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1、精品文档bjt晶体管试题word范文 22页本文部分内容来自网络整理，本司不为其真实性负责，如有异议或侵权请及时联系，本司将立即删除！= 本文为word格式，下载后可方便编辑和修改！ = bjt晶体管试题篇一：模拟电子技术题库 答案模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室201X-9第一章 半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 电子，少数载流子应是空穴 。 2、 在N型半导体中，电子浓度 大于空穴浓度，而在P型半导体中，电子浓度小于 空穴浓度。3、PN结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_饱和_区、

2、_放大_区、_截止_区。5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管_，另一类称为_ 绝缘栅场效应管_。6、PN结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为_反向接法_或_反向偏置_。7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性_，在电路中可以起_整流_和_检波_等作用。8、双极型半导体三极管按结构可分为_NPN_型和_PNP_型两种，它们的符号分别为_和_。9、PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散运动和少数载流子的_漂移_运动。10、硅二极管的死区电压约为_0.5_V，锗二极管的死区电压约为_0.1_V。11、晶体管穿透电流ICEO是反向饱和电流ICBO的_

3、倍，在选用晶体管的时候，一般希望ICBO尽量_。12、场效应管实现放大作用的重要参数是_跨导_13、PN结具有_单向导电_特性。14、双极型三极管有两个PN结，分别是_集电结_和_发射结_。 gm_。15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_正向_偏置，集电路_反向_偏置。16、场效应管是_电压_控制型元件，而双极型三极管是_电流_控制型元件。17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是 空穴 ，少数载流子应是电子 。18、P型半导体的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 电子。19、PN结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区,这种接法称为 正向接法 或_正向偏置_。2

4、0、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极_、_发射极_和_基极_。21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正_向电压；（2）集电结外加_反_向电压。22、N型半导体可用_正_离子和等量的_负电子_来简化表示。23、PN结正向偏置时，空间电荷区将变_窄_。24、二极管的两个电极分别称为_阳_极和_阴_极，二极管的符号是_。25、当温度升高时，三极管的输入特性曲线会_左_移，输出特性曲线会 上 _移，而且输出特性曲线之间的间隔将_。26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是_温度_。27、P型半导体可用_负_离子和等量的_空穴_来简化表示。28、主要半导体材料是

5、_硅_和_锗_；两种载流子是_空穴_和_电子_；两种杂质半导体是_P型_和_N型_。29、二极管外加向电压导通，外加向电压截止。30、当温度升高时，三极管的参数会 变大 _，ICBO会增加 _，导通电压会 。31、双极型三极管有两种载流子导电，即_多数载流子_和_少数载流子_导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即_多数载流子_导电。32、N型半导体的多数载流子是电子 ，少数载流子是_空穴_。33、某晶体管的极限参数PCM?150mW，ICM?100mA，U(BR)CEO?30V。若它的工作电压UCE?10V，则工作电流不得超过_mA；若工作电压UCE?1V，则工作电流不得超过_100_mA

6、；若工作电流IC?1mA，则工作电压不得超过_30_V。 34、放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为VA=9V， VB=6.2V，VC =6V，则该三极管是_PNP_型三极管，A为_集电_极，B为_基_极，C为_发射_极。35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是_?_。36、场效应管输出特性的三个区域分别是_恒流_区、_可变电阻_区、_夹断_区。37、纯净的、不含其他杂质的半导体称为_本征半导体_。38、场效应 管的热稳定好，晶体 管的放大能力强。39、双极型三极管内部有三个掺杂区域，分别是_发射区_、_基区_和_集电区_。二、选择题1、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于

7、（ B ）时处于正偏导通状态。A0 B死区电压 C反向击穿电压 D正向压降2、杂质半导体中（ A ）的浓度对温度敏感。A少子 B多子C杂质离子 D空穴3、晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（ B ），若集电结和发射结都反向偏置，它的工作状态是（ A），若集电结和发射结均正向偏置，则它的工作状态是（ C ）。A截止 B放大 C饱和 D损毁4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为( B )。A前者反偏、后者也反偏B前者正偏、后者反偏C前者正偏、后者也正偏D前者反偏、后者也正偏5、双极型晶体管工作时有（A ）和（B ）两种载流子参与导电,而场效应管所导电过程仅仅取决

8、于（A ）的流动。A多子 B少子 C自由电子 D.空穴6、当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为UC（A ） UB（A ）UE。A B C =D7、对二极管正向电阻rZ和反向电阻rF的要求是（C ）ArZ、rF都大 BrZ、rF都小CrZ很小，rF很大 DrZ大，rF小8、稳压二极管动态电阻rZ（ B ），稳压性能愈好。A愈大B 愈小C为任意值9、 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ C ）状态。A 放大 B 截止 C 饱和 D 无法确定10结型场效应管放大电路的偏置方式是（ A、D ）A自给偏压电路 B外加偏压电路C无须偏置电路 D栅极分压与源极自偏结合11、在杂质半导体中，多数

9、载流子的浓度主要取决于（ A ），而少数载流子的浓度与（ B ）有很大关系。A温度B掺杂工艺 C杂质浓度 D晶体管缺陷12、场效应管属于（B ）控制型器件，而晶体管若用简化h参数来分析，则可认为是（ C ）控制型器件。A电荷 B电压 C电流篇二：模拟电子复习题201X-201X学年第一学期模拟电子技术复习题一 填空1半导体的导电性能有三大特点 _、_和_。2结具有_性，_偏置时导通，_偏置时截止。3利用二极管的反向 特性，做成了稳压二极管，所以，稳压二极管在使用时一定要反向连结。4.若BJT发射结正向偏置，集电结反向偏置，则BJT处于_状态。5晶体三极管的、ICBO 、UBE 都是温度的函数，

10、当温度升高时，和ICBO_，而UBE _。6.根据反馈网路与放大电路不同的连接方式，可得到四种类型的反馈组态即为_负反馈，_负反馈，_负反馈，_负反馈。7.双极型晶体管（BJT）工作时有_种载流子参与导电，而场效应管（FET）只有_种载流子参与导电。8.放大电路的级间耦合方式通常有_,_和_。9半导体中有两种载流子，一种是，另一种是 。10在放大区，对NPN型的三极管有电位关系，UC UBUE。11.场效应管是利用外加电压产生的_来控制漏极电流的大小的，因此，称它为_控制电流的器件。12.共射极放大器的静态工作点Q选的太低，会使输出电压uO出现_失真；放大器的静态工作点Q选的太高，会使输出电压

11、uO出现_失真。13.共发射极放大器是电压_相放大器；而共集和共基放大器是电压 _相放大器。它们都有_放大作用。14.理想运放有两个工作区，一个叫_工作区，另一个叫非线性工作区。后者要么是开环或者正反馈，而前者的工作区肯定有_反馈。15.直流负反馈是稳定放大电路的_工作点；交流负反馈是改善放大电路的_指标。16.OTL互补对称功放是指无输出_的电路。17.在放大电路中为了提高输入电阻应引入 负反馈，为稳定输出电压应引入负反馈。18.直流稳压电源一般由电源变压器、_、_、和稳压四部分电路组成。二单项选择题1.电压放大器的空载是指（ ）.RC0.RL0 .RL2.P型半导体中多数载流子是（）。A自

12、由电子B空穴 C负离子 D正离子3.二极管组成的整流电路，是利用了它的（）。A正向特性 B单向导电性 C反向击穿特性4.三极管工作在放大状态时，其偏置应为（ ）。A发射结零偏 集电结反偏 B发射结正偏 集电结反偏C发射结正偏 集电结正偏 D发射结反偏 集电结反偏5. 半导体三极管处在饱和状态时是（）。A发射结反偏集电结反偏 B发射结正偏集电结反偏C发射结正偏集电结正偏 D发射结反偏集电结正偏6. 电流串联负反馈放大器使（ ）。A输出电压稳定，输入电阻增大 B输出电流稳定，输入电阻减小C输出电压稳定，输入电阻减小 D输出电流稳定，输入电阻增大7.理想集成运算放大器工作在线性区的两个重要特点是（）

13、。AU0=UiAu=1B U-U+I-I+0C以上两个都不是8.差分放大电路采用了两个特性完全相同的三极管来实现参数补偿，其目的是为了（ ）。A稳定放大倍数 B提高输入电阻C抑制零点漂移 D前面几种都不是9由NPN 管组成的共射放大电路，若测得 VCEQ=VCC,VCC 为电源电压，则可判断该三极管处于 ( )A放大状态 B饱和状态 C截止状态 D击穿状态10对交流通路而言，放大电路中的电容应视为（ ）A开路 B短路 C一个阻抗11已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为6V、5.3V、 12V，则该管为( )A.PNP型锗管 B. NPN型锗管 C. PNP型硅管 D. NPN型硅管12.在输入量不变的情况下，若引入反馈后，使（），则说明引入的