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bjt晶体管试题

篇一：

模拟电子技术题库答案

模拟电子技术

试题汇编

成都理工大学工程技术学院

电子技术基础教研室

201X-9

第一章半导体器件

一、填空题

1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是电子，少数载流子应是空穴。

2、在N型半导体中，电子浓度大于空穴浓度，而在P型半导体中，电子浓度小于空穴浓度。

3、PN结反向偏置时，空间电荷区将变宽。

4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。

5、场效应管分为两大类：

一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__绝缘栅场效应管_______。

6、PN结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。

7、半导体二极管的基本特性是单向导电性____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。

8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。

9、PN结中进行着两种载流子的运动：

多数载流子的扩散运动和少数载流子的___漂移_____运动。

10、硅二极管的死区电压约为__0.5____V，锗二极管的死区电压约为__0.1____V。

11、晶体管穿透电流ICEO是反向饱和电流ICBO的_________倍，在选用晶体管的时候，一般希望ICBO尽量_________。

12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_

13、PN结具有__单向导电_______特性。

14、双极型三极管有两个PN结，分别是___集电结____和_发射结______。

gm______。

15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_____正向________偏置，集电路______反向_______偏置。

16、场效应管是____电压______控制型元件，而双极型三极管是____电流_______控制型元件。

17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是空穴，少数载流子应是电子。

18、P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。

19、PN结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区,这种接法称为正向接法或_正向偏置______。

20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极______、___发射极____和__基极______。

21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：

（1）发射结外加_正____________向电压；

（2）集电结外加___反________向电压。

22、N型半导体可用___正________离子和等量的___负电子________来简化表示。

23、PN结正向偏置时，空间电荷区将变___窄________。

24、二极管的两个电极分别称为__阳____极和__阴____极，二极管的符号是

________。

25、当温度升高时，三极管的输入特性曲线会__左___移，输出特性曲线会上________移，而且输出特性曲线之间的间隔将___________。

26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是___温度__________。

27、P型半导体可用_负______离子和等量的___空穴_____来简化表示。

28、主要半导体材料是_硅_____和__锗____；两种载流子是__空穴_______和__电子_______；两种杂质半导体是_P型________和___N型________。

29、二极管外加向电压导通，外加向电压截止。

30、当温度升高时，三极管的参数β会变大________，ICBO会增加________，导通电压会。

31、双极型三极管有两种载流子导电，即____多数载流子_________和_少数载流子____________导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即__多数载流子___________导电。

32、N型半导体的多数载流子是电子，少数载流子是___空穴_____。

33、某晶体管的极限参数PCM?

150mW，ICM?

100mA，U（BR）CEO?

30V。

若它的工作电压UCE?

10V，则工作电流不得超过____mA；若工作电压UCE?

1V，则工作电流不得超过____100___mA；若工作电流IC?

1mA，则工作电压不得超过___30____V。

34、放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为VA=－9V，VB=－6.2V，VC=－6V，则该三极管是______PNP_______型三极管，A为_______集电______极，B为_____基________极，C为______发射_______极。

35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是__?

___。

36、场效应管输出特性的三个区域分别是_______恒流______区、____可变电阻_________区、___夹断__________区。

37、纯净的、不含其他杂质的半导体称为_____本征半导体_____。

38、场效应管的热稳定好，晶体管的放大能力强。

39、双极型三极管内部有三个掺杂区域，分别是__发射区_______、___基区_______和___集电区_______。

二、选择题

1、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（B）时处于正偏导通状态。

A．0B．死区电压C．反向击穿电压D．正向压降

2、杂质半导体中（A）的浓度对温度敏感。

A．少子B．多子C．杂质离子D．空穴

3、晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（B），若集电结和发射结都反向偏置，它的工作状态是（A），若集电结和发射结均正向偏置，则它的工作状态是（C）。

A．截止B．放大C．饱和D．损毁

4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（B）。

A．前者反偏、后者也反偏B．前者正偏、后者反偏

C．前者正偏、后者也正偏D．前者反偏、后者也正偏

5、双极型晶体管工作时有（A）和（B）两种载流子参与导电,而场效应管所导电过程仅仅取决于（A）的流动。

A．多子B．少子C．自由电子D.空穴

6、当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为UC（A）UB（A）UE。

A．>B．

7、对二极管正向电阻rZ和反向电阻rF的要求是（C）

A．rZ、rF都大B．rZ、rF都小

C．rZ很小，rF很大D．rZ大，rF小

8、稳压二极管动态电阻rZ（B），稳压性能愈好。

A．愈大B．愈小C．为任意值

9、三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（C）状态。

A．放大B．截止C．饱和D．无法确定

10．结型场效应管放大电路的偏置方式是（A、D）

A．自给偏压电路B．外加偏压电路

C．无须偏置电路D．栅极分压与源极自偏结合

11、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（A），而少数载流子的浓度与（B）有很大关系。

A．温度B．掺杂工艺C．杂质浓度D．晶体管缺陷

12、场效应管属于（B）控制型器件，而晶体管若用简化h参数来分析，则可认为是（C）控制型器件。

A．电荷B．电压C．电流

篇二：

模拟电子复习题

201X----201X学年第一学期模拟电子技术复习题

一．填空

1．半导体的导电性能有三大特点______、______和______。

2．ＰＮ结具有______性，______偏置时导通，______偏置时截止。

3．利用二极管的反向特性，做成了稳压二极管，所以，稳压二极管在使用时

一定要反向连结。

4.若BJT发射结正向偏置，集电结反向偏置，则BJT处于______状态。

5．晶体三极管的β、ICBO、UBE都是温度的函数，当温度升高时，β和ICBO______，而UBE______。

6.根据反馈网路与放大电路不同的连接方式，可得到四种类型的反馈组态即为______

负反馈，______负反馈，______负反馈，______负反馈。

7.双极型晶体管（BJT）工作时有______种载流子参与导电，而场效应管（FET）只有______

种载流子参与导电。

8.放大电路的级间耦合方式通常有______,______和______。

9．半导体中有两种载流子，一种是，另一种是。

10．在放大区，对NPN型的三极管有电位关系，UCUBUE。

11.场效应管是利用外加电压产生的______来控制漏极电流的大小的，因此，称它为

______控制电流的器件。

12.共射极放大器的静态工作点Q选的太低，会使输出电压uO出现______失真；

放大器的静态工作点Q选的太高，会使输出电压uO出现______失真。

13.共发射极放大器是电压______相放大器；而共集和共基放大器是电压______相放大器。

它们都有______放大作用。

14.理想运放有两个工作区，一个叫______工作区，另一个叫非线性工作区。

后者要么是开

环或者正反馈，而前者的工作区肯定有______反馈。

15.直流负反馈是稳定放大电路的______工作点；交流负反馈是改善放大电路的______指标。

16.OTL互补对称功放是指无输出______的电路。

17.在放大电路中为了提高输入电阻应引入负反馈，为稳定输出电压应引入

负反馈。

。

18.直流稳压电源一般由电源变压器、______、______、和稳压四部分电路组成。

二．单项选择题

1.电压放大器的空载是指（）Ａ.RC＝0Ｂ.RL＝0Ｃ.RL＝∞

2.P型半导体中多数载流子是（）。

A．自由电子B．空穴C．负离子D．正离子

3.二极管组成的整流电路，是利用了它的（）。

A．正向特性B．单向导电性C．反向击穿特性

4.三极管工作在放大状态时，其偏置应为（）。

A．发射结零偏集电结反偏B．发射结正偏集电结反偏

C．发射结正偏集电结正偏D．发射结反偏集电结反偏

5.半导体三极管处在饱和状态时是（）。

A．发射结反偏集电结反偏B．发射结正偏集电结反偏

C．发射结正偏集电结正偏D．发射结反偏集电结正偏

6.电流串联负反馈放大器使（）。

A．输出电压稳定，输入电阻增大B．输出电流稳定，输入电阻减小

C．输出电压稳定，输入电阻减小D．输出电流稳定，输入电阻增大

7.理想集成运算放大器工作在线性区的两个重要特点是（）。

A．U0=UiAu=1B．U-≈U+I-≈I+≈0

C．以上两个都不是

8.差分放大电路采用了两个特性完全相同的三极管来实现参数补偿，

其目的是为了（）。

A．稳定放大倍数B．提高输入电阻C．抑制零点漂移D．前面几种都不是

9．由NPN管组成的共射放大电路，若测得VCEQ=VCC,VCC为电源电压，则可判断

该三极管处于（）

A．放大状态B．饱和状态C．截止状态D．击穿状态

10．对交流通路而言，放大电路中的电容应视为（）

A开路B短路C一个阻抗

11．已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为6V、5.3V、12V，则该管为（）

A.PNP型锗管B.NPN型锗管C.PNP型硅管D.NPN型硅管

12.在输入量不变的情况下，若引入反馈后，使（），则说明引入的