4.1-MOS场效应晶体管的结构-工作原理.ppt

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场效应晶体管有二种结构形式：

1.绝缘栅型场效应晶体管又分增强型和耗尽型二类2.结型场效应晶体管-只有耗尽型场效应晶体管在集成电路中被广泛使用，绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）分为增强型和耗尽型两大类，每类中又有N沟道和P沟道之分。

不象双极型晶体管只有NPN和PNP两类，场效应晶体管的种类要多一些。

但是它们的工作原理基本相同，所以下面以增强型N沟道场效应晶体管为例来加以说明。

4.1MOS场效应晶体管的结构、工作原理,N沟道增强型MOSFET的结构示意图和符号见图4.1。

其中：

D（Drain）为漏极，相当c；G（Gate）为栅极，相当b；S（Source）为源极，相当e。

图4.1N沟道增强型MOSFET结构示意图（动画）,绝缘栅型场效应三极管MOSFET（MetalOxideSemiconductorFET）。

分为增强型N沟道、P沟道耗尽型N沟道、P沟道,1N沟道增强型MOSFET的结构,取一块P型半导体作为衬底，用B表示。

用氧化工艺生成一层SiO2薄膜绝缘层。

然后用光刻工艺腐蚀出两个孔。

扩散两个高掺杂的N型区。

从而形成两个PN结。

（绿色部分）,从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。

在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。

N沟道增强型MOSFET的符号如左图所示。

左面的一个衬底在内部与源极相连，右面的一个没有连接，使用时需要在外部连接。

动画2-3,2N沟道增强型MOSFET的工作原理,对N沟道增强型MOS场效应三极管的工作原理，分两个方面进行讨论，一是栅源电压UGS对沟道会产生影响，二是漏源电压UDS也会对沟道产生影响，从而对输出电流，即漏极电流ID产生影响。

1栅源电压UGS的控制作用,先令漏源电压UDS=0，加入栅源电压UGS以后并不断增加。

UGS带给栅极正电荷，会将正对SiO2层的表面下的衬底中的空穴推走，从而形成一层负离子层，即耗尽层，用绿色的区域表示。

同时会在栅极下的表层感生一定的电子电荷，若电子数量较多，从而在漏源之间可形成导电沟道。

沟道中的电子和P型衬底的多子导电性质相反，称为反型层。

此时若加上UDS，就会有漏极电流ID产生。

反型层,当UGS较小时，不能形成有效的沟道，尽管加有UDS，也不能形成ID。

当增加UGS，使ID刚刚出现时，对应的UGS称为开启电压，用UGS（th）或UT表示。

动画2-4,2漏源电压UDS的控制作用,设UGSUGS（th），增加UDS，此时沟道的变化如下。

显然漏源电压会对沟道产生影响，因为源极和衬底相连接，所以加入UDS后，UDS将沿漏到源逐渐降落在沟道内，漏极和衬底之间反偏最大，PN结的宽度最大。

所以加入UDS后，在漏源之间会形成一个倾斜的PN结区，从而影响沟道的导电性。

当UDS进一步增加时，ID会不断增加,同时，漏端的耗尽层上移，会在漏端出现夹断，这种状态称为预夹断。

预夹断,当UDS进一步增加时，漏端的耗尽层向源极伸展，此时ID基本不再增加，增加的UDS基本上降落在夹断区。

动画2-5,3N沟道增强型MOSFET的特性曲线N沟道增强型MOSFET的转移特性曲线有两条，转移特性曲线和漏极输出特性曲线。

1）转移特性曲线,N沟道增强型MOSFET的转移特性曲线如左图所示，它是说明栅源电压UGS对漏极电流ID的控制关系，可用这个关系式来表达，这条特性曲线称为转移特性曲线。

转移特性曲线的斜率gm反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。

gm称为跨导。

这是场效应三极管的一个重要参数。

单位mS（mA/V）,2）漏极输出特性曲线当UGSUGS（th），且固定为某一值时，反映UDS对ID的影响，即ID=f（UDS）UGS=const这一关系曲线称为漏极输出特性曲线。

场效应三极管作为放大元件使用时，是工作在漏极输出特性曲线水平段的恒流区，从曲线上可以看出UDS对ID的影响很小。

但是改变UGS可以明显改变漏极电流ID，这就意味着输入电压对输出电流的控制作用。

曲线分五个区域：

（1）可变电阻区,

（2）恒流区（放大区）,（3）截止区,（4）击穿区,（5）过损耗区,可变电阻区,截止区,击穿区,过损耗区,从漏极输出特性曲线可以得到转移特性曲线，过程如下：

4N沟道耗尽型MOSFET,N沟道耗尽型MOSFET的结构和符号如下图所示，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了一定量的正离子。

所以当UGS=0时，这些正离子已经感生出电子形成导电沟道。

于是，只要有漏源电压，就有漏极电流存在。

当UGS=0时，对应的漏极电流用IDSS表示。

当UGS0时，将使ID进一步增加。

UGS0时，随着UGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID=0。

对应ID=0的UGS称为夹断电压，用符号UGS（off）表示，有时也用UP表示。

N沟道耗尽型MOSFET的转移特性曲线如右上图所示。

夹断电压,IDSS,P沟道增强型MOSFET的结构和工作原理,P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。

这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。

关于场效应管符号的说明：

N沟道增强型MOS管，衬底箭头向里。

漏、衬底和源、分开，表示零栅压时沟道不通。

表示衬底在内部没有与源极连接。

N沟道耗尽型MOS管。

漏、衬底和源不断开表示零栅压时沟道已经连通。

N沟道结型MOS管。

没有绝缘层。

如果是P沟道，箭头则向外。