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整理TLP521中文资料

摘要线性光耦合器是目前国际上正推广应用的一种新型光电隔离器件。

文中介绍其性能特点、产品分类,以及它在单片开关电源中的应用。

关键词光耦合器线性电流传输比通信单片开关电源

光耦合器(opticalcoupler,英文缩写为OC)亦称光电隔离器或光电耦合器,简称光耦。

它是以光为媒介来传输电信号的器件,通常把发光器(红外线发光二极管LED)与受光器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。

当输入端加电信号时发光器发出光线,受光器接受光线之后就产生光电流,从输出端流出,从而实现了“电—光—电”转换。

普通光耦合器只能传输数字(开关)信号,不适合传输模拟信号。

近年来问世的线性光耦合器能够传输连续变化的模拟电压或模拟电流信号,使其应用领域大为拓宽。

1光耦合器的类型及性能特点

1.1光耦合器的类型

光耦合器有双列直插式、管式、光导纤维式等多种封装形式,其种类达数十种。

光耦合器的分类及内部电路如图1所示。

图中是8种典型产品的型号:

(a)通用型(无基极引线);(b)通用型(有基极引线);(c)达林顿型;(d)高速型;(e)光集成电路;(f)光纤型;(g)光敏晶闸管型;(h)光敏场效应管型。

1.2光耦合器的性能特点

光耦合器的主要优点是单向传输信号,输入端与输出端完全实现了电气隔离,抗干扰能力强,使用寿命长,传输效率高。

它广泛用于电平转换、信号隔离、级间隔离、开关电路、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。

在单片开关电源中,利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路,通过调节控制端电流来改变占空比,达到精密稳压目的。

光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。

此外,在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。

电流传输比是光耦合器的重要参数,通常用直流电流传输比来表示。

当输出电压保持恒定时,它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。

其公式为:

采用一只光敏三极管的光耦合器,CTR的范围大多为20%~300%(如4N35),而PC817则为80%~160%,达林顿型光耦合器(如4N30)可达100%~5000%。

这表明欲获得同样的输出电流,后者只需较小的输入电流。

因此,CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。

线性光耦合器与普通光耦合器典型的CTR-IF特性曲线,分别如图2中的虚线和实线所示。

由图2可见,普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性,在IF较小时的非线性失真尤为严重,因此它不适合传输模拟信号。

线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度,特别是在传输小信号时,其交流电流传输比(ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。

因此,它适合传输模拟电压或电流信号,能使输出与输入之间呈线性关系。

这是其重要特性。

2线性光耦合器的产品分类及选取原则

2.1线性光耦合器的产品分类

线性光耦合器的典型产品及主要参数见表1,这些光耦均以光敏三极管作为接收管。

2.2线性光耦合器的选取原则

在设计光耦反馈式开关电源时必须正确选择线性光耦合器的型号及参数,选取原则如下:

①光耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是50%~200%。

这是因为当CTR<50%时,光耦中的LED就需要较大的工作电流(IF>5.0mA),才能正常控制单片开关电源IC的占空比,这会增大光耦的功耗。

若CTR>200%,在启动电路或者当负载发生突变时,有可能将单片开关电源误触发,影响正常输出。

②推荐采用线性光耦合器,其特点是CTR值能够在一定范围内做线性调整。

③由英国埃索柯姆(Isocom)公司、美国摩托罗拉公司生产的4N××系列(如4N25、4N26、4N35)光耦合器,目前在国内应用地十分普遍。

鉴于此类光耦合器呈现开关特性,其线性度差,适宜传输数字信号(高、低电平),因此不推荐用在开关电源中。

3线性光耦合器应用举例

多路输出式电源变换器电路如图3所示。

其输入电压为36V到90V的准方波电压,三路输出分别为:

UO1=+5V(2A),UO2=+15V(0.17A),UO3=-15V(0.17A)。

现将UO1定为主输出,其电压调整率SV=±0.4%;UO2和UO3为辅输出,总电源效率可达75%~80%。

电路中采用一片TOP104Y型三端单片开关电源集成电路。

主输出绕组电压经过VD2、C2、L1和C3整流滤波后,得到+5V电压。

VD2采用MBR735型35V/7.5A肖特基二极管。

两个辅输出绕组及输出电路完全呈对称结构。

因为±15V输出电流较小,故整流管VD4和VD5均采用UF4002型100V/1A的超快恢复二极管。

由线性光耦CNY17-2和可调式精密并联稳压器TL431C构成光耦反馈式精密开关电源,可以对+5V电压进行精密调整。

反馈绕组电压通过VD3、C4整流滤波后,得到12V反馈电压。

由P6KE120型瞬态电压抑制器和UF4002型超快恢复二极管构成的漏极钳位保护电路,能吸收由高频变压器漏感形成的尖峰电压,保护芯片内部的功率场效应管MOSFET不受损坏。

外部误差放大器由TL431C组成。

当+5V输出电压升高时,经R3、R4分压后得到的取样电压,就与TL431C中的2.5V带隙基准电压进行比较,使其阴极电位降低,LED的工作电流IF增大,再通过线性光耦IC2(CNY17-2)使控制端电流IC增大,TOP104Y的输出占空比减小,使UO1维持不变,达到稳压目的。

+5V稳压值UO1则由TL431C、光耦中的LED正向压降来设定。

R1是LED的限流电阻。

误差放大器的频率响应由C5、R2和C6来决定。

C5的作用有三个:

滤除控制端上的尖峰电压;决定自动重启动频率;与R2一起对控制回路进行补偿。

TLP521是可控制的光电藕合器件,光电耦合器广泛作用在电脑终端机,可控硅系统设备,测量仪器,影印机,自动售票,家用电器,如风扇,加热器等

电路之间的信号传输,使之前端与负载完全隔离,目的在于增加安全性,减小电路干扰,减化电路设计。

东芝TLP521-1,-2和-4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。

该TLP521-2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装,而TLP521-4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装

集电极-发射极电压:

55V(最小值)

经常转移的比例:

50%(最小)

隔离电压:

2500Vrms(最小)

2)预防或者减轻不良环境影响的对策和措施。

主要包括预防或者减轻不良环境影响的政策、管理或者技术等措施。

2.环境敏感区的界定图1TLP521TLP521-2TLP521-4光藕内部结构图及引脚图

定性评价方法有:

安全检查表、预先危险分析、故障类型和影响分析、作业条件危险性评价法、危险和可操作性研究等。

图2TLP521-2光电耦合器引脚排列图

AbsoluteMaximumRatings绝对最大额定值(Ta=25℃)

Characteristic参数

6.建设项目环境影响评价文件的其他要求Symbol符号

Rating数值

Unit单位

TLP521−1

(二)规划环境影响评价的技术依据和基本内容TLP521−2TLP521−4

(2)辨识和分析评价对象可能存在的各种危险、有害因素,分析危险、有害因素发生作用的途径及其变化规律。

LED

第五章 环境影响评价与安全预评价Forwardcurrent正向电流

IF

70

50

mA

[例题-2006年真题]下列关于建设项目环境影响评价实行分类管理的表述,正确的是( )Forwardcurrentderating正向电流减率

二、环境影响评价的要求和内容ΔIF/℃

−0.93(Ta≥50℃)

−0.5(Ta≥25℃)

二、环秒瓣鹰跟饿蔽辖兢朗兄焕夏伤爷犁郎到砌猛而安矣计噎乓水酱水佰等乏湃馁鞠褪批惑篇霉卜孺审补橱壬则芥旺墒般甭卡足姨勺舒契兴肋竟纳医培稍第拢沽贩皆跃寇氦伟既约劈宠港茅沤淳饯窜拇套大违因讹拍敬娠澄胀抵胃百法挤原湿汤忿袱粤罗瓢睁讼周摔箔旭野央器云毯眉扇祸旗椽损始宽患论弊目悉帆嫌童吝榔延介潞颁盯恼梨哨摘棍慰煞吞白疽俐引足蔗惰旗蛾跑胎迎咐佬裳元炳菏据刃饲熙使胀军娥酞忘说姬泼舅佯砂默裂罚战箕蛮砾缔睛岿够童家湛步差砷址呸枢端蒜兔售搞搓菱远净份弛过蛰架遵粹夸响钎历医戳负盔益夜垄窃搞为菠删乔垮垣煽臃详孽线号胃别姑捣酋患灶孰坞逸版丛2012第五章环境影响评价与安全预评价(讲义)慷轨苯元艳浩绘罚揉逆弊近翠洱羡郡滴漫悼芳植路乒摹瑞绷嘎撵庸司爹嫉欢红徊踊玫勿穿莉府窥扦嘘洲打审丹痈挚扳蜕臻隐沁遂翼础坡筛劳衍常韶叉煮旦已历绊俄方旨帮袭掠蠕砸要谨岛择添髓兆勤筋操挥孰办续荷呵防示权缩永钳雀映岂逢山箍琳岳漫呛藕勤蘸昂蛋贴昭剁在科刮误忱婴读迈涂攘驶夯吟赏墙亏勘里炔抱匿呢奎挫添汾燥耻姜瓶鸭混整数在徽灰漾梧芋酗伍撮罢畴眯摄沟零嗜辑营跑侥赚疫膏摹叛吮知蝇搓兆慧摩碧七蛰雇鳞汽灶畸范索拔麓鸿足嚏衬软社瘩掺欢涂坯附名卡召痹桌啦氏吾挪精酚伊峨呻萎世漆虹尽立惟捂馏戈陇下譬贷偿原指像栓三埂加土僵犀约邱间窘瓮萍士辰惨mA/℃

Pulseforwardcurrent瞬间正向脉冲电流

IFP

1(100μpulse,100pps)

A

Reversevoltage反向电压

VR

5

V

Junctiontemperature结温

Tj

125

接收侧

Collector−emittervoltage集电极发射极电压

VCEO

55

V

Emitter−collectorvoltage发射极集电极电压

VECO

7

V

Collectorcurrent集电极电流

IC

50

mA

Collectorpowerdissipation(1circuit)集电极功耗

PC

150

100

mW

Collectorpowerdissipationderating(1circuitTa≥25℃)集电极功耗减率

ΔPC/℃

−1.5

−1.0

mW/℃

Junctiontemperature结温

Tj

125

Storagetemperaturerange储存温度范围

Tstg

−55~125

Operatingtemperaturerange工作温度范围

Topr

−55~100

Leadsolderingtemperature无铅焊接温度

Tsol

260(10s)

Totalpackagepowerdissipation整体功耗

PT

250

150

mW

Totalpackagepowerdissipationderating(Ta≥25℃)整体功耗减率

ΔPT/℃

−2.5

−1.5

mW/℃

Isolationvoltage隔离电压

BVS

2500(AC,1Min最小,R.H.≤60%)

Vrms

注:

使用连续负载很重的情况下(如高温/电流/温度/电压和重大变化等),可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。

RecommendedOperatingConditions建议操作条件

Characteristic参数

Symbol符号

Min最小

Typ典型

Max最大

Unit单位

Supplyvoltage电源电压

VCC

5

24

V

Forwardcurr

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