基于LTCC工艺的设计规范总结Word文档下载推荐.docx
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7.导体厚度：
0.01mm
8.孔径：
最小直径0.1mm可选6mil8mil10mil12mil
9.密度:
Density
3.2g/cm3
10.镀金属：
铜（Cu）顶层：
嵌入其中，中间层：
上下各嵌入50%过孔镀银（Ag）
11.基板尺寸（最大）
105mr^105mm
12.生瓷片精度
横向平面精度：
±
5um众向生瓷精度：
0um
2.导体线宽和间距
•
A
i
i■
B丿
I
C
SeeNote
建议尺寸最小尺寸
LTCCCLASS
B
c
POD/POC
5mils
7mils
5nils
3mils*
4mils*
LowVolume
6
a
4
5
Production
10
8
3
顶层
45um
内层
100um
Note:
可能的情况下推荐更大的间距，密度过大或者焊盘过近将造成潜在的短路问题
相关参数：
网印最小线宽/间距100um/100um直描最小线宽/间距50um/75um
蚀刻最小线宽/间距45um/45um
3.导体到基板边缘的间距/和腔体间隙
Substrate01
艸口edge
Dim.Aor
推荐尺寸最小尺寸
SURFACE
BURIED
RFGROUNDSJ
RF
GROUND1
POD!
PQC
10mils
1Unul5
IQmils
5Ellh
5Eilh
Toedge1
10mk
1Qmils
5mils*
-mis*
15mils
Jmils
mils
I0mils
4.电气过孔
214的可选通孔直径为：
6mils、8mils、10mils、12mils
互连通孔最小直径：
5.同层通孔间距
Afmin.）
BLrriin.）
POOZPOC
2.5xViasize
25xViasize
3xViasiie
3xVia&
ize
3XViasize
3xViasize
A一般取3倍于孔径尺寸
注意：
散热和RF通孔排除在此标准外相关参数：
互连通孔最小节距：
0.3mm
6.过孔托盘
除非密集布
7.基板边缘电气通孔
在通孔上面和下面的托盘必须以一定的距离与通孔的所有边都重叠,
8器件安装处通孔分布
当设计的密度需要长的通孔串时，通孔必须交错分布以防发生突然折断的裂缝。
层与层直接的电气通孔之间的交错连接：
通孔采取垂直方向的交错（Z字型），
以使传送通道（routingchannels）的圭寸闭（blockage）降到最小,并减小通孔的
“加速效应”（postingeffect）。
以下是交错通孔技术的示例：
LTCC匚LASS
A（minJ
一丁佯rr
11Viadi-ameter
1Viadiameter
e2Pks
A2Pk
可接受的Z字形推荐的阶梯型堆叠通孔
通孔堆栈：
说明：
电连接建议使用交错通孔，在特别情况下，在同一通孔处最多可以通孔15层。
9.地和电源面板
大面积的裸露导体区域，比如面板，必须是实心的。
烧结板在所有可能的地方应该网格化。
铺地的区域必须是实心的，以此在需要时提供对传输线或其他关键信号线的保护。
所有铺地板的边缘（在基板的周围和腔体附近）都必须造成城形，来提升生瓷带层与层之间的迭片结构的粘合性。
相邻层之间的面板的栅格形状必
须是可以相互抵消（offset）的，使基板顶层和地层表面较为平整
接地板的网格应尽可能的大来减小多余增量和损耗，对于大面积地面/电
源面，建议使用栅格形式，对于特别情况，局部可以使用面地面/面电源面。
10.空腔
空腔底部导体与空腔壁之间的间隙
裸露/烧结导体到腔体壁之间的间隙
AExposed
BBuried
POD/POC
11.通孔与腔体的间隙
通孔和腔体壁之间的间隙
Grosssectionview
POD/POC1
25xviaSize
2.5xvisSize
25xviaSize
连接架
在设计确认前应该检查连接架上的空腔壁高度
12.空腔与空腔的间隔：
4——A
最小尺寸
MINIMUMDIMENSIONS
1TCCCLASS
A-Wallwidth
B”匚孑甘depth
C-Bas-ettiickness
rPOD/POC
50ruils
「2）cWdim.
222milsminimum*
50mils
2x"
AH,dim.
22.2milsniinimiinifc
2dm一
222milsininimjni*
1.烧结腔体壁长度不应超过500mils
2.烧结前的经机械加工的腔体壁长度不能超过2inches
3.最少腔体深度是一层生瓷片，连接架是经过考虑的腔体构成的
4.需要检查
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