液态感光至抗蚀刻及图形转移工艺Word文件下载.docx

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在曝光时间为4S/7K

时,干膜的解像度为75um,而湿膜可达到40um。

从而保证了产质

e)以前使用干膜常出现的起翘、电镀渗镀、线路不整齐等问题。

湿膜是液态膜,不起翘、渗镀、线路整齐,涂覆工序到显形工序允许搁置时间可达48hr,解决了生产工序之间的关联矛盾,提高了生产效

率。

f)对于当今日益推广的化学镀镍金工艺,一般干膜不耐镀金液,而湿膜耐镀金液。

g)由于是液态湿膜,可挠性强,尤其适用于挠性板(Flexible

PrintedBoard)制作。

h)湿膜由于本身厚度减薄而物d料成本降低,且与干膜相比,不需要载体聚酯盖膜(PolyesterCoversheet)和起保护作用的聚乙烯

隔膜(PolyettyleneSeparatorSheet),而且没有象干膜裁剪时那样

大的浪费,不需要处理后续废弃薄膜因此,使用湿膜大约可以节约成

本每平方米30〜50%

i)湿膜属单液油墨容易存贮保管,一般放置温度为20±

2C,相

对湿度为55±

5%阴凉处密封保存,贮存期(StorageLife):

4〜6个月。

j)使用范围广,可用作MLB内层线路图形制作及孔化板耐电镀图

形制作,也可与堵孔工艺结合作为掩孔蚀刻图形抗蚀剂,还可用于图形

模板的制作等。

但是,湿膜厚度(Thickness)均匀性不及干膜,涂覆之后的烘干程度也不易掌握好增加了曝光困难.故操作时务必仔细。

另外,湿膜

中的助剂、溶剂、引发剂等的挥发,对环境造成污染,尤其是对操作者有一定伤害。

因此,工作场地必须通风良好。

目前,使用的液态感光至抗蚀剂,外观呈粘稠状,颜色多为蓝色

(Blue)。

台湾精化公司产GSP1550台湾缇颖公司产APR-700等,此类皆属于单液油墨,可用简单的网印方式涂覆,用稀碱水显影,用酸性或弱碱性蚀刻液蚀刻。

液态感光至抗蚀剂的使用寿命(Lifespan):

其使用寿命与操作环

境和时间有关。

一般温度w25C,相对湿度w60%无尘室黄光下操作,

使用寿命为3天,最好24hr内使用完。

液态感光至抗蚀剂图形转移

液态感光至抗蚀剂工艺流程:

上道工序f前处理f涂覆f预烘f定位f曝光f显影f干燥f检查修版f蚀刻或电镀f去膜f交下工序

1.前处理(Pre-cleaning)

前处理的主要目的是去除铜表面的油脂(Grease)、氧化层

(OxidizedLayer)、灰尘(Dust)和颗粒(Particle)残留、水分(Moisture)和化学物质(Chemicals)特别是碱性物质(Alkaline)保证铜(Copper)表面清洁度和粗糙度,制造均匀合适的铜表面,提高感光胶与铜箔的结合力,湿膜与干膜要求有所不同,它更侧重于清洁度。

前处理的方法有:

机械研磨法、化学前处理法及两者相结合之方法。

1)机械研磨法

磨板条件:

浸酸时间:

6〜8s。

H2SO4:

2.5%。

水洗:

5s〜8So

尼龙刷(NylonBrush):

500〜800目,大部分采用600目。

磨板速度:

1.2〜1.5m/min,间隔3〜5cmo

水压:

2〜3kg/cm2o

严格控制工艺参数,保证板面烘干效果,从而使磨出的板面无杂质、胶迹及氧化现象。

磨完板后最好进行防氧化处理。

2)化学前处理法

对于MLB内层板(InnerLayerBoard),因基材较薄,不宜采用机械研磨法而常采用化学前处理法。

典型的化学前处理工艺:

去油-清洗-微蚀-清洗-烘干

去油:

Na3PO440〜60g/l

Na2CO340〜60g/l

NaOH10〜20g/l

温度:

40〜60C

微蚀(Mi-croetehing):

NaS2O8170〜200g/l

H2SO4(98%)2%V/V

20〜40C

经过化学处理的铜表面应为粉红色。

无论采用机械研磨法还是化学前处理法,处理后都应立即烘干。

检查方法:

采用水膜试验,水膜破裂试验的原理是基于液相与液相即为

清洁干净。

注意:

清洁处理后的板子应戴洁净手套拿放,并立即涂覆感光胶,以防铜表面再氧化。

2.涂覆(Coating)

涂覆指使铜表面均匀覆盖一层液态感光至抗蚀剂。

其方法有多种,如离心涂覆、浸涂、网印、帘幕涂覆、滚涂等。

丝网印刷是目前常用的一种涂覆方式,其设备要求低,操作简单容

易,成本低。

但不易双面同时涂覆,生产效率低,膜的均匀一至性不能完全保证。

一般网印时,满版印刷采用100〜300目丝网抗电镀的采

用150目丝网。

此法受到多数中小厂家的欢迎。

滚涂可以实现双面同时涂覆,自动化生产效率高,可以控制涂层厚度,适用于各种规格板的大规模生产,但需设备投资。

帘幕涂覆也适宜大规模生产,也能均匀控制涂覆层厚度,但设备要求高,且只能涂完一面后再涂另一面,影响生产效率。

感光至涂覆层膜太厚,容易产生曝光不足,显影不足,感压性高,

易粘底片;

膜太薄,容易产生曝光过度,抗电镀绝缘性差及易产生电镀金属上膜的现象,而且去膜速度慢。

工作条件:

无尘室黄光下操作,室温为23〜25C,相对湿度为55

±

5%作业场所保持洁净,避免阳光及日光灯直射。

涂覆操作时应注意以下几方面

1)若涂覆层有针孔,可能是感光至抗蚀剂有不明物,应用丙酮洗净且更换新的抗蚀剂。

也可能是空气中有微粒落在板面上或其它原因造成板面不干净,应在涂膜前仔细检查并清洁。

2)网印时若感光至涂覆层膜太厚,是因为丝网目数太小;

膜太薄,那可能是丝网目数太大所至。

若涂覆层厚度不均匀,应加稀释剂调整抗蚀剂的粘度或调整涂覆的速度。

3)涂膜时尽量防止油墨进孔。

4)无论采用何种方式,感光至涂覆层(Photoimageablecovercoating)都应达到厚度均匀、无针孔、气泡、夹杂物等,皮膜厚度干燥后应达到8〜15um。

5)因液态感光至抗蚀剂含有溶剂,作业场所必须换气良好。

6)工作完后用肥皂洗净手。

3.预烘(Pre-curing)

预烘是指通过加温干燥使液态感光至抗蚀剂膜面达到干燥,以方便

底片接触曝光显影制作出图形。

此工序大都与涂覆工序同一室操作。

预烘的方式最常用的有烘道和烘箱两种。

一般采用烘箱干燥,双面的第一面预烘温度为80±

5C,10〜15

分钟;

第二面预烘温度为80±

5C,15〜20分钟。

这种一先一后预烘,

使两面湿膜预固化程度存在差异,显影的效果也难保证完全一至。

理想

的是双面同时涂覆,同时预烘,温度80±

5C,时间约20〜30分钟。

这样双面同时预固化而且能保证双面显影效果一至,且节约工时。

控制好预烘的温度(Temperature)和时间(Time)很重要。

温度过高或时间过长,显影困难,不易去膜;

若温度过低或时间过短,干燥不完全,皮膜有感压性,易粘底片而至曝光不良,且易损坏底片。

所以,预烘恰当,显影和去膜较快,图形质量好。

该工序操作应注意

(1)预烘后,板子应经风冷或自然冷却后再进行底片对位曝光。

(2)不要使用自然干燥,且干燥必须完全,否则易粘底片而至曝

光不良。

预烘后感光膜皮膜硬度应为HB〜1耳

(3)若采用烘箱,一定要带有鼓风和恒温控制,以使预烘温度均

匀。

而且烘箱应清洁,无杂质,以免掉落在板上,损伤膜面。

(4)预烘后,涂膜到显影搁置时间最多不超过48hr,湿度大时尽量在12hr内曝光显影。

(5)对于液态感光至抗蚀剂型号不同要求也不同,应仔细阅读说

明书,并根据生产实践调整工艺参数,如厚度、温度、时间等。

4.定位(FixedPostion)

随着高密度互连技术(HDI)应用不断扩大,分辨率和定位度已成

为PCB制造厂家面临的重大挑战。

电路密度越高,要求定位越精确。

位的方法有目视定位、活动销钉定位,固定销钉定位等多种方法。

目视定位是用重氮片(Diazofilm)透过图形与印制板孔重合对位,然后贴上粘胶带曝光。

重氮片呈棕色或桔红色半透明状态,可以保证较好的重合对位精度。

银盐片(SilverFilm)也可采用此法,但必须在底片制作透明定位盘才能定位。

活动销钉定位系统包括照相胶卷冲孔器和双圆孔脱销定位器,其方法是:

先将正面,反面两张底版药膜相对对准,用胶卷冲孔器在有效图形外任意冲两个定位孔,任取一张去编钻孔程序,就可以利用钻床一次性钻孔,印制板金属化孔及预镀铜后,便可用双圆孔脱销定位器定位曝光。

固定销钉定位分两套系统,一套固定照相底版,另一套固定PCB,通过调整两销钉的位置,实现照相底版与PCB的重合对准。

5.曝光(Exposuring)

液态感光至抗蚀剂经UV%(300〜400nm照射后发生交联聚合反应,受光照部分成膜硬化而不被显影液所影响。

通常选用的曝光灯灯源为高亮度、中压型汞灯或者金属卤化物汞灯。

灯管6000W曝光量100〜300mj/cm2,密度测定采用21级光密度表(Stouffer21),以确定最佳曝光参数,通常为6〜8级。

液态感光至抗蚀剂对曝光采用平行光要求不

严格,但其感光速度不及干膜,因此应使用高效率曝光机(Drawer)。

光聚合反应取决于灯的光强和曝光时间,灯的光强与激发电压有关,与灯管使用时间有关。

因此,为保证光聚合反应足够的光能量,必须由光能量积分仪来控制,其作用原理是保证曝光过程中灯光强度发生变化时,能自动调整曝光时间来维持总曝光能量不变,曝光时间为25,

50秒。

影响曝光时间的因素:

(1)灯光的距离越近,曝光时间越短;

(2)液态光至抗蚀剂厚度越厚,曝光时间越长;

(3)空气湿度越大,曝光时间越长;

(4)预烘温度越高,曝光时间越短。

当曝光过度时,易形成散光折射,线宽减小,显影困难。

当曝光不足时,显影易出现针孔、发毛、脱落等缺陷,抗蚀性和抗电镀性下降。

因此选择最佳曝光参数是控制显影效果的重要条件。

底片质量的好坏,直接影响曝光质量,因此,底片图形线路清晰,不能有任何发晕、虚边等现象,要求无针孔、沙眼,稳定性好。

底片要求黑白反差大:

银盐片光密度(Density)DMA族3.5,DMIN<

0.15;

重氮片光密度DMA>

1.2,DMIN<

0.1。

一般来说,底片制作完后,从一个工序(工厂)传送到另一个工序

工厂),或存贮一段时间,才进入黄光室,这样经历不同的环境,底

片尺寸稳定性难以保证。

本人认为制完底片应直接进入黄光室,每张底片制作80多块板,便应废弃。

这样可避免图形的微变形,尤其是微孔技术更应重视这一点。

曝光工序操作注意事项

(1)曝光机抽真空晒匣必不可少,真空度》90%只通过抽真空将底片与工件紧密贴合,才能保证图像无畸变,以提高精度。

(2)曝光操作时,若出现粘生产底片,可能是预烘不够或者晒匣真空太强等原因造成,应及时调整预烘温度和时间或者检查晒匣抽真空情况。

(3)曝光停止后,应立即取出板件,否则,灯内余光会造成显影后有余胶。

(4)工作条件必须达到:

无尘黄光操作室,清洁度为10000〜100000级,有空调设施。

曝光机应具有冷却排风系统。

(5)曝光时底片药膜面务必朝下,使其紧贴感光膜面,以提高解像力。

6.显影(Developing)

显影即去掉(溶解掉)未感光的非图形部分湿膜,留下已感光硬化的图形部分。

其方法一般有手工显影和机器喷淋显影。

该工序工作条件同涂覆工序。

机器显影配方及工艺规范

Na2CO30.8〜1.2%

消泡剂0.1%

温度30±

2C

显影时间40土10秒

喷淋压力1.5〜3kg/cm2

操作时显像点(BreokPointControl)控制在1/3〜1/2处。

为保

证显影质量,必须控制显影液浓度、温度以及显影时间在适当的操作范围内。

温度太高(35C以上)或显影时间太长(超过90秒以上),会造成皮膜质量、硬度和耐化学腐蚀性降低。

显影后有余胶产生,大多与工艺参数有关,主要有以下几种可能:

1显影温度不够;

2Na2CO3浓度偏低;

3喷淋压力小;

4传送速度较快,显影不彻底;

5曝光过度;

6迭板。

该工序操作注意事项

(1)若生产中发现有湿膜进入孔内,需要将喷射压力调高和延长

显影时间。

显影后应认真检查孔内是否干净,若有残胶应返工重显

(2)显影液使用一段时间后,能力下降,应更换新液。

实验证明,

当显影液PH值降至10.2时,显影液已失去活性,为保证图像质量,PH=10.5时的制版量定为换缸时间。

(3)显影后应充分洗净,以免碱液带入蚀刻液中。

(4)若产生开路、短路、露铜等现象,其原因一般是底片上有损伤或杂物。

7.干燥

为使膜层具有优良的抗蚀抗电镀能力,显影后应再干燥,其条件为

温度100C,时间1〜2分钟。

固化后膜层硬度应达到2H〜3H。

8.检查修版

修版实际上是进行自检,其目的主要是:

修补图形线路上的缺陷部分,去除与图形要求无关的部分,即去除多余的如毛刺、胶点等,补上缺少的如针孔、缺口、断线等。

一般原则是先刮后补,这样容易保证修版质量。

常用修版液有虫胶、沥青、耐酸油墨等,比较简便的是虫胶液,其配方如下:

虫胶100〜150g/l

甲基紫1〜2g/l

无水乙醇适量

修版要求:

图形正确,对位准确,精度符合工艺要求;

导电图形边缘整齐光滑,无残胶、油污、指纹、针孔、缺口及其它杂质,孔壁无残膜及异物;

90%勺修版工作量都是由于曝光工具不干净所造成,故操作时应经常检查底片,并用酒精清洗晒匣和底片,以减少修版量。

修版时应注意戴细纱手套,以防手汗污染版面。

若头两道工序做得相当好,几

乎无修版量,可省掉修版工序。

9.去膜(Strip)

蚀刻(Etching)或电镀(Plating)完毕,必须去除抗蚀保护膜,通常去膜采用4〜8%勺NaOH水溶液,加热膨胀剥离分化而达到目的。

方法有手工去膜和机器喷淋去膜。

采用喷淋去膜机,其喷射压力为2〜

3kg/cm2,去膜质量好,去除干净彻底,生产效率高。

提高温度可增加去膜速度,但温度过高,易产生黑孔现象,故温度一般宜采用50〜60Co去膜后务必清洁干净,若去膜后表面有余胶,其原因主要是烘烤工序的工艺参数不正确,一般是烘烤过度。

目前,集成电路和封装技术的迅速发展,对PCB线路精细程度要求越来越高.综上所述采用液态感光至抗蚀剂图形转移工艺,不仅可以

提高线路的制作精细度,而且可降低生产成本,还可利用原有设备,操作工艺也易掌握。

液态感光至抗蚀剂图形转移工艺已成为适合高精度高

完善。

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