单晶硅与多晶硅.docx
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单晶硅与多晶硅
单晶硅与多晶硅的区别、功能及优缺点
来源:
时间:
2012/4/189:
54:
26
单晶硅
硅有晶态和无定形两种同素异形体。
晶态硅又分为单晶硅和多晶硅,它们均具有金刚石晶格,晶体硬而脆,具有金属光泽,能导电,但导电率不及金属,且随温度升高而增加,具有半导体性质。
单晶硅在日常生活中是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。
电视、电脑、冰箱、电话、手表、汽车,处处都离不开单晶硅材料,单晶硅作为科技应用普及材料之一,已经渗透到人们生活中的各个角落。
单晶硅在火星上是火星探测器中太阳能转换器的制成材料。
火星探测器在火星上的能量全部来自太阳光,探测器白天休息---利用太阳能电池板把光能转化为电能存储起来,晚上则进行科学研究活动。
也就是说,只要有了单晶硅,在太阳光照到的地方,就有了能量来源。
单晶硅在太空中是航天飞机、宇宙飞船、人造卫星必不可少的原材料。
人类在征服宇宙的征途上,所取得的每一步进步,都有着单晶硅的身影。
航天器材大部分的零部件都要以单晶硅为基础。
离开单晶硅,卫星会没有能源,没有单晶硅,航天飞机和宇航员不会和地球取得联系,单晶硅作为人类科技进步的基石,为人类征服太空作出了不可磨灭的贡献。
单晶硅在太阳能电池中得到广泛的应用。
高纯的单晶硅是重要的半导体材料,在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天,利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能,实现了迈向绿色能源革命的开始。
单晶硅太阳能电池的特点:
1.光电转换效率高,可靠性高;2.先进的扩散技术,保证片内各处转换效率的均匀性;3.运用先进的PECVD成膜技术,在电池表面镀上深蓝色的氮化硅减反射膜,颜色均匀美观;4.应用高品质的金属浆料制作背场和电极,确保良好的导电性。
单晶硅广阔的应用领域和良好的发展前景北京2008年奥运会将把"绿色奥运"做为重要展示面向全世
界展现,单晶硅的利用在其中将是非常重要的一环。
现在,国外的太阳能光伏电站已经到了理论成熟阶段,正在向实际应用阶段过渡,太阳能硅单晶的利用将是普及到全世界范围,市场需求量不言而喻。
单晶硅的提炼:
纯度不高的单质硅可用金属镁或铝还原二氧化硅制得,但这是无定形硅。
晶形硅则
要在电弧炉内用碳还原二氧化硅制得,它可用来生产硅钢片。
用作半导体的超纯硅的制法则是先用纯度不高的硅与氯化氢和氯气的混合物作用,制取三氯氢硅,并用精馏法提纯。
然后在还原炉内用纯氢将三氯氢硅还原,硅就沉积在用超纯硅制成的细芯上,这样制得的超纯硅称为多晶硅,把它放在单晶炉内,就可拉制成单晶硅,可用作半导体材料,它的来源丰富,价格便宜,大部分半导体材料都用硅。
多晶硅
多晶硅是单质硅的一种形态。
熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成
许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。
多晶硅可作拉制单晶硅的原料,多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。
例如,在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面,远不如单晶硅明显;在电学性质方面,多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著,甚至于几乎没有导电性。
在化学活性方面,两者的差异极小。
多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别,但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。
高纯的单晶硅是重要的半导体材料。
在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素,形成p型硅半导体;掺
入微量的第VA族元素,形成n型和p型半导体结合在一起,可做成太阳能芯片,将辐射能转变为电能。
在开发能源方面是一种很有前途的材料。
多晶硅具有金刚石晶格,晶体硬而脆,具有金属光泽,能导电,但导电率不及金属,且随温度升高而增加,具有半导体性质。
晶态硅的熔点1410℃,沸点2355℃,密无定
形硅是一种黑灰色的粉末。
多晶硅被喻为微电子产业和光伏产业的"基石",它是跨化工、冶金、机械、电子等多学科、多领域
的高新技术产品,是半导体、大规模集成电路和太阳能电池产业的重要基础原材料,是硅产品产业链中极
为重要的中间产品。
它的发展与应用水平,已经成为衡量一个国家综合国力、国防实力和现代化水平的重
要标志。
据了解,目前国内生产多晶硅产品的厂家为数很少,远远无法满足国内微电子产业和太阳能电池
产业的高速发展。
随着我国集成电路、硅片生产和太阳能电池产业的发展,多晶硅在国内国际市场需求巨大,价格不断攀升多晶硅。
性质:
灰色金属光泽。
密度2.32~2.34。
熔点1410℃。
沸点2355℃。
溶于氢氟酸和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和盐酸。
硬度介于锗和石英之间,室温下质脆,切割时易碎裂。
加热至800℃以上即有延性,1300℃时显出明显变形。
常温下不活泼,高温下与氧、氮、硫等反应。
高温熔融状态下,具有较大
的化学活泼性,能与几乎任何材料作用。
具有半导体性质,是极为重要的优良半导体材料,但微量的杂质
即可大大影响其导电性。
电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子
计算机等的基础材料。
由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化,再经冷凝、精馏、还原而得。
多晶硅是单质硅的一种形态。
熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成
许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。
多晶硅可作拉
制单晶硅的原料,多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。
例如,在力学性质、光学性质和热学
性质的各向异性方面,远不如单晶硅明显;在电学性质方面,多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著,
甚至于几乎没有导电性。
在化学活性方面,两者的差异极小。
多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别,但真
正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。
供不应求,发展前景十分广阔。
正因
为如此,很多人都说,谁掌握了多晶硅及微电子技术,谁就掌握了世界。
名称:
单晶硅英文名:
Monocrystallinesilicon
分子式:
Si
硅的单晶体。
具有基本完整的点阵结构的晶体。
不同的方向具有不同的性质,是一种良好的半导材料。
纯度要求达到99.9999%,甚至达到99.9999999%以上。
用于制造半导体器件、太阳能电池等。
用高纯度
的多晶硅在单晶炉内拉制而成。
熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。
单晶硅具有准金属的物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加,有显著的半导电性。
超纯的单晶硅是本征半导体。
在超纯单晶硅中掺入微量的Ⅲ
A族元素,如硼可提高其导电的程度,而形成p型硅半导体;如掺入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可提
高导电程度,形成n型硅半导体。
单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。
单晶硅主要用于制作半导体元件。
用途:
是制造半导体硅器件的原料,用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等。
单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。
其主
要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。
由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势,近三十年来,太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展,成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。
单晶硅建设项目具有巨大的市场和广阔的发展空间。
在地壳中含量达25.8%的硅元素,为单晶硅的
生产提供了取之不尽的源泉。
近年来,各种晶体材料,特别是以单晶硅为代表的高科技附加值材料及其相关高技术产业的发展,成为当代信息技术产业的支柱,并使信息产业成为全球经济发展中增长最快的先导产业。
单晶硅作为一种极具潜能,亟待开发利用的高科技资源,正引起越来越多的关注和重视。
在太阳能利用上,单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。
虽然从目前来讲,要使太阳能发电具有较大的市场,被广大的消费者接受,就必须提高太阳电池的光电转换效率,降低生产成本。
从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。
从工业化发展来看,重心由单晶向多晶硅和薄膜方向发展,主要原因为:
A.可供应太阳电池的头尾料愈来愈少;
B.对太阳电池来讲,方形基片更合算,通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料;
C.多晶硅的生产工艺不断取得进展,全自动浇铸炉每生产周期（50小时）可生产200公斤以上的硅锭,晶粒的尺寸达到厘米级;
D.由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快,其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产,例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极,采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米,高度达到15微米以上,快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间,单片热工序时间可在一分钟之内完成,采用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过14%。
据报道,目前在50~60微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过16%。
利用机械刻槽、丝网印刷技术在100平方厘米多晶上效率超过17%,无机械刻槽在同样面积上效率达到16%,采用埋栅结构,机械刻槽在130平方厘米的多晶上电池效率达到15.8%。
（1）单晶硅太阳能电池
目前单晶硅太阳能电池的光电转换效率为17%左右,最高的达到24%,这是目前所有种类的太阳能电池中光电转换效率最高的,但制作成本很大,以致于它还不能被大量广泛和普遍地使用。
由于单晶硅一般采用钢化玻璃以及防水树脂进行封装,因此其坚固耐用,使用寿命最高可达25年。
（2）多晶硅太阳能电池
多晶硅太阳电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多,但是多晶硅太阳能电池的光电转换效率则要降低不少,其光电转换效率约15%左右。
从制作成本上来讲,比单晶硅太阳能电池要便宜一些,材料制造简便,节约电耗,总的生产成本较低,因此得到大量发展。
此外,多晶硅太阳能电池的使用寿命也要比单晶硅太阳能电池短。
从性能价格比来讲,单晶硅太阳能电池还略好。
（3）非晶硅太阳能电池（薄膜式太阳电池）
非晶硅太阳电池是1976年出现的新型薄膜式太阳电池,它与单晶硅和多晶硅太阳电池的制作方法完全不同,工艺过程大大简化,硅材料消耗很少,电耗更低,它的主要优点是在弱光条件也能发电。
但非晶硅太阳电池存在的主要问题是光电转换效率偏低,目前国际先进水平为10%左右,且不够稳定,随着时间的延长,其转换效率衰减
编辑词条单晶硅中文别名:
硅单晶
英文名:
Monocrystallinesilicon
分子式:
Si
分子量:
28.086
CAS号:
7440-21-3
硅是地球上储藏最丰富的材料之一,从19世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后,它几乎改变了一切,甚至人类的思维。
直到上世纪60年代开始,硅材料就取代了原
有锗材料。
硅材料――因其具有耐高温和抗辐射性能较好,特别适宜制作大功率器件的特性
而成为应用最多的一种半导体材料,目前的集成电路半导体器件大多数是用硅材料制造的。
硅的单晶体。
具有基本完整的点阵结构的晶体。
不同的方向具有不同的性质,是一种
良好的半导材料。
纯度要求达到99.9999%,甚至达到99.9999999%以上。
用于制造半导体器件、太阳能电池等。
用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。
单晶硅熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长
成晶面取向相同的晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。
单晶硅具有准金属的
物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加,有显著的半导电性。
超纯的
单晶硅是本征半导体。
在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素,如硼可提高其导电的程度,而形成p型硅半导体;如掺入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可提高导电程度,形成n型
硅半导体。
单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从
熔体中生长出棒状单晶硅。
单晶硅主要用于制作半导体元件。
用途:
是制造半导体硅器件的原料,用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等
现在,我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用,晶体硅太阳能电池是近15年来
形成产业化最快的。
熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面
取向相同的晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。
单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中
生长出棒状单晶硅。
单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料,随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加,单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。
单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。
直径越大的圆片,所能刻制的集成电路越多,芯片的成本也就越低。
但大尺寸晶片对
材料和技术的要求也越高。
单晶硅按晶体伸长方法的不同,分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。
直拉法、区熔法伸长单晶硅棒材,外延法伸长单晶硅薄膜。
直拉法伸长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。
目前晶体直径可
控制在Φ3~8英寸。
区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域,广泛用于大功率
输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。
目前晶体直
径可控制在Φ3~6英寸。
外延片主要用于集成电路领域。
由于成本和性能的原因,直拉法（CZ）单晶硅材料应用最广。
在IC工业中所用的材
料主要是CZ抛光片和外延片。
存储器电路通常使用CZ抛光片,因成本较低。
逻辑电路一般使用价格较高的外延片,因其在IC制造中有更好的适用性并具有消除Latch-up的能力。
硅片直径越大,技术要求越高,越有市场前景,价值也就越高。
多晶硅;polycrystallinesilicon
性质:
灰色金属光泽。
密度2.32~2.34。
熔点1410℃。
沸点2355℃。
溶于氢
氟酸和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和盐酸。
硬度介于锗和石英之间,室温
下质脆,切割时易碎裂。
加热至800℃以上即有延性,1300℃时显出明显变形。
常温下不活泼,高温下与氧、氮、硫等反应。
高温熔融状态下,具有较大的化
学活泼性,能与几乎任何材料作用。
具有半导体性质,是极为重要的优良半导
体材料,但微量的杂质即可大大影响其导电性。
电子工业中广泛用于制造半导
体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。
由干
燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化,再经冷凝、精馏、还原而得。
多晶硅是单质硅的一种形态。
熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金
刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些
晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。
多晶硅可作拉制单晶硅的原料,多晶硅与单
晶硅的差异主要表现在物理性质方面。
例如,在力学性质、光学性质和热学性
质的各向异性方面,远不如单晶硅明显;在电学性质方面,多晶硅晶体的导电
性也远不如单晶硅显著,甚至于几乎没有导电性。
在化学活性方面,两者的差
异极小。
多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别,但真正的鉴别须通过分析测定
晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。
下面是单晶硅和多晶硅的一点资料:
多晶硅是生产单晶硅的直接原料,是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换
等半导体器件的电子信息基础材料。
被称为“微电子大厦的基石”。
在太阳能利用上,单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。
虽然从目前来讲,要使太阳
能发电具有较大的市场,被广大的消费者接受,就必须提高太阳电池的光电转换效率,降低生产成本。
从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。
从工业化发展来看,重心已由单晶向多晶方向发展,主要原因为;[1]可供应太阳电池
的头尾料愈来愈少;[2]对太阳电池来讲,方形基片更合算,通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料;[3]多晶硅的生产工艺不断取得进展,全自动浇
铸炉每生产周期（50小时）可生产200公斤以上的硅锭,晶粒的尺寸达到厘米级;[4]由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快,其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产,
例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极,采用丝
网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米,高度达到15微米以上,快速热退火技
术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间,单片热工序时间可在一分钟之内完成,采
用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过14%。
据报道,目前在50~60微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过16%。
利用机械刻槽、丝网印刷技
术在100平方厘米多晶上效率超过17%,无机械刻槽在同样面积上效率达到16%,
采用埋栅结构,机械刻槽在130平方厘米的多晶上电池效率达到15.8%
单晶硅和多晶硅的区别是,当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则形成单晶硅。
如果这些晶核长成晶面
取向不同的晶粒,则形成多晶硅。
多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。
例如在力学性质、电学性质等方面,多晶硅均不如单晶硅。
多晶硅可作为拉制单晶硅
的原料。
单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了,一般的半导体器件要求硅的纯度
六个9以上。
大规模集成电路的要求更高,硅的纯度必须达到九个9。
目前,人们已
经能制造出纯度为十二个9的单晶硅。
单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科
学技术中不可缺少的基本材料
单晶硅和多晶硅的区别是,当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成
许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则形成单晶硅。
如果这些
晶核长成晶面取向不同的晶粒,则形成多晶硅。
多晶硅与单晶硅的差异主要表
现在物理性质方面。
例如在力学性质、电学性质等方面,多晶硅均不如单晶硅。
多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。
单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了,
一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。
大规模集成电路的要求更高,硅
的纯度必须达到九个9。
目前,人们已经能制造出纯度为十二个9的单晶硅。
单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。
高纯度硅在石英中提取,以单晶硅为例,提炼要经过以下过程:
石英砂一冶金
级硅一提纯和精炼一沉积多晶硅锭一单晶硅一硅片切割。
冶金级硅的提炼并不难。
它的制备主要是在电弧炉中用碳还原石英砂而成。
这
样被还原出来的硅的纯度约98-99%,但半导体工业用硅还必须进行高度提纯（电子级多晶硅纯度要求11个9,太阳能电池级只要求6个9）。
而在提纯过程中,有一项“三氯氢硅还原法（西门子法）”的关键技术我国还没有掌握,由于没有
这项技术,我国在提炼过程中70%以上的多晶硅都通过氯气排放了,不仅提炼
成本高,而且环境污染非常严重。
我国每年都从石英石中提取大量的工业硅,
以1美元/公斤的价格出口到德国、美国和日本等国,而这些国家把工业硅加
工成高纯度的晶体硅材料,以46-80美元/公斤的价格卖给我国的太阳能企业。
得到高纯度的多晶硅后,还要在单晶炉中熔炼成单晶硅,以后切片后供集成电
路制造等用。
什么是单晶硅
可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和
深加工制造,其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域,
在军事电子设备中也占有重要地位。
在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天,利用硅单晶所生产的
太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能,实现了迈向绿色能源革命的开始。
北京2008年奥运会将把“绿色奥运”做为重要展示面向全世界展现,单晶硅的利
用在其中将是非常重要的一环。
现在,国外的太阳能光伏电站已经到了理论成
熟阶段,正在向实际应用阶段过渡,太阳能硅单晶的利用将是普及到全世界范围,市场需求量不言而喻。
河北宁晋单晶硅工业园区正是响应这种国际趋势,
为全世界提供性能优良、规格齐全的单晶硅产品。
单晶硅产品包括φ3”----φ6”单晶硅圆形棒、片及方形棒、片,适合各种半导体、电子类产品的生产需要,其产品质量经过当前世界上最先进的检测仪器进行检验,达到世界先进水平。
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