解读内存颗粒编号含义.docx

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解读内存颗粒编号含义

现代内存颗粒编号含义

现代品牌的内存在国内的销售量一直名列前茅，不少消费者选购内存时都会考虑产品的规格参数。

其实，小编有一个方法可以让消费者简单直观的了解到内存的规格－－解读编号含义，现在我们以现代内存为例，图解说明让大家迅速学会解读编号。

现代内存颗粒的编号是由四段字母或数字组成，如下图一所示，下面，小编就给大家分别解释，主要对内存规格进行说明。

A部分标明的是生产此颗粒企业的名称－－Hynix。

B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。

第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。

如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。

C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。

由1-3位字母和数字共同组成。

其根据频率、延迟参数不同，分别可以用＂D5、D43、D4、J、M、K、H、L＂8个字母/数字组合来表示。

其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。

D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。

具体详细内容如图二所示。

D部分编号12个小部分分解示意图

采用现代颗粒的内存颗粒特写

第1部分代表该颗粒的生产企业。

＂HY＂是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。

第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成。

＂5D＂表示为DDR内存，＂57＂表示为SDRAM内存。

第3部分代表工作电压，由一个字母组成。

其中含义为V代表VDD=3.3V&VDDQ=2.5V；U代表VDD=2.5V&VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V&VDDQ=1.8V；S代表VDD=1.8V&VDDQ=1.8V来分别代表不同的工作电压。

第4部分代表内存模组的容量和刷新设置，由两位数字或字母组成。

对于DDR内存，分别由＂64、66、28、56、57、12、1G＂来代表不同的容量和刷新设置。

其中含义为：

64代表64MB容量，4K刷新；66代表64MB容量，2K刷新；28代表128MB容量，4K刷新；56代表256MB容量，8K刷新；57代表256MB容量，4K刷新；12代表512MB容量，8K刷新；1G代表1GB容量，8K刷新。

第5部分代表该内存颗粒的位宽，由1个或2个数字组成。

分为4种情况，分别用＂4、8、16、32＂来分别代表4bit、8bit、16bit和32bit。

第6部分表示的是Bank数，由1个数字组成。

有三种情况，分别是＂1＂代表2bank，＂2＂代表4bank，＂4＂代表8bank。

第7部分代表接口类型，由一个数字组成。

分为三种情况，分别是＂1＂代表SSTL_3，＂2＂代表SSTL_2；＂3＂代表SSTL_18。

第8部分代表该颗粒的版本，由一个字母组成。

这部分的字母在26个字母中的位置越靠后，说明该内存颗粒的版本越新，目前为止HY内存共有5个版本，表现在编号上，空白表示第一版，＂A＂表示第二版，依次类推，到第5版则有＂D＂来代表。

购买内存的时候版本越说明新电器性能越好。

第9部分代表的是功耗。

如果该部分是空白，则说明该颗粒的功耗为普通，如果该部分出现了＂L＂字母，则代表该内存颗粒为低功耗。

第10部分代表内存的封装类型，由一个或两个字母组成。

由＂T＂代表TOSP封装，＂Q＂代表LOFP封装，＂F＂代表FBGA封装，＂FC＂代表FBGA（UTC：

8x13mm）封装。

第11部分代表堆叠封装，由一个或两个字母组成。

空白代表普通；S代表Hynix；K代表M&T；J代表其它；M代表MCP（Hynix）；MU代表MCP（UTC）。

第12部分代表封装材料，由一个字母组成。

空白表示普通，＂P＂代表铅，＂H＂代表卤素，＂R＂代表铅和卤素。

总的说来，其实只要记住第2、3、6和C部分等几处数字的实际含义，就能很轻松对使用现代DDRSDRAM内存颗粒的产品进行辨别。

尤其是C部分数字，它将很明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。

那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，你也消楚的知道这款内存的真正的性能如何。

Micron的内存编码分析

内存是计算机的重要部件，如果准备购买Micron品牌内存的消费者学会解读内存芯片的编码，可以避免购买到＂以假充真＂的伪劣产品。

Micron公司对各种内存芯片产品都采用统一的统一编号规则，所以学习Micron的内存编号并不复杂。

A字段由MT组成，代表Micron内存芯片的前缀。

B字段表示产品类型。

4代表DRAM46代表DDRSDRAM47代表DDRII48代表SDRAM49代表RLDRAM。

C字段表示工作电压、生产技术。

C代表VCC电压为5V、CMOS工艺LC代表VDD电压为3.3V、CMOS工艺V代表VDD电压为2.5V、CMOS工艺H代表VDD电压为1.8V、CMOS工艺。

D字段表示密度与宽度，格式为：

16M8，表示16Mbit密度，8位数据宽度。

这组字符是以字母区隔开，字母前面表示密度，字母表示密度的单位，字母后面表示数据宽度。

没有字母表示密度的单位为BitK表示密度的单位为KbitM表示密度的单位为MbitG表示密度的单位为Gbit。

E字段代表内存芯片的内核版本号，此字段也可能是空白。

F字段表示内存芯片的封装方式。

DJ表示SOJ封装;DW表示SOJ（Wide）;F表示FBGA（54针，4面封装）;FB表示FBGA（60针、84针8＊16）;FC表示FBGA（60针、90针和144针，11＊13）;FD表示FBGA（80针，9＊16）;FF表示FBGA（54针，8＊9）;FG表示FBGA（54针，8＊14）;FH表示FBGA（84针，11＊16）;FJ表示FBGA（60针，9＊16）;FK表示FBGA（60针，90针和144针，12＊12）;FM表示FBGA（144针，11＊18.5）FN表示FBGA（60针，10＊12.5）;FT表示FBGA（92针，11＊19）;FW表示FBGA（135针，11＊13）;FX表示FBGA（60针，10＊18.25）;F1表示FBGA（62针，13＊13）;F2表示FBGA（84针，11＊15）;LG表示TQFPR1表示FBGA（62针，13＊13;）R2表示FBGA（84针，11＊15）;TG表示TSOP（TypeII）;TH表示TSOP（TypeII）扩大宽度;TG表示StackedTSOP

G字段表示内存芯片的时钟频率。

对于SDRAM内存芯片，-15代表66MHz;-12代表83MHz;-10代表100MHz;-8A代表125MHz（PC100）;-8C代表125MHz（PC100）;-8E代表125MHz（PC100）;-75代表133MHz（PC133）;-7E代表133MHz（PC133）;-7代表143MHz（PC133）;-65代表150MHz-6代表167MHz;-6A代表167MHz;-55代表183MHz;-5代表200MHz。

对于DDRSDRAM内存芯片，-10代表100MHz（DDR200）；-8代表125MHz（DDR200）；-75代表133MHz（DDR266x）-75Z代表133MHz（DDR266B）；-75E代表133MHz（DDR266A）；-65代表150MHz（DDR333x）；-6G代表167MHz（DDR333x）；-6T代表167MHz（DDR333x）；-6代表167MHz（DDR333x）；-55代表183MHz-5代表200MHz。

对于DDR-IISDRAM内存芯片，-5代表200MHz-37代表267MHz。

对于RLDRAM内存芯片，-5代表200MHz-；4代表250MHz；-33代表300MHz。

H字段表示功耗，此字段也可能是空白。

L代表低功耗S代表自动更新。

I字段表示工作温度。

空白代表商业温度（0℃～+70℃）I代表工业温度（-40℃～+85℃）。

J字段为特殊处理的代码。

ES代表工程样品MS代表机械样品K代表过渡提供的样品H代表高速。

华邦内存的编号含义

虽然我们在零售市场看不到华邦原厂的内存条，但是不少著名内存厂商都会采用华邦生产的内存芯片。

现在让我们一起来学习，华邦内存的编码含义。

A字段由W组成，代表华邦（Winbond）内存芯片的前缀。

B字段表示产品类型。

98代表SDRAM内存94代表DDRSDRAM内存。

C字段表示内存芯片的容量。

16代表16Mbit（2MB）32代表32Mbit（4MB）64代表64Mbit（8MB）12代表128Mbit（16MB）25代表256Mbit（32MB）。

要计算内存条的总容量，只需将内存芯片的容量乘上内存芯片的数量即可。

D字段表示内存结构。

08代表＊816或G6代表＊1632或G2代表＊32。

E字段表示内存芯片的修正版本。

A代表第1版B代表第2版C代表第3版D代表第4版。

F字段表示内存芯片的封装方式。

B代表60ballsBGA、90ballsBGA或144-BallLFBGA封装D代表100-PinLQFP封装H代表50-Pin400milTSOP、66-Pin400milTSOP或86-Pin400milTSOP封装。

G字段表示内存芯片的速度标识。

对于SDRAM而言：

-5代表200MHz（CL=3）-6代表166MHz（CL=3）-7代表143MHz（CL=3）或PC133（CL=2）-75代表PC133（CL=3）-8H代表PC100（CL=2）。

对于DDRSDRAM而言：

-4代表250MHz（CL=3/4）-5代表DDR400（CL=2.5）-5H代表200MHz（CL=3）-55代表183MHz（CL=3）-6代表DDR333（CL=2.5）-7代表143MHz（CL=2.5）或DDR266（CL=2）-75代表DDR266（CL=2.5）。

H字段表示工作温度类型（此字段也可空白）。

空白或L代表正常温度（0℃～70℃），I代表工业温度（-40℃～85℃）或扩大温度（-25℃～85℃）。

金士顿内存编码含义分析与内存常见单位换算方法

金士顿是世界著名的内存生产商，拥有一流的技术保证及优质的售后服务。

金士顿发展至今各种内存型号较多，消费者可以从内存的编码中直接获取容量、外频速度等有效信息。

一、金士顿内存编码分析

现在以常见的品牌内存金士顿ValueRAMDDR内存编号为例：

编号为ValueRAMKVR400X64C25/256.

1、KVR代表kingstonvalueRAM

2、外频速度

3、一般为X

4、64为没有ECC；72代表有ECC

5、有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存

6、3：

CAS=3；2.5：

CAS=2.5；2：

CAS=2

7、分隔符号

8、内存的容量

金士顿ValueRAMSDRAM内存命名方式也和DDR一样。

二、内存常见单位换算

除了了解金士顿的编码含义之外，我们在选择内存时，还会碰到一些诸如：

-5ns，内存带宽，PC-2100等计量单位。

它们究竟代表什么含义？

相关联的单位之间的换算关系是怎样的？

下面我就为大家简单介绍一下。

Hz（赫兹）用来表示时钟频率，通常以MHz和GHz作为计量单位。

kHz1000次/s（秒）1kHz=1000HzMHz100万