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肖特基工艺流程.ppt

N-N+1、投片、打标二极管的工艺流程二极管的工艺流程2004-7-262、清洗、氧化,目的:生长二氧化硅 N-N+2004-7-26 N-N+3.OAP及匀胶2004-7-26 N-N+4.光刻曝光、显影、后烘2004-7-26 N-N+5、坚膜、腐蚀2004-7-26 N-N+6、坚膜、注入B2004-7-26 N-N+7、去胶2004-7-268、B推结、氧化,形成P+隔离及下次光刻掩膜 N-N+2004-7-269、光刻,刻引线孔 N-N+2004-7-26 N-N+10 清洗、P-注入前氧化2004-7-26 N-N+B11、P-注入,目的:提高电压降低漏电流2004-7-26 N-N+12、漂酸,去掉引线孔氧化层2004-7-26 N-N+13、清洗、蒸Cr2004-7-2614、合金,形成合金势垒 N-N+2004-7-26 N-N+15、扒Cr2004-7-2617、清洗、蒸发,蒸发铝 N-N+2004-7-2618、反刻铝 N-N+2004-7-26 N-N+19、背面减薄2004-7-2620、清洗、漂酸、背面金属化 N-N+2004-7-26

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