鼓舞的进展。
即目前为止，
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