LM35中文资料Word下载.docx
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LM35是由NationalSemiconductor所生产的温度传感器，其输出电压与摄氏温标
呈线性关系，转换公式如式，0时输出为0V，每升高1℃，输出电压增加10mV。
LM35有多种不同封装型式，外观如图所示。
在常温下，LM35不需要额外的校准
处理即可达到
±
1/4℃的准确率。
其电源供应模式有单电源与正负双电源两种，其接
脚如图所示，正负双电源的供电模式可提供负温度的量测；
两种接法的静止电流-
温度关系如图所示，在静止温度中自热效应低（0.08℃），单电源模式在25℃下静止电流约50μA，工作电压较宽，可在4—20V的供电电压范围内正常工作非常省电。
TO-92封装引脚图
SO-8IC式封装引脚图
TO-46金属罐形封装引脚图
TO-220塑料封装引脚图
单电源模式
正负双电源模式
供电电压35V到
输出电压6V至
输出电流10mA
指定工作温度范围
LM35A
-55℃to+150℃
LM35C,LM35CA
-40℃to+110℃
LM35D
0℃to+100℃
封装形式与型号关系
TO-46金属罐形封装引脚图
LM35H,LM35AH,LM35CH,LM35CAH,LM35DH
TO-220塑料封装引脚图
LM35DT
TO-92封装引脚图
LM35CZ,LM35CAZLM35DZ
SO-8IC式封装引脚图
LM35DM
ElectricalCharacteristics电气特性（注1,6）
Parameter参数
Conditions
条件
LM35A
LM35CA
Units（Max.）
单位
Typical典型
Tested
Limit测试极限（注4）
DesignLimit设计极限（注5）
Typical典型
TestedLimit测试
极限（注4）
DesignLimit设计极限（注5）
Accuracy精度
（注7）
TA=+25℃
-
℃
TA=−10℃
TA=TMAX
TA=TMIN
Nonlinearity非线性（注8）
TMIN≤TA≤TMAX
SensorGain传感器增益（AverageSlope）平均斜率
+
+,
mV/℃
LoadRegulation负载调节（注3）0≤IL≤1mA
mV/mA
LineRegulation
线路调整（注3）
mV/V
4V≤VS≤30V
QuiescentCurrent
静态电流（注9）
VS=+5V,+25℃
56
67
μA
VS=+5V
105
131
91
114
VS=+30V,+25℃
68
VS=+30V
133
116
ChangeofQuiescentCurrent变化静态电流
（注3）
4V≤VS≤30V,+25℃
TemperatureCoefficientofQuiescentCurrent静态电流/温度系数
μA/℃
MinimumTemperatureforRatedAccuracy最低温度额定精度
IncircuitofFigure1,IL=0
LongTermStability长期稳定性
TJ=TMAX,for1000hours
ElectricalCharacteristics电气特性（注1,6）
Conditions条件
LM35
LM35C,LM35D
Units（Max）单位
Typical典型
Limit测试
极限
（注4）
Design
Limit设计
（注5）
Accuracy,精度LM35,LM35C（注7）
Accuracy,精度LM35D（注7）
℃
TA=TMIN
Nonlinearity非线性（注8）
TMIN≤TA≤TMAX
SensorGain传感器增益（AverageSlope）平均斜率
mV/℃
LineRegulation线路调整（注3）
QuiescentCurrent静态电流（注9）
80
158
138
82
161
141
ChangeofQuiescentCurrent变化静态电流（注3）
TemperatureCoefficientofQuiescentCurrent静态电流温度系数
TJ=TMAX,for1000hours
注1:
Unlessotherwise注d,thesespecificationsapply:
−55℃≤TJ≤+150℃fortheLM35andLM35A;
−40°
≤TJ≤+110℃fortheLM35CandLM35CA;
and
0°
≤TJ≤+100℃fortheLM35D.VS=+5VdcandILOAD=50μA,inthecircuitofFigure2.Thesespecificationsalsoapplyfrom+2℃toTMAXinthecircuitofFigure1.
Specificationsinboldfaceapplyoverthefullratedtemperaturerange.
注2:
ThermalresistanceoftheTO-46packageis400℃/W,junctiontoambient,and24℃/Wjunctiontocase.ThermalresistanceoftheTO-92packageis
180℃/Wjunctiontoambient.Thermalresistanceofthesmalloutlinemoldedpackageis220℃/Wjunctiontoambient.ThermalresistanceoftheTO-220package
is90℃/Wjunctiontoambient.ForadditionalthermalresistanceinformationseetableintheApplicationssection.
注3:
Regulationismeasuredatconstantjunctiontemperature,usingpulsetestingwithalowdutycycle.Changesinoutputduetoheatingeffectscanbe
computedbymultiplyingtheinternaldissipationbythethermalresistance.
注4:
TestedLimitsareguaranteedand100%testedinproduction.
注5:
DesignLimitsareguaranteed（butnot100%productiontested）overtheindicatedtemperatureandsupplyvoltageranges.Theselimitsarenotusedto
calculateoutgoingqualitylevels.
注6:
Specificationsinboldfaceapplyoverthefullratedtemperaturerange.
注7:
Accuracyisdefinedastheerrorbetweentheoutputvoltageand10mv/℃timesthedevice’scasetemperature,atspecifiedconditionsofvoltage,current,
andtemperature（expressedin℃）.
注8:
Nonlinearityisdefinedasthedeviationoftheoutput-voltage-versus-temperaturecurvefromthebest-fitstraightline,overthedevice’sratedtemperature
range.
注9:
QuiescentcurrentisdefinedinthecircuitofFigure1.
注10:
AbsoluteMaximumRatingsindicatelimitsbeyondwhichdamagetothedevicemayoccur.DCandACelectricalspecificationsdonotapplywhenoperating
thedevicebeyonditsratedoperatingconditions.See注1.
注11:
Humanbodymodel,100pFdischargedthrougharesistor.
注12:
SeeAN-450“SurfaceMountingMethodsandTheirEffectonProductReliability”orthesectiontitled“SurfaceMount”foundinacurrentNational
SemiconductorLinearDataBookforothermethodsofsolderingsurfacemountdevices
单电源模式
电流-温度关系
正负双电源模式
LM35温度控制器应用电路图
两线远程温度传感器电路（接地传感器）
4-20mA
电流源（0℃to+100℃）
温度数字转换器（串行输出）（128摄氏度满量程）
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