1章常用半导体器件题模拟电路第四版清华大学出版社解百精Word文件下载.docx

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A.正向导通B.反向截止C.反向击穿

(4当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏

(5UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。

A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管解:

(1A(2C(3C(4B(5AC

三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD=0.7V。

图T1.3

UO1≈1.3V,UO2=0,UO3≈-1.3V,UO4≈2V,UO5≈1.3V,UO6≈-2V。

四、已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。

求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。

图T1.4

UO1=6V,UO2=5V。

五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示,其集电极最大耗散功率PCM=200mW,试画出它的过损耗区。

图T1.5解图T1.5

根据PCM=200mW可得:

UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将各点连接成曲线,即为临界过损耗线,如解图T1.5所示。

临界过损耗线的左边为过损耗区。

六、电路如图T1.6所示,VCC=15V,β=100,UBE=0.7V。

试问:

(1Rb=50kΩ时,uO=?

(2若T临界饱和,则Rb≈?

解:

(1Rb=50kΩ时,基极电流、集电极电流和管压降分别为

26

b

BE

BBB=-=RU

VIμA

V

2mA6.2CCCCCEBC=-===RIVUIIβ

所以输出电压UO=UCE=2V。

图T1.6(2设临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以

Ω

≈-=

==

=-=

k4.45A

6.28mA

86.2B

BBbC

Bc

CES

CCCIU

VRIIRUVIμβ

七.测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1.7所示,它们的开启电压也在表中。

试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区,并填入表内。

表T1.7

因为三只管子均有开启电压,所以它们均为增强型MOS管。

根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态,如解表T1.7所示。

解表T1.7

习题

1.1选择合适答案填入空内。

(1在本征半导体中加入素可形成N型半导体,加入素可形成P型半导体。

A.五价B.四价C.三价

(2当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。

A.增大B.不变C.减小

(3工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为。

A.83B.91C.100

(4当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将。

(1A,C(2A(3C(4A

1.2能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端?

为什么?

不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.5V时,管子会因电流过大而烧坏。

1.3电路如图P1.3所示,已知ui=10sinωt(v,试画出ui与uO的波形。

设二极管正向导通电压可忽略不计。

图P1.3

解图P1.3

ui和uo的波形如解图P1.3所示。

1.4电路如图P1.4所示,已知ui=5sinωt(V,二极管导通电压UD=0.7V。

试画出ui与uO的波形,并标出幅值。

图P1.4

解图P1.4

波形如解图P1.4所示。

第一章题解-6

1.5电路如图P1.5(a所示,其输入电压uI1和uI2的波形如图(b所示,二极管导通电压UD=0.7V。

试画出输出电压uO的波形,并标出幅值。

图P1.5

uO的波形如解图P1.5所示。

解图P1.5

第一章题解-71.6电路如图P1.6所示,二极管导通电压UD=0.7V,常温下UT≈26mV,电容C对交流信号可视为短路;

ui为正弦波,有效值为10mV。

试问二极管中流过的交流电流有效值

为多少?

二极管的直流电流

ID=(V-UD/R=2.6mA

其动态电阻

rD≈UT/ID=10Ω

故动态电流有效值

Id=Ui/rD≈1mA图P1.6

1.7现有两只稳压管,它们的稳定电压分别为6V和8V,正向导通电压为0.7V。

(1若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?

各为多少?

(2若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?

(1两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。

(2两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。

1.8已知稳压管的稳定电压UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA,最大功耗PZM=150mW。

试求图P1.8所

示电路中电阻R的取值范围。

稳压管的最大稳定电流

IZM=PZM/UZ=25mA

电阻R的电流为IZM~IZmin,所以其

取值范围为

Ω=-=

k8.136.0ZZI~IUUR图P1.8

第一章题解-8

1.9已知图P1.9所示电路中稳压管的稳定电压UZ=6V,最小稳定电流IZmin=5mA,最大稳定电流IZmax=25mA。

(1分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值;

(2若UI=35V时负载开路,则会

出现什么现象?

(1当UI=10V时,若UO=UZ

=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最

小稳定电流,所以稳压管未击穿。

V33.3ILL

O≈⋅+=URRRU

当UI=15V时,稳压管中的电流大于最图P1.9

小稳定电流IZmin,所以

UO=UZ=6V

同理,当UI=35V时,UO=UZ=6V。

(2=-=RUUI(ZIDZ

29mA>

IZM=25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。

1.10在图P1.10所示电路中,发光二极管导通电压UD

=1.5V,正向电流在5~15mA时才能正常工作。

(1开关S在什么位置时发光二极管才能发光?

(2R的取值范围是多少?

(1S闭合。

(2R的范围为

Ω=-=Ω

≈-=700(233(DminDmaxDmaxDminIUVRIUVR图P1.10

第一章题解-91.11电路如图P1.11(a、(b所示,稳压管的稳定电压UZ=3V,R的取值合适,uI的波形如图(c所示。

试分别画出uO1和uO2的波形。

图P1.11

波形如解图P1.11所示

解图P1.11

1.12在温度20℃时某晶体管的ICBO=2μA,试问温度是60℃时ICBO≈?

60℃时ICBO≈5

C20CBO=(TI=32μA。

第一章题解-10

1.13有两只晶体管,一只的β=200,ICEO=200μA;

另一只的β=100,ICEO=10μA,其它参数大致相同。

你认为应选用哪只管子?

选用β=100、ICBO=10μA的管子,因其β适中、ICEO较小,因而温度稳定性较另一只管子好。

1.14已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图P1.14所示。

分别求另一电极的电流,标出其实际方向,并在圆圈中画出管子。

图P1.14

答案如解图P1.14所示。

解图P1.14

1.15测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。

在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。

图P1.15

晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如解表P1.15所示。

解表P1.15

1.16电路如图P1.16所示,晶体管导通

UBE=0.7V,β=50。

试分析VBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。

(1当VBB=0时,T截止,uO=12V。

(2当VBB=1V时,因为60b

BEQ

BBBQ=-=RUVIμA

9mA3CCQCCOBQCQ=-===RIVuIIβ

所以T处于放大状态。

(3当VBB=3V时,因为

160b

BBBQ=-=RUVIμA图P1.16

CCQOBQCQmA8URIVuIICC<

-===β

所以T处于饱和状态。

1.17电路如图P1.17所示,试问β大于多少时晶体管饱和?

取UCES=UBE,若管子饱和,则

C

bC

CCb

CCRRRUVRUVββ=-=

-⋅

所以,100C

b=≥

RRβ时,管子饱和。

图P1.17

1.18电路如图P1.18所示,晶体管的β=50,|UBE|=0.2V,饱和管压降|UCES|=0.1V;

稳压管的稳定电压UZ=5V,正向导通电压UD=0.5V。

当uI=0V时uO=?

当uI=-5V时uO=?

当uI=0时,晶体管截止,稳压管击穿,uO=-UZ=-5V。

当uI=-5V时,晶体管饱和,uO=0.1V。

因为

mA

24μA

480BCb

IB===-=

IIRUuIβ

CCCCCCECVRIVU<

-=

图P1.18

1.19分别判断图P1.19所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。

图P1.19

(a可能(b可能(c不能

(d不能,T的发射结会因电流过大而损坏。

(e可能

1.20已知某结型场效应管的IDSS=2mA,UGS(off=-4V,试画出它的转移特性曲线和输出特性曲线,并近似画出予夹断轨迹。

根据方程

2

GS(th

GSDSSD1(UuIi-

=

逐点求出确定的uGS下的iD,可近似画出转移特性和输出特性;

在输出特性中,将各条曲线上uGD=UGS(off的点连接起来,便为予夹断线;

如解图P1.20所示。

解图P1.20

1.21已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极①、②、③的电位分别为4V、8V、12V,管子工作在恒流区。

试判断它可能是哪种管子(结型管、MOS管、增强型、耗尽型,并说明①、②、③与G、S、D的对应关系。

管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管,三个极①、②、③与G、S、D的对应关系如解图P1.21所示。

解图P1.21

1.22已知场效应管的输出特性曲线如图P1.22所示,画出它在恒流区的转移特性曲线。

图P1.22

在场效应管的恒流区作横坐标的垂线〔如解图P1.22(a所示〕,读出其与各条曲线交点的纵坐标值及UGS值,建立iD=f(uGS坐标系,描点,连线,即可得到转移特性曲线,如解图P1.22(b所示。

解图P1.22

1.23电路如图1.23所示,T的输出特性如图P1.22所示,分析当uI=4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。

解:

根据图P1.22所示T的输出特性可知,其开启电压为5V,根据图P1.23所示电路可知所以uGS=uI。

当uI=4V时,uGS小于开启电压,故T截止。

当uI=8V时,设T工作在恒流区,根据输出特性可知iD≈0.6mA,管压降uDS≈VDD-iDRd≈10V因此,uGD=uGS-uDS≈-2V,小于开启电压,说明假设成立,即T工作在恒流区。

当uI=12V时,由于VDD=12V,必然使T工作在可变电阻区。

图P1.231.24分别判断图P1.24所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。

图P1.24(解:

a)可能(b)不能(c)不能(d)可能第一章题解-16

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