技术规格.docx

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技术规格

附录二部分部件、设备的技术规格

（一）内存技术规格识别

　 从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。

当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。

我们可以借助SiSoftSandra2001（下载地址http:

//www.sisoftware.co.uk/index.htm）这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAMPC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。

内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。

1、内存的定义

内存指的就是主板上的存储部件，是CPU直接与之沟通，并对其存储数据的部件。

存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，它的物理实质就是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路。

2、内存的分类

1）内存类型分类

•RAM（RandomAccessMemory）

随机读写存储器

•ROM（ReadOnlyMemory）

只读存储器

•SRAM（StaticRandomAccessMemory）

静态随机读写存储器

•DRAM（DynamicRandomAccessMemory）

动态随机读写存储器

2）内存芯片分类

•FPM（Fast-PageMode）DRAM

快速页面模式的DRAM

•EDO（ExtendedDataOut）DRAM

即扩展数据输出DRAM速度比FPMDRAM快15%~30%

•BEDO（BurstEDO）DRAM

突发式EDODRAM性能提高40%左右

•SDRAM（SynchronousDRAM）

同步DRAM与CPU的外部工作时钟同步

•RDRAM（RambusDRAM）

•DDR（DoubleDataRate）DRAM

3）按内存速度分

•PC66

•PC100

•PC133

•PC200

•PC266

4）按内存接口形式分

•SIMM（Single-InLineMemoryModule）

•单边接触内存条,分为30线和72线两种。

•DIMM（DualIn-LineMemoryModule）

•双边接触内存条，168线，184线，200线等，目前广泛使用168线DIMM。

•SODIMMSmallOutlineDualIn-lineMemoryModule

144线DIMM主要用于笔记本型电脑

•RIMM

5）按是否有缓冲分

•Unbuffered

•Registered

6）按是否有校验分

•Non-ECC

•ECC

3、PC66/100SDRAM内存标注格式

（1）1.0---1.2版本

　这类版本内存标注格式为：

PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6。

5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合IntelPC100规范的为1。

2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

（2）1.2b+版本

　　其格式为：

PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4nstAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

4、PC133SDRAM（版本为2.0）内存标注格式

 　威盛和英特尔都提出了PC133SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。

　　PC133SDRAM标注格式为：

PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型（R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4nstAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。

5、PC1600/2100DDRSDRAM（版本为1.0）内存标注格式

　　其格式为：

PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型（R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5nstAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。

6、RDRAM内存标注格式

　　其格式为：

aMB/bcdPCe，例如256MB/16ECCPC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。

7、各厂商内存芯片编号

（1）HYUNDAI（现代）

　　现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：

HY5abcdefghijklm-no

　　其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型（57=SDRAM，5D=DDRSDRAM）；b代表工作电压（空白=5V，V=3.3V,U=2.5V）；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4KRef，64=64Mbits、8KRef，65=64Mbits、4KRef，128=128Mbits、8KRef，129=128Mbits、4KRef，256=256Mbits、16KRef，257=256Mbits、8KRef）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL［LowVoltageTTL］接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-II，TD=13mmTSOP-II，TG=16mmTSOP-II）；no代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100CL2或3］，10s=10ns［PC-100CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。

　　例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4Krefresh　cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400milTSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。

　　市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。

一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。

（2）LGS［LGSemicon］

　　LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。

　　LGSSDRAM内存芯片编号格式为：

GM72Vabcde1fgThi

　　其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量（16=16Mbits，66=64Mbits）；cd表示数据位宽（一般为4、8、16等）；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns［133MHz］，8=8ns［125MHz］，7K=10ns［PC-100CL2或3］，7J=10ns［100MHz］，10K=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=15ns［66MHz］）。

　　例如GM72V661641CT7K，表示LGsSDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。

　　LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；8是真正的8nsPC100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。

（3）Kingmax（胜创）

　　Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。

采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如KingmaxPC150内存在某些KT133主板上竟然无