实验四1电光调制实验综述Word文档下载推荐.docx
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22221
n33n23ni3ni2
晶体的一次电光效应分为纵向电光效应和横向电光效应两种。
纵向电光效应是加在
晶体上的电场方向与光在晶体里传播的方向平行时产生的电光效应；
横向电光效应
是加在晶体上的电场方向与光在晶体里传播方向垂直时产生的电光效应。
通常KD*P
（磷酸二氘钾）类型的晶体用它的纵向电光效应，LiNbO3（铌酸锂）类型的晶体用
它的横向电光效应。
本实验研究铌酸锂晶体的一次电光效应，用铌酸锂晶体的横向调制装置测量铌酸锂晶体的半波电压及电光系数，并用两种方法改变调制器的工作点，观察相应的输出特性的变化。
表1电光晶体（electro-opticcrystals）的特性参数
点群对称性
晶体材料
折射率
波长
（4m）
非零电光系数
（10^2m/V）
no
ne
3m
LiNbO3
2.297
2.208
0.633
；
‘13=丫23=8.6,；
‘33=30.8?
42=了51=28,?
22=3.4
^12=仏1=一*22
32
Quartz
（SiO2）
1.544
1.553
0.589
了41=-?
52=°
.2爲=J=—‘11=°
.93
42m
KH2PO4（KDP）
1.5115
1.4698
0.546
為占52=8.77,4=10.3
1.5074
1.4669
?
41=了52=8,化3=11
NH4H2PO4
（ADP）
1.5266
1.4808
=一2=23.76,4=8.56
1.5220
1.4773
丫41=哄2=23.41,%3=7.828
43m
KD2PO4（KD*P）
1.5079
1.4683
丫41=丫52=8.8,丫63=26.8
GaAs
3.60
0.9
41=了52=丫63=1.1
3.34
1.0
41=丫52=丫63=1爲
3.20
10.6
丫41=了52=丫63=16
InP
3.42
1.06
丫41=丫52=^63=145
3.29
1.35
41=了52=丫63=1.3
ZnSe
2.60
‘41=；
52=咲63=2°
P-ZnS
2.36
0.6
了41=了52=丫63=2.1
2•电光调制原理
要用激光作为传递信息的工具，首先要解决如何将传输信号加到激光辐射上去的问题，我们把信息加载于激光辐射的过程称为激光调制，把完成这一过程的装置称为激光调制器。
由已调制的激光辐射还原出所加载信息的过程则称为解调。
因为激光实际上只起到了“携带”低频信号的作用，所以称为载波，而起控制作用的低频信号是我们所需要的，称为调制信号，被调制的载波称为已调波或调制光。
按调制的性质而言，激光调制与无线电波调制相类似，可以采用连续的调幅、调频、调相以及脉冲调制等形式，但激光调制多采用强度调制。
强度调制是根据光载波电场振幅的平方比例于调制信号，使输出的激光辐射的强度按照调制信号的规律变化。
激光调制之所以常采用强度调制形式，主要是因为光接收器一般都是直接地响应其所接受的光强度变化的缘故。
激光调制的方法很多，如机械调制、电光调制、声光调制、磁光调制和电源调制等。
其中电光调制器开关速度快、结构简单。
因此，在激光调制技术及混合型光学双稳器件等方面有广泛的应用。
电光调制根据所施加的电场方向的不同，可分为纵向电光调制和横向电光调制。
下面我们来具体介绍一下这两种调制原理和典型的调制器。
2.1KDP晶体纵调制
设电光晶体是与xy平行的晶片，沿z方向的厚度为输入端放一个与x方向平行的起偏振器，入射光波沿z方向传播，且沿x方向偏振，射入晶体后，它分解成
、方向的偏振光（图2.1），射出晶体后的偏振态由上一节（25）式表示：
L，在z方向加电压（纵调制），在
」
首先进行坐标变换，得到式（参见第一章附录）：
xy坐标系内琼斯矩阵的表达
cos（T/2）
-isin⑴2\」
如果在输出端放一个与
泡克耳斯盒•由检偏器输出的光波琼斯矩阵为:
y平行的检偏振器，就构成
勺0、
'
cos（r/2）
0'
<
01」
isin（口2）』
risin（口2）」
克二
（4）
其中丨为两个本征态通过厚度为L的电光介质获得的相位差，由上节（27）给出：
】二"
VVo
（1）式表示输出光波是沿y方向的线偏振光，其光强为
1c兀v、
I'
=-°
（1一cos「）=10sin2。
（5）
2冋丿
上式说明光强受到外加电压的调制，称振幅调制，Io为光强的幅值，当V二V-时I=I0.
图2.2为泡克耳斯盒（振幅型纵调制系统）示意图，z-切割的KD*P晶体两端胶合上透
明电极ITO1、ITO2，电压通过透明电极加到晶体上去.在玻璃基底上蒸镀透明导电膜，就构
成透明电极，膜层材料为锡、铟的氧化物，膜层厚度从几十微米到几百微米，其透明度高
（＞80%~90%）,膜层的面电阻小（几十欧姆）。
在通光孔径外镀铬，再镀金或铜即可将电极引
线焊上。
KD*P调制器前后为一对互相正交的起偏振镜P与检偏振镜（分析镜）A,P的透
过率极大方向沿KD*P感生主轴乙的角平分线。
在KD*P和A之间通常还加相位延迟片
Q（即四分之一波片），其快、慢轴方向分别与、相同。
图2.2泡克耳斯盒
P,起偏振器；
Q,四分之一波片；
A，检偏振器；
ITO，透明电极
由于入射光波预先通过四分之一波片移相，因而有
=舟卩-cosi厂-厂0
（9）
.当-m不大时（即调制电压幅度较低时）
，（2.5）式近似表为
1r
T-sin'
」t,（10）
22
可见系统的输出光波的幅度也是正弦变化，称正弦振幅调制。
的特性曲线。
图
图2.3表示振幅型电光调制器（amplitudeelectro-opticmodulator）
中P（t）为输入光信号的功率，R（t）为输出光信号的功率，R（t）/R（t）即器件的透过率。
V（t）为调制电压。
可以看出1/4波片的作用相当于工作点偏置到特性曲线中部线性部分,在这一点进行调制效率最高，波形失真小。
如不用波片（『0=0）,输出信号中只存在二
次谐波分量。
对于He-Ne激光，KDP的半波电压为
1o3
V尸=8.97110V.（11）
2n；
63如果用KD*P（磷酸二氘钾），V”，3.448103V，调制电压仍相当高，给电路的制造带来
兀
不便。
常常用环状金属电极代替透明电极，但电场方向在晶体中不一致，使透过调制器的光
波的消光比下降。
2.2铌酸锂晶体横调制（transversemodulation）
（2.7）式表明纵调制器件的调制度近似为-m，与外加电压振幅成正比，而与光波在晶体
中传播的距离（即晶体沿光轴z的厚度L,又称作用距离）无关。
这是纵调制的重要特性。
纵调制器也有一些缺点。
首先，大部分重要的电光晶体的半波电压V_.都很高。
由于V_.与■
JLJL
成正比，当光源波长较长时（例如10.6卩m）,V更高，使控制电路的成本大大增加，电路
体积和重量都很大。
其次，为了沿光轴加电场，必须使用透明电极，或带中心孔的环形金属电极。
前者制作困难，插入损耗较大；
后者引起晶体中电场不均匀。
解决上述问题的方案之一，是采用横调制。
图2.4为横调制器示意图。
电极D、D与光波传播方向平行。
外加电场
则与光波传播方向垂直。
图2.4横调制；
电极为D1、D2
我们已经知道，电光效应引起的相位差-正比于电场强度E和作用距离L（即晶体沿光
轴z的厚度）的乘积EL、E正比于电压V,反比于电极间距离d,因此
「LV
-~（12）
d
对一定的丨，外加电压V与晶体长宽比L/d成反比，加大L/d可使得V下降。
电压V下降不仅使控制电路成本下降、而且有利于提高开关速度。
铌酸锂晶体具有优良的加工性能及很高的电光系数，33=30.810*2m/V，常常用
来做成横调制器。
铌酸锂为单轴负晶体，有
□x=n『=n°
=2.297,nz=ne2.208。
令电场强度为E=Ez，代入方程（2.1-8）得到电场感生的法线椭球方程式:
丄+%Ez（X2
严丿
y2）
~2
』e
+%3Ezz2
=1,
或写作:
其中
x2
nx
-2
（14）
+—
22_1>
nynz
nx=ny
（15）
应注意在这一情况下电场感生坐标系和主轴坐标系一致,
（16）
仍然为单轴晶体，但寻常光和非常
光的折射率都受到外电场的调制。
设入射线偏振光沿xz的角平分线方向振动，两个本征态x和z分量的折射率差为
133
（17）
（18）
（式中第一项）及电
（19）
nx—nz=n。
—rie--n。
一足33E。
当晶体的厚度为L,则射出晶体后光波的两个本征态的相位差为
2兀2兀2兀n；
13—n：
33
一—nx-nzL二一n。
-n°
L-—4二EL,
0002
。
通常使自然双折射项等于n/2的整倍数。
上式说明在横调制情况下，相位差由两部分构成：
晶体的自然双折射部分光双折射部分（式中第二项）
横调制器件的半波电压为
我们用到关系式E=V/d。
由上式可知半波电压V_.与晶体长宽比L/d成反比。
因而可以通过加大器件的长宽比L/d来减小V-.。
横调制器的电极不在光路中，工艺上比较容易解决。
横调制的主要缺点在于它对波长'
很敏感，-0稍有变化，自然双折射引起的相位差即发生显著的变化。
当波长确定时（例如使用激光），这一项又强烈地依赖于作用距离L。
加工误差、装调误差引起的光波方向的稍
许变化都会引起相位差的明显改变，因此通常只用于准直的激光束中。
或用一对晶体，第一
块晶体的x轴与第二块晶体的z轴相对，使晶体的自然双折射部分（16式中第一项）相互补偿,以消除或降低器件对温度、入射方向的敏感性。
有时也用巴比涅—索勒尔（Babinet-Soleil）
补偿器，将工作点偏置到特性曲线的线性部分。
迄今为止，我们所讨论的调制模式均为振幅调制，其物理实质在于：
输入的线偏振光在
调制晶体中分解为一对偏振方位正交的本征态，在晶体中传播过一段距离后获得相位差:
丨为外加电压的函数。
在输出的偏振元件透光轴上这一对正交偏振分量重新叠加，输出光的振幅被外加电压所调制，这是典型的偏振光干涉效应。
2.3改变直流偏压对输出特性的影响
1当U。
二牛、Um<
U二时，将工作点选定在线性工作区的中心处，如图3（a）所
示，此时，可获得较高效率的线性调制，把
U。
代入（18）式，得
由于Um«
U二时
♦Eh矿小"
心
-..HJI
[1_COS（—
Umsin，t）]
[1sin（Umsin.t）]
Um
JI
■「Um
T*sin3t
T:
-[1（—^）sin・t]
这时，调制器输出的信号和调制信号虽然振幅不同，但是两者的频率却是相同的，
输出信号不失真，我们称为线性调制。
②当Uo=0、Um<
U-时，如图3（b）所示，把Uo=0代入（2.18）式
2兀
T二sin（Umsint）
2U兀
1i
[1-C%Umsint）]
4（^Um）2sin"
t
1二Um2
（巴）2（1—cos2・t）
8Un
即T*cos23t
从上式可以看出，输出信号的频率是调制信号频率的二倍，即产生“倍频”失真。
若把Uo二U_.代入（18）式，经类似的推导，可得
（22）
（23）
即T*cos23
（
图3电光效应振幅调制器的特性曲线
Ty（許2™
（a）
b）
3直流偏压Uo在0伏附近或在U附近变化时，由于工作点不在线性工作区，输出波形将失真。
U仃
4当Uo2，Um>
U二时，调制器的工作点虽然选定在线性工作区的中心，但不满
足小信号调制的要求。
因此，工作点虽然选定在了线性区，输出波形仍然是失真的。
2.4用入/4波片进行光学调制
上面分析说明电光调制器中直流偏压的作用主要是在使晶体中x'
y'
两偏振方
向的光之间产生固定的位相差，从而使正弦调制工作在光强调制曲线上的不同点。
直流偏压的作用可以用入/4波片来实现。
在起偏器和检偏器之间加入入/4片，调整
入/4波片的快慢轴方向使之与晶体的x'
轴平行，即可保证电光调制器工作在线
性调制状态下，转动波片可使电光晶体处于不同的工作点上。
【实验仪器】
电光调制电源组件、光接收放大器组件、He-Ne激光器组件、铌酸锂电光晶体组
件、偏振片、1/4波片。
【实验内容】
1.观察电光调制箱内置波形信号，以及解调信号。
1器件放置如图4所示，激光束与台面平行，其它器件依次放入光路，并保持与激
光束同轴等高。
2将晶体与电光调制箱连接，打开开关，调制切换选择“内”，输出切换选择“外”
通过“选择”键选择“正弦波”或“方波”，适当调整“调制幅度”和“高压调节”
旋钮，使波形不失真。
3将示波器与探测器接通，则可观测到解调出来的内置波形信号，适当旋转光路中
的偏振片和‘4波片，得到最清晰稳定波形。
将示波器的另一通道与电光调制箱的
“信号输出”连接，则可直接得到内置波形信号，与解调出来的波形信号作对比。
偏振片能酸锂晶体波片偏按片
探测器
血-阴激光器
图4电光调制光路示意图
2.音频信号的电光调制与解调
1将mp3音源于电光调制实验箱的“外部输入”连接，调制切换选择“外”，输出切
换选择“内”，则首先可从实验箱内置的扬声器听到清晰的mp3播放的音乐。
2再将输出切换选择“外”，把提供的外置扬声器（音箱）与接收探测器连接，则可
听到mp3播出的音乐。
适当调整“调制幅度”和“高压调节”旋钮，旋转光路中的
偏振片和‘4波片，使音乐最清晰。
注意事项：
1．He-Ne激光管出光时，电极上所加的直流高压，要注意人身安全。
2．晶体又细又长，容易折断，晶体电极上面的铝条不能压的太紧或给晶体施加压力，以免压断晶体。
3．电源的旋钮顺时针方向为增益加大的方向，因此，电源开关打开前，所有旋钮应该逆时针方向旋转到头，关仪器前，所有旋钮逆时针方向旋转到头后再关电源。
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