降压斩波变换技术的工程应用Word文档格式.docx
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6.3参数分析…………………………………………………………………………………11
七、总结……………………………………………………………………………………11
八、参考文献……………………………………………………………………………12
一、引言
随着电力电子技术的高速发展,电子系统的应用领域越来越广泛,电子设备的种类也越来越多。
电子设备的小型化和低成本化使电源向轻,薄,小和高效率向发展。
开关电源因其体积小,重量轻和效率高的优点而在各种电子信息设备中得到广泛的应用。
伴随着人们对开关电源的进一步升级,低电压,大电流和高效率的开关电源成为研究趋势。
IGBT降压斩波电路就是直流斩波中最基本的一种电路,是用IGBT作为全控型器件的降压斩波电路,用于直流到直流的降压变换。
IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。
它既有MOSFET易驱动的特点,又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。
其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十千赫兹频率围,故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
所以用IGBT作为全控型器件的降压斩波电路就有了IGBT易驱动,电压、电流容量大的优点。
GBT降压斩波电路由于易驱动,电压、电流容量大在电力电子技术应用领域中有广阔的发展前景,也由于开关电源向低电压,大电流和高效率发展的趋势,促进了IGBT降压斩波电路的发展。
二、设计任务
2.1.1课程设计目的
1、培养文献检索的能力,特别是如利用Internet检索需要的文献资料。
2、培养综合分析问题、发现问题和解决问题的能力。
3、培养运用知识的能力和工程设计的能力。
4、提高课程设计报告撰写水平。
2.1.2设计的步骤
⑴根据给出的技术要求,确定总体设计案
⑵选择具体的元件,进行系统的设计
⑶进行相应的电路设计,完成相应的功能
⑷进行调试与修改
⑸撰写课程设计说明书
三、设计案选择及论证
斩波电路有三种控制式
(1)脉冲宽度调制(PWM):
开关期T不变,改变开关导通时间Ton。
(2)频率调制:
开关导通时间不变,改变开关期T。
(3)混合型:
开关导通时间和开关期T都可控,改变占空比。
本次设计采用的是脉宽调制的法,开关选用全控型器件IGBT,它集中了电力MOSFET和GTR的优点。
四、总体电路设计
根据降压斩波电路设计任务要求设计主电路、控制电路、驱动及保护电路,设计出降压斩波电路的结构框图如图1所示。
图1降压斩波电路结构框图
在图1结构框图中,控制电路是用来产生降压斩波电路的控制信号,控制电路产生的控制信号传到驱动电路,驱动电路把控制信号转换为加在开关控制端,可以使其开通或关断的信号。
通过控制开关的开通和关断来控制降压斩波电路的主电路工作。
控制电路中的保护电路是用来保护电路的,防止电路产生过电流现象损害电路设备。
五、各功能模块电路设计
5.1控制电路设计
5.1.1驱动电路案选择
控制电路需要实现的功能是产生控制信号,用于控制斩波电路中主功率器件的通断,通过对占空比的调节达到控制输出电压大小的目的。
因为斩波电路有三种控制式,又因为PWM控制技术应用最为广泛,所以采用PWM控制式来控制IGBT的通断。
PWM控制就是对脉冲宽度进行调制的技术。
这种电路把直流电压“斩”成一系列脉冲,改变脉冲的占空比来获得所需的输出电压。
改变脉冲的占空比就是对脉冲宽度进行调制,只是因为输入电压和所需要的输出电压都是直流电压,因此脉冲既是等幅的,也是等宽的,仅仅是对脉冲的占空比进行控制。
图4.1SG3525引脚图
对于PWM发生芯片,我选用了SG3525芯片,其引脚图如图4.1所示,它是一款专用的PWM控制集成电路芯片,它采用恒频调宽控制案,部包括精密基准源、锯齿波振荡器、误差放大器、比较器、分频器和保护电路等。
5.1.2工作原理
由于SG3525的振荡频率可表示为:
式中:
分别是与脚5、脚6相连的振荡器的电容和电阻;
是与脚7相连的放电端电阻值。
根据需求需要频率为40kHz,所以由上式可取
=0.01μF,
=
=
。
可得f=40kHz,满足要求。
图4.2控制电路
SG3525有过流保护的功能,可以通过改变10脚电压的高低来控制脉冲波的输出。
因此可以将驱动电路输出的过流保护电流信号经一电阻作用,转换成电压信号来进行过流保护,同理也可以用10端进行过压保护,如图4.2所示10端外接过压过流保护电路。
当驱动电路检测到过流时发出电流信号,由于电阻的作用将10脚的电位抬高,从而11、14脚输出低电平,而当其没有过流时,10脚一直处于低电平,从而正常的输出PWM波。
SG3525还有稳压作用。
1端接芯片置电源,2端接负载输出电压,通过1端的变位器得到它的一个基准电位,从而当负载电位发生变化时能够通过1、2所接的误差放大器来控制输出脉宽的占空比,若负载电位升高则输出脉宽占空比减小,使得输出电压减小从而稳定了输出电压,反之则然。
调节变位器使得1端得到不同的基准电位,控制输出脉宽的占空比,从而可使得输出电压为50-80V围。
5.2驱动电路设计
5.2.1驱动电路案选择
IGBT是电力电子器件,控制电路产生的控制信号一般难以以直接驱动IGBT。
因此需要信号放大的电路。
另外直流斩波电路会产生很大的电磁干扰,会影响控制电路的正常工作,甚至导致电力电子器件的损坏。
因而还设计中还学要有带电气隔离的部分。
对驱动电路进行以下设计。
采用光电耦合式驱动电路,该电路双侧都有源。
其提供的脉冲宽度不受限制,较易检测IGBT的电压和电流的状态,对外送出过流信号。
另外它使用比较便,稳定性比较好。
但是它需要较多的工作电源,其对脉冲信号有1us的时间滞后,不适应于某些要求比较高的场合。
5.2.2工作原理
图5.2驱动电路
如图5.2所示,IGBT降压斩波电路的驱动电路提供电气隔离环节。
本电路中采用的隔离法是,先加一级光耦隔离,再加一级推挽电路进行放大。
采用的光耦是TLP521-1。
为得到最佳的波形,在调试的过程中对光耦两端的电阻要进行合理的搭配。
原理:
控制电路所输出的信号通过TLP521-1光耦合器实现电气隔离,再经过推挽电路进行放大,从而把输出的控制信号放大。
5.3保护电路设计
5.3.1过压保护电路
过压保护要根据电路中过压产生的不同部位,加入不同的保护电路,当达到—定电压值时,自动开通保护电路,所以可分为主电路器件保护和负载保护。
5.3.2主电路器件保护
当达到—定电压值时,自动开通保护电路,使过压通过保护电路形成通路,消耗过压储存的电磁能量,从而使过压的能量不会加到主开关器件上,保护了电力电子器件。
为了达到保护效果,可以使用阻容保护电路来实现。
将电容并联在回路中,当电路中出现电压尖峰电压时,电容两端电压不能突变的特性,可以有效地抑制电路中的过压。
与电容串联的电阻能消耗掉部分过压能量,同时抑制电路中的电感与电容产生振荡,过电压保护电路如图6.1.1所示。
图6.1.1RC阻容过电压保护电路图
5.3.3负载过压保护
如图6.1.1所示比较器同相端接到负载端,反相端接到一个基准电压上,输出端接控制芯片10端,当负载端电压达到一定的值,比较器输出Uom抬高10端电位,从而使10端上的信号为高电平时,PWM琐存器将立即动作,禁止SG3525的输出,同时,软启动电容将开始放电。
如果该高电平持续,软启动电容将充分放电,直到关断信号结束,才重新进入软启动过程,从而实现过压保护。
电阻的取值,比较器反相端接5.1V电源经变位器后为可调基准电压,比较器同相端电压应在5V以,取负载输出电压最大值80V来算R20/R18=80/3左右,所以R20=100K,R18=4K,R17=10k,R19=2k。
图6.1.2负载过压保护
5.3.4过流保护电路
当电力电子电路运行不正常或者发生故障时,可能会发生过电流。
当器件击穿或短路、触发电路或控制电路发生故障、出现过载、直流侧短路、可逆传动系统产生环流或逆变失败,以及交流电源电压过高或过低、缺相等,均可引起过流。
由于电力电子器件的电流过载能力相对较差,必须对变换器进行适当的过流保护。
过流保护的法比较多,比较简单的法是一般采用添加FU熔断器来限制电流的过大,防止IGBT的破坏和对电路中其他元件的保护。
如图1在主电路串接一个快速熔断丝。
还有一种法如图6.2所示,也是利用控制电路芯片的第10端。
在主电路的负载端串接一个很小取样电阻,把它接到放大器进行放大,后再利用比较器,运用过压保护原理同样能实现过流保护。
电阻的取值,一般取样电阻端所获得的电压为零点几伏,需要通过放大器把电压放大到几伏左右,由放大器运算公式:
Uo=(1+R12/R10)*Ui,取放大10倍,即1+R12/R10=10,所以取R12=9K,R10=1K。
放大后把它接到比较器中比较使得比较器输出端电位升高,与过压保护一样原理,所以R13=2K,R14=2K,R15=10K,R16=2K。
图6.2过流保护电路
六、总体电路
6.1主电路案
根据所选课题设计要求设计一个降压斩波电路,可运用电力电子开关来控制电路的通断即改变占空比,从而获得我们所想要的电压。
这就可以根据所学的buck降压电路作为主电路,这个案是较为简单的案,直接进行直直变换简化了电路结构。
而另一种案是先把直流变交流降压,再把交流变直流,这种案把本该简单的电路复杂化,不可取。
至于开关的选择,选用比较熟悉的全控型的IGBT管,而不选半控型的晶闸管,因为IGBT控制较为简单,且它既具有输入阻抗高、开关速度快、驱动电路简单等特点,又用通态压降小、耐压高、电流大等优点。
6.2工作原理
根据所学的知识,直流降压斩波主电路如图2所示:
图2主电路图
直流降压斩波主电路使用一个全控器件IGBT控制导通。
用控制电路和驱动电路来控制IGBT的通断,当t=0时,驱动IGBT导通,电源E向负载供电,负载电压
=E,负载电流
按指数曲线上升。
电路工作时波形图如图3所示:
图3降压电路波形图
当
时刻,控制IGBT关断,负载电流经二极管
续流,负载电压
近似为零,负载电流指数曲线下降。
为了使负载电流连续且脉动小,故串联L值较大的电感。
至一个期T结束,再驱动IGBT导通,重复上一期的过程。
当电力工作于稳态时负载电流在一个期的初值和终值相等,负载电压的平均值为
为IGBT处于通态的时间;
为处于断态的时间;
T为开关期;
α为导通占空比。
通过调节占空比α使输出到负载的电压平均值
最大为E,若减小占空比α,则
随之减小。
由此可知,输出到负载的电压平均值Uo最大为Ui,若减小占空比α,则Uo随之减小,由于输出电压低于输入电压,故称该电路为降压斩波电路。
6.3参数分析
主电路中需要确定参数的元器件有IGBT、二极管、直流电源、电感、电阻值的确定,其参数确定如下:
(1)电源要求输入电压为100V。
(2)电阻因为当输出电压为50-80V时,假设输出电流为0.1-5A。
所以由欧姆定律
可得负载电阻值为
,所以取电阻20欧姆。
(3)IGBT由图3易知当IGBT截止时,回路通过二极管续流,此时IGBT两端承受最大正压为100V;
而当
=1时,IGBT有最大电流,其值为5A。
故需选择集电极最续电流
,反向击穿电压
的IGBT,而一般的IGBT都满足要求。
(4)二极管其承受最大反压100V,其承受最大电流趋近于5A,考虑2倍裕量,故需选择
,
的二极管。
(5)电感由上面所选的电阻20欧姆,根据欧姆定律:
当Uo=80V时,Iomax=4A;
当Uo=50V时,Iomin=2.5A;
根据电感电流连续时电感量临界值条件:
L=Uo*(Ud-Uo)/(2UdIo)
为了保证负载最小电流电路能够连续,取Io=2.5A来算,可得L=0.125mH,所以只要所取电感L>
0.125mH,取L=1mH。
(6)开关频率f=40kHz
(7)电容设计要求输出电压纹波小于1%,由纹波电压公式:
可得LC>
=0.195uH*F
取C=0.47mF
七、总结
经过电力电子课程学习,真的是获益不少。
当看到这个任务书的时候感觉真正要学的东西来了,以前所学的理论知识终于可以用上了。
于是拿起了课题认真的看了看,结果发现一头雾水,就大概知道一个主电路而已。
而至于控制电路和保护电路根本就不知道怎么回事,只知道以前做实验有用过控制电路而不知道里面的部是怎么接线的。
于是通过慢慢的看书,我在直流-直流变流电路那一章中掌握了IGBT降压斩波电路主电路的设计,在PWM控制技术那一章中掌握了控制电路的设计。
经过学习,不仅让我加深了很多课本上的知识,也让我懂得了很多其它的。
对于仿真,首先很多元件在那里面是什么名字都不知道,只知道一些很常见的器件。
还有一些元件的元件库也没有加载,因为不知道那些元件属于哪个元件库……感觉真的好麻烦啊,后来经过多次画图操作渐渐地也较熟悉了。
以前课本上所学的东西只是理论上的,要把理论变为实际还需要很多大量细节的东西,如使你设计出来的电路是最简单的,最容易实现的;
所用的器件应该用什么型号的才合适等等,都是需要我们在设计过程中要好好考虑的。
八、参考文献
1.黄家善,《电力电子技术》北京:
机械工业出版社;
2.克宁,《电力电子技术》北京:
机械工业出版社,2004;
3.兆安、黄俊,《电力电子技术》第四版。
北京:
机械工业出版社,2000;
4.宏,《电力电子设备用器件与集成电路应用指南》(1~4册)北京:
机械工业出版社,2001;
5.玉、栗书贤,《电力电子技术题例与电路设计指导》北京:
6.叶斌《电力电子应用技术及装置》北京:
铁道出版社,1999;
7.维平,《现代电力电子技术及应用》:
东南大学出版社,1999;