肖特基工艺流程.ppt

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N-N+1、投片、打标二极管的工艺流程二极管的工艺流程2004-7-262、清洗、氧化，目的：

生长二氧化硅N-N+2004-7-26N-N+3.OAP及匀胶2004-7-26N-N+4.光刻曝光、显影、后烘2004-7-26N-N+5、坚膜、腐蚀2004-7-26N-N+6、坚膜、注入B2004-7-26N-N+7、去胶2004-7-268、B推结、氧化，形成P+隔离及下次光刻掩膜N-N+2004-7-269、光刻，刻引线孔N-N+2004-7-26N-N+10清洗、P-注入前氧化2004-7-26N-N+B11、P-注入，目的：

提高电压降低漏电流2004-7-26N-N+12、漂酸，去掉引线孔氧化层2004-7-26N-N+13、清洗、蒸Cr2004-7-2614、合金，形成合金势垒N-N+2004-7-26N-N+15、扒Cr2004-7-2617、清洗、蒸发，蒸发铝N-N+2004-7-2618、反刻铝N-N+2004-7-26N-N+19、背面减薄2004-7-2620、清洗、漂酸、背面金属化N-N+2004-7-26