二极管和二极和二极整流电路练习题讲课教案文档格式.docx
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4、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。
5、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。
6、在本征半导体中加入微量的硼元素可得到型半导体，在本征半导体中加入微量的磷元素可得到型半导体。
7、在硅或锗单晶基片上加工出P型区和N型区，二极管的正极从区引出，负极从区引出。
在P型区和N型区的结合部是一个特殊的薄层，称为。
8、二极管之所以具有单向导电性，是因为其内部有一个具有单向导电性的。
1、空穴是半导体中特有的一种带正电的电荷。
2、N型半导体中导电的是自由电子。
3、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。
4、在半导体内部，只有空穴是载流子。
5、在P型半导体中多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
6、半导体中导电的是多数载流子。
7、把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起就能形成PN结。
8、PN结具有单向导电性。
9、在二极管中由P型区引出的管脚是二极管的阴极。
1、在P型半导体中参与导电的是（）
A离子B自由电子C空穴DB和C
2、PN结正向导通的条件是（）
AN区电位高于P区电位BP区电位高于N区电位
CN区电位等于P区电位D都不对
3、关于N型半导体，下列说法错误的是（）
A空穴是少数载流子
B在二极管中由N型区引出的管脚是二极管的阳极
C在纯净的硅晶体中加入磷可形成N型半导体
D在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
4、本征半导体是（）
AP型半导体BN型半导体C纯净半导体D掺杂半导体
5、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（）
6、PN结正偏时相当于（）
A阻值无限大的电阻B阻值很小的电阻C以上均不对
复习题三（二极管的分类和型号）
1、画出下列几种二极管的电路图符号：
整流二极管发光二极管稳压二极管光电二极管变容二极管
2、整流二极管是一种利用二极管的性，把交流电变换成的二极管，它工作在偏置状态。
3、稳压二极管工作于偏置状态。
4、发光二极管是把能转化为光能的发光器件，它工作在偏置状态，发光二极管正常工作时管压降为。
5、光电二极管是一种能将接收到的信号转换成电信号的二极管，又称为，它工作在偏置状态。
6、当给变容二极管施加电压时，由于PN结展宽而呈现特性。
7、国产半导体器件型号各部分的意义：
第一部分：
用数字表示器件的，2表示该器件为，3表示该器件为；
第二部分：
用汉语拼音字母表示，A,B,
C,D
第三部分：
用汉语拼音字母表示，P,W,
Z,U
1、2AP系列二极管是由硅半导体材料制成的。
2、2CZ系列二极管是由锗半导体材料制成的。
3、2BP系列二极管是稳压管。
1、发光二极管的特点是（）
A工作电压低，工作电流小，耗电省，寿命长
B工作电压高，工作电流小，耗电省，寿命长
C工作电压低，工作电流大，耗电省，寿命长
D工作电压高，工作电流大，耗电省，寿命长
2、某稳压二极管上标有“6V5”字样，该字样表示（）
A该稳压管的稳压值为65VB该稳压管的稳压值为6.5V
C该稳压管的稳压值为6V误差为5%D是厂家的生产编号
3、某二极管上标有2CW字样，表示它是（）
AN型硅材料稳压管BP型硅材料稳压管
CN型锗材料整流管DP型硅材料普通管
复习题四（二极管的伏安特性和参数）
1、和间的关系称为二极管的伏安特性。
2、从二极管的伏安特性曲线可以看出，二极管的电压和电流深化呈关系，其内阻（填“是”或“不是”）常数，所以二极管属于器件。
3、当二极管的正向电压较小时，二极管的电阻很，基本上处于状态，这个区域称为正向特性的死区，硅管的死区电压约为，锗管约为。
（死区电压又称为电压或电压）
4、硅二极管的导通电压约为，锗管的导通电压约为。
5、反向截止区：
二极管加反向电压时，二极管的电阻很，二极管处于状态，这时会有反向电流流过二极管，称为。
二极管的反向漏电流很，且基本（填“随”或“不随”）反向电压的变化而变化。
6、硅管的反向漏电流比锗管。
7、反向击穿区：
当加到二极管两端的反向电压超过某一规定数值（此电压值称为）时，反向电流突然急剧增大，这种现象称为，反向击穿电压用字母表示。
8、整流二极管的主要参数有：
最大整流电流：
是二极管通话通过的，用字母表示，如果实际工作时的正向电流平均值超过此值，二极管会；
最高反向工作电压是二极管允许承受的，用字母表示，为了留有余地，通常标定的最高反向工作电压是向向击穿电压的。
1、二极管的伏安特性说明：
二极管两端加正向电压就导通，加上反向电压就截止。
2、一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
3、晶体二极管击穿后立即烧毁。
4、晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小，当反向电压大于反向击穿电压时，反向电流会迅速增大。
5、当二极管两端的正向电压超过死区电压后，二极管的电阻变得很小，二极管导通。
6、二极管被反向击穿后就不能再用了。
7、二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不超过某一范围时，二极管的反向电流胡电压的增加而基本不变。
1、当晶体二极管的正向电压大于其门槛电压时，它相当于（）
A阻值很大的电阻B阻值很小的电阻C接通的开关D以上都不对
2、当硅二极管加上0.4V的正向电压时，二极管相当于（）
A阻值很小的电阻B断开的开关C闭合的开关D以上都不对
3、当二极管两端正向电压大于（）电压时，二极管才能导通。
A击穿B饱和C门坎D以上都不对
4、二极管两端的反向电压增大时，在达到（）电压以前，通过的电流很小。
复习题五（二极管的测试）
1、使用万用电表测试二极管时应使用档，一般用或这两档。
R*1档太大，R*10K挡太大，都容易使被测管损坏。
2、当万用电表拨至欧姆挡时，其红表笔接内电源的极，黑表笔接内电源的极。
3、用万用电表测试二极管时，用红黑表笔分别接二极管的两极测试一次，将红黑表笔对调再测一次，若两次所测阻值一次大，一次小，则说明二极管，测得阻值较大的一次是电阻，阻值较小的一次是电阻，此时与表笔接触的是二极管的正极。
若两次阻值都很大，说明二极管。
若两次阻值都很小，说明二极管。
4、由于发光二极管的正向导通电压一般在1.5V以上，所以检测时必须用万用表的挡，当正向电阻小于，反向电阻大于时，发光二极管为正常的。
1、二极管的正向电阻大于反向电阻。
2、用万用表测试所有的二极管都应该用R*100或R*1K挡。
3、用万用表测某晶体二极管的反向电阻是，红表笔所连接的是二极管的阳极，黑表笔接的是二极管的阴极。
1、如果用万用表测得二极管的正反向电阻都很小，则二极管（）
A特性良好B已被击穿C内部开路D功能正常
2、在用万用表测量二极管过程中，对于同一种二极管，用万用表不同的挡位测出的正向电阻不同，主要原因是（）
A万用表在不同的挡们，其内阻不同B二极管具有非线性的伏安特性
C被测二极管质量很差D二极管已被损坏
1、有人在没一个二极管反向时，为了使万用表的表笔与管脚接触良好，她用两手把两端接触处捏紧，结果发现管子的反向电阻比较小，认为不合格，但接入电路时却正常工作，这是什么原因？
2、测量电流时为保护线圈式电表的脆弱转动部件，不致因接错直流电源的极性或通过电流太大而损坏，常在表头处串联或并联一个二极管，如下图所示，试分别说明这两种接法的二极管各起什么作用。
综合复习题一（二极管）
1、导电能力介于和之间的物体称为半导体。
2、在N型半导体中为多数载流子，为少数载流子。
3、从半导体二极管内部的PN结的区引出的电极叫二极管的正极，从区引出的电极叫二极管的负极。
给二极管正极加高电位，负极加低电位时，叫给二极管加电压。
给二极管正极加低电位，负极加高电位时，叫给二极管加偏电压。
4、当加在硅二极管上的正向电压超过伏时，二极管进入导通状态。
5、根据是否掺入杂质，半导体可分为半导体和半导体两大类。
6、二极管的特性是。
具体指：
给二极管加电压，二极管导通；
给二极管加电压，二极管截止。
7、常用二极管以材料分类，可分为二极管和二极管；
以PN结面积大小分类，又可分为接触型和接触型。
8、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为∞，则此二极管_____；
若两次读数都接近零，则此二极管_____________；
若读数一次很大，一次读数小，则此二极管______________。
9、设如右图电路中,D1为硅二极管,D2为锗二极管，则D1处于状态,D2处于状态,输出电压Uo为伏。
10、图11电路中，设所有二极管均为理想的。
当开关Ｓ打开时，Ａ点定位
ＶA＝伏，此时流过电阻Ｒ1中的电流I1＝毫安；
当开关Ｓ闭合时，Ａ点定位ＶA＝伏，此时流过电阻Ｒ1的电流Ｉ1＝毫安。
（提示：
开关Ｓ打开时，Ｖ３管优先导通）
12、在图12路中，Ｖ为理想二极管，则当开关Ｓ打开时，Ａ点定位ＶA＝伏；
开关Ｓ闭合时，ＶA＝伏。
13、在下左图所示电路中，二极管是硅管时V＝毫安，若二极管是锗管，此时V＝毫安。
14、晶体二极管因所加电压过大而，并且出现的现象，称为热击穿。
15、纯净的半导体称为，它的导电能力很。
在纯净的半导体中掺入少量的三价元素，可形成P型半导体，又称型半导体，其中多数载流子为，少数载流子为。
16、二极管的伏安特性指和关系，当正向电压超过_____后，二极管导通。
正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为V,锗管约为V。
17、图下所示各电路中，如电源均为3V，输入电压VI分别为+6V，0V，-6V，求各电路的输出电压VO。
（1）VO=V
（2）VO=V（3）VO=V
18、如图，这是材料的二极管的___曲线，在正向电压超过V后，二极管开始导通，这个电压称为电压。
正常导通后，此管的正向压降约为V。
当反向电压增大到V即称为电压时，反向电流会急剧增大，该现象为。
若反向电压继续增大，容易发生现象。
其中稳压管一般工作在区。
19、二极管的主要参数有________、_________和，
20、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测量时指针偏转幅度都较小，则表明二极管内部；
若两次测量时指针偏转幅度都较大，则表明二极管内部。
两次两次测量时指针偏转幅度相差越大，则说明二极管的。
21、有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已_______，又有一硅二极管正反向电阻均接近于无穷大，表明该二极管已_______。
12、如上左图，V1、V2为理想二极管。
V1状态，V2状态。
VAB=V
23、如上右图，V为理想二极管。
V状态，VAB=V
复习题六（半波整流电路）
1、叫做整流。
2、单相半波整流电路由、和组成。
3、叫脉动直流电。
4、画出单相半波整流电路的电路图，并简述其工作原理。
5、单相半波整流电路中，负载两端电压VL的平均值与变压器二次电压有效值的关系是。
流过二极管的正向工作电流IV和流过负载的电流IL的关系是。
6、选用半波整流二极管时就满足下列两个条件：
；
。
1、在单相半波整流电容滤波电路中，输出电压平均值Ū=U2
1、在单相半波整流电路中用到（）个整流二极管。
A一B二C三D四
2、单相半波整流电路负载两端电压的平均值与变压器二次电压有效值的关系是（）
AVL=V2BVL=0.45V2CVL=0.9V2DVL=1.41V2
3、半波整流电路中，若负载电阻为3kΩ，负载电流为1mA，则二极管承受的最大反向电压是（）。
A3VB6.67VC9.43VD18.86V
1、单相半波整流电路中，若负载电阻RL=1.8kΩ，负载平均电流IL=20mA，求：
①输出电压；
②电源变压器的二次组电压③整流二极管承受的最大反向电压；
④流过二极管的平均电流。
2、如下图所示，若直流电压表VL的读数是4V，负载电阻为800欧，则直流电流表A的读数为多少？
交流电压表V2的读数为多少？
复习题七（全波整流电路）
1、画出变压器中心抽头式全波整流电路的电路图，并简述其工作原理。
2、变压器中心抽头式全波整流电路中，负载两端电压VL的平均值与变压器二次电压有效值的关系是。
3、选用变压器中心抽头式全波整流二极管时就满足下列两个条件：
复习题八（桥式整流电路）
1、画出桥式整流电路的电路图，并简述其工作原理。
2、桥整流电路中，负载两端电压VL的平均值与变压器二次电压有效值的关系是。
3、选用桥式整流二极管时就满足下列两个条件：
1、桥式整流电路在工作时，只有两个二极管处于导通状态。
2、
1、在桥式整流电路中，如果有一个二极管虚焊，则电路（）
A其他二极管将被烧毁B将变成半波整流电路
C整流输出电压将上升D将没有整流功能
2、在桥式整流电路中，如果有一个二极管虚焊，则电路（）
3、在桥式整流电路中，如果有一个二极管虚焊，则电路（）
9．分析图9所示电路，完成以下各题
（1）变压器二次电压有效值为10V，则V1为（）
A．4.5VB．9VC．12VD．14V
（2）若电容C脱焊,则V1为（）
（3）若二极管VD1接反，则（）
A．VD1、VD2或变压器烧坏B．变为半波整流
C．输出电压极性反转，被反向击穿D．稳压二极管过流而损坏
（4）若电阻R短路，则（）
AVO将升高B变为半波整流C电容C因过压而击穿D稳压二极管过流而损坏
四、问答题
1、一个纯电阻负载单相桥式整流电路搭建完成后，进行通电试验，一接通电源，二极管马上冒烟，试分析产生这种现象的原因。
2、如下图所示，如何接交流电源和负载电阻实现桥式整流？
3、若将单相桥式整流电路接成下图所示的形式，将会出现什么后果？
应如何改接？
复习题九（滤波器）
1、把脉动直流电中滤掉的电路称做滤波电路，简称滤波器。
2、常见的滤波器有、和等。
3、电容滤波器实际上是一个与整流电路负载电阻联的电容器。
4、在电容滤波电路中，电容器C的容量越或负载电阻越，电容器C放电越慢，输出的直流电压就越，并越接近于，负载开路时，输出电压为。
所以常用于场合。
5、滤波电容的选择要从和两方面考虑。
在电路中滤波电容耐压值要大于。
滤波电容C的容量选择与有关，负载电流越大，滤波电容的容量也应该越。
6、电容滤波整流的输出电压：
输入交流电压
整流电路输出电压（负载开路时）
整流电路输出电压（带负载时）
二极管的最大反向电压
通过二极管的电流
半波整流电路
V2
桥式整流电路
7、滤波电容器容量与输出电流之间的关系：
输出电流/A
电容C/微法
8、电感滤波器中电感线圈应与负载联，它是利用电感的特性进行滤波的。
线圈的电感量越，滤波效果越好。
电感滤波器适用于场合。
9、复式滤波器是由或组合起来的滤波器，它的滤波效果比单一使用电感器或电容器滤波为好。
常见的复式滤波器有、。
1、RCπ型滤波器的特点是：
滤波效果好，有直流损耗，带负载能力差。
2、整流输出电压加电容滤波后，电压脉动减小了，输出电压也下降了。
3、滤波电容的耐压必须大于变压器二次电压u2的峰值，即UC≥U2。
4、在半波整流电路中，接入滤波电容时的输出电压平均值UL=U2。
5、电容滤波利用了电容器的隔直通交的特性。
6、电感滤波利用了电感器的隔交通直的特性。
1、在单相桥式整流电容滤波电路中，若负载电阻为无穷大，变压器二次交流电压为16V，则输出电压为（）
A7.2VB14.4VC19.2VD22.6V
2、在电感滤波器中，电感的作用是（）
A耦合B通直流阻交流C分压限流D利用它的电流不能突变起稳压作用
3、在有电容滤波的单相半波整流电路中，若要使输出的直流电压平均值为60V，则变压器的次级电压应为（）
A50VB60VC72VD27V
1、如下图所示，
（1）电路是什么类型的整流和滤波电路？
（2）在电阻两端标出电压的正负极；
（3）当开关S断开时，电阻两端电压为多少？
（4）当开关S闭合时，电阻两端电压为多少？
（5）如果交流电源频率50fHz，负载电阻RL=120Ω，要求直流电压Vo=30V，试选择整流元件及滤波电容。
复习题十（硅稳压二极管稳压电路）
1、硅稳压二极管工作在状态。
2、稳压二极管的主要参数有、、、。
3、稳压二极管的动态电阻是指稳压二极管在区两端与之间的比值，动态电阻越稳压二极管的性能越好。
4、画出桥式整流电容滤波稳压电路的电路图。
二、问答题：
1、硅稳压二极管VA、VB的稳压值分别为7V和8V，试求下列各图的输出电压各为多少。
2、如右图中，V为硅二极管。
1）S与A接通时，V的状态，VMN=V。
2）S与B接通时，V的状态，VMN=V
3.二极管电路如下图图所示，假设二极管是理想的，二极管的状态为，Ａ、Ｂ两端电压Ｖab=。
2、如图，V1、V2为理想二极管。
综合复习题二（整流滤波稳压电路）
1、把电变成的电路叫整流电路，采用二极管做整流元件是因为二极管具有特性。
2、滤除脉动直流电路电中的交流成分的过程叫。
3、稳压二极管在状态下管子两端的电压叫稳定电压。
4、电容滤波电路适用于的场合。
而电感滤波电路适用于的场合。
5、在右图所示电路中，假设二极管均是理想的，Ｖ２＝10V，当开关Ｓ闭合时，ＶL＝伏，ＶRM＝伏；
当开关Ｓ打开时，Ｖ＝伏，ＶRM＝伏。
6、在选用整流二极管时，主要应考虑参数、。
7、整流二极管的整流作用是利用PN结的特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的特性。
8、有一直流负载RL=9Ω，需要直流电压VL=45V,现有2CP21（IFM=3000mA,VRM=100V）和2CP33B（IFM=500mA,VRM=50V）两种型号的二极管,若采用桥式整流电路，
应选用型二极管只。
9、稳压二极管的稳压特性指，动态电阻rZ越大，说明稳压性能越。
10、滤波器的作用是将整流电路输出的中的成分滤去，获得比较的直流电,通常接在电路的后面。
它一般分为、
和三类，其中的滤波效果较好。
11、如下图，V1、V2为硅稳压二极管，若Vi足够大，则输出电压VO=V
12、硅稳压二极管，稳定电压如图所示，当VI足够大时，计算各VO值。
二、简答计算
1、已知带有电容滤波的桥式整流电路，变压器次级电压U2=10V，负载电路RL=100Ω。
试求①画出电路图。
②负载电压平均值Ūo③滤波电容的电容量C④选择二极管时应注意什么？
2、请在图3所示单相桥式整流滤波电路的四个桥臂上，按全波整流要求画上四个整流二极管，并使输出电压满足负载ＲL所要求的极性。
3、桥式整流电路如下图所示。
（1）在u2的正负半周各有哪几只二极管导通？
（2）若V2=20V，RL=100Ω，则VO和IO各为多少？
（3）应选择什么样的二极管？
（4）试确定电容器的容量和耐压值？
（5）当万用表测得负载电压Vo分别为9V，18V，20V、24V，试分析电路是否正常，如有故障，故障可能在什么地方？
4、如下图所示。
（1）这是什么电路？
（2）在u2的正负半周各有哪几只二极管导通？
（3）若V2=20
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