1、7.导体厚度:0.01mm8.孔径:最小直径 0.1mm 可选 6mil 8mil 10mil 12mil9.密度:Density3.2g/cm310.镀金属:铜(Cu)顶层:嵌入其中,中间层:上下各嵌入 50% 过孔镀银(Ag)11.基板尺寸(最大)105mr 105mm12.生瓷片精度横向平面精度:5um 众向生瓷精度:0um2.导体线宽和间距Aii B 丿ICSee Note建议尺寸 最小尺寸LTCC CLASSBcPOD/POC5 mils7 mils5 nils3 mils*4 mils*Low Volume6a45Production1083顶层45um内层100umNote:可能
2、的情况下推荐更大的间距,密度过大或者焊盘过近将造成潜在的短路 问题相关参数:网印最小线宽/间距100um/100um 直描最小线宽/间距50um/75um蚀刻最小线宽/间距45um/45um3.导体到基板边缘的间距/和腔体间隙Substrate 01艸 口 edgeDim. A or推荐尺寸 最小尺寸SURFACEBURIEDRF GROUNDSJRFGROUND1POD! PQC10 mils1U nul 5IQ mils5 Ellh5 EilhTo edge110 mk1Q mils5 mils*-mis*15 milsJ milsmilsI0 mils4.电气过孔214 的可选通孔直径为
3、:6mils、8mils、10mils、12mils互连通孔最小直径:5.同层通孔间距Afmin.)BLrriin.)POOZ POC2.5 x Via size2 5 x Via size3 x Via siie3 x Via &ize3 X Via size3 x Via sizeA 一般取3倍于孔径尺寸注意:散热和RF通孔排除在此标准外 相关参数:互连通孔最小节距:0.3mm6.过孔托盘除非密集布7.基板边缘电气通孔在通孔上面和下面的托盘必须以一定的距离与通孔的所有边都重叠,8器件安装处通孔分布当设计的密度需要长的通孔串时,通孔必须交错分布以防发生突然折断的裂缝。层与层直接的电气通孔之间
4、的交错连接:通孔采取垂直方向的交错( Z字型),以使传送通道(routing channels )的圭寸闭(blockage)降到最小,并减小通孔的“加速效应” (posting effect )。以下是交错通孔技术的示例:LTCC 匚LASSA (min J一丁佯 rr11 Via di-ameter1 Via diametere 2 Pk sA 2Pk可接受的Z字形 推荐的阶梯型 堆叠通孔通孔堆栈:说明:电连接建议使用交错通孔,在特别情况下,在同一通孔处最多 可以通孔15层。9.地和电源面板大面积的裸露导体区域,比如面板,必须是实心的。烧结板在所有可能的地方应 该网格化。铺地的区域必须是实
5、心的,以此在需要时提供对传输线或其他关键信 号线的保护。所有铺地板的边缘(在基板的周围和腔体附近)都必须造成城形, 来提升生瓷带层与层之间的迭片结构的粘合性。 相邻层之间的面板的栅格形状必须是可以相互抵消(offset)的,使基板顶层和地层表面较为平整接地板的网格应尽可能的大来减小多余增量和损耗,对于大面积地面 /电源面,建议使用栅格形式,对于特别情况,局部可以使用面地面 /面电源面。10.空腔空腔底部导体与空腔壁之间的间隙裸露/烧结导体到腔体壁之间的间隙A ExposedB BuriedPOD/ POC11.通孔与腔体的间隙通孔和腔体壁之间的间隙Gross section viewPOD/
6、POC 12 5 x via S ize2.5 x v is S ize2 5 x via Size连接架在设计确认前应该检查连接架上的空腔壁高度12.空腔与空腔的间隔:4A最小尺寸MINIMUM DIMENSIONS1 TCC CLASSA-Wall widthB ”匚孑甘depthC - Bas-e tti icknessr POD/ POC50 ruils 2)cW dim.22 2 mils minimum*50 mils2xAH, dim.22.2 mils niinimiinifc2 dm 一22 2 mils ininimjni*1.烧结腔体壁长度不应超过500mils2. 烧结前的经机械加工的腔体壁长度不能超过 2in ches3.最少腔体深度是一层生瓷片,连接架是经过考虑的腔体构成的4.需要检查
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