最新flashsetlatency位置推荐word版 15页Word格式.docx
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CM3将复位视作异常，优先级最高的异常。
stm32f1有三种复位：
系统复位、电源复位、备份区复位。
前两种是真正的复位，对他的响应由硬件完成，这个响应对软件流的影响是这样的：
程序指针指向0x00000004，这个单元存储的是复位服务子程序（或者汇编叫子过程），同时从0x00000000获取堆栈顶的地址。
不同的复位类型还有对其他寄存的不同复位方式，这就完成了复位。
而备份区复位则不然，零地址存放的是堆栈顶的地址，之后就是以Reset_Handler打头的向量表。
上面所说的向量表的存储从零地址开始，这是缺省的情况，可以通过NVIC的一个寄存器来重定向向量表。
（权威指南7.3向量表）
三、flash读写没仔细看，但能实现读写，不过用这两个函数的话，有一个bug，记下来回头研究。
flash必须先擦再写，flash_write以后，再写确实不行了，但再次上电，就能在同一个地址写了。
而且flash确实烧写好了，掉电后数据不会消失
有时需要存储一些数据，在复位后仍然不会丢失，这可能就会用到片上flash，stm32的片上flash结构见。
对flash的编程逻辑上是比较简单的，《flash编程手册》上写的很清楚，3.5固件库给出的例程为：
FLASH_UnlockBank1（）;
FLASH_ClearFlag（FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR）;
FLASHStatus=FLASH_ErasePage（0x0803F800）;
//擦除整页FLASHStatus=FLASH_ProgramHalfWord（0x0803F800,DATA）;
//写入数据,在指定地址编写半字,DATA：
待写入的数据
需要注意的是，在写之前必须要保证已经擦除，不然硬件不会执行编程指令。
在写0时，不需要先擦除，擦除后存储单元的值为0XFF。
据此可以判断：
所谓的编程，就是与操作，0XFF与任何数与变成那个数，0与任何数与还是0。
另外，擦除一页要21.9ms（对于2k大小的一页），比较慢。
基础应用1
FLASH时序延迟几个周期，等待总线同步操作。
推荐按照单片机系统运行频率，0—24MHz时，取Latency=0；
24—48MHz时，取Latency=1；
48~72MHz时，取Latency=2。
所有程序中必须的
用法：
FLASH_SetLatency（FLASH_Latency_2）;
位置：
RCC初始化子函数里面，时钟起振之后。
基础应用2
开启FLASH预读缓冲功能，加速FLASH的读取。
所有程序中必须的用法：
FLASH_PrefetchBufferCmd（FLASH_PrefetchBuffer_Enable）;
//使能或者失能预取指缓存
阅读lib：
调试所有外设初始化的函数。
我的理解——不理解，也不需要理解。
只要知道所有外设在调试的时候，EWRAM需要从这个函数里面获得调试所需信息的地址或者指针之类的信息。
基础应用3
只有一个函数debug。
所有程序中必须的。
#ifdefDEBUG
debug（）;
#endif
main函数开头，声明变量之后。
阅读nvic：
系统中断管理。
我的理解——管理系统内部的中断，负责打开和关闭中断。
基础应用4
中断的初始化函数，包括设置中断向量表位置，和开启所需的中断两部分。
voidNVIC_Configuration（void）
{
NVIC_InitTypeDefNVIC_InitStructure;
//中断管理恢复默认参数
#ifdefVECT_TAB_RAM//如果C/C++Compiler\Preprocessor\Definedsymbols中的定义了VECT_TAB_RAM（见程序库更改内容的表格）
NVIC_SetVectorTable（NVIC_VectTab_RAM,0x0）;
//则在RAM调试#else//如果没有定义VECT_TAB_RAM
NVIC_SetVectorTable（NVIC_VectTab_FLASH,0x0）;
//则在Flash里调试#endif//结束判断语句
//以下为中断的开启过程，不是所有程序必须的。
//NVIC_PriorityGroupConfig（NVIC_PriorityGroup_2）;
//设置NVIC优先级分组，方式。
//注：
一共16个优先级，分为抢占式和响应式。
两种优先级所占的数量由此代码确定，NVIC_PriorityGroup_x可以是0、1、2、3、4，分别代表抢占优先级有1、2、4、8、16个和响应优先级有16、8、4、2、1个。
规定两种优先级的数量后，所有的中断级别必须在其中选择，抢占级别高的会打断其他中断优先执行，而响应级别高的会在其他中断执行完优先执行。
//NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannel=中断通道名;
//开中断，中断名称见函数库
//NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority=0;
//抢占优先级//NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelSubPriority=0;
//响应优先级
//NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelCmd=ENABLE;
//启动此通道的中断//NVIC_Init（&
NVIC_InitStructure）;
//中断初始化
}
阅读rcc：
单片机时钟管理。
我的理解——管理外部、内部和外设的时钟，设置、打开和关闭这些时钟。
RCC在RCC部分学习过了，没有问题
篇二：
STM32F10x_Flash
9.1FLASH寄存器结构..............................................................104
9FLASH存储器（FLASH）
Section9.1FLASH寄存器结构描述了固件函数库所使用的数据结构，Section9.2固件库函数介绍了函数库里的所有函数。
9.1FLASH寄存器结构
FLASH寄存器结构，FLASH_TypeDef和OB_TypeDef，在文件中定义如下：
typedefstruct{vu32ACR;
vu32KEYR;
vu32OPTKEYR;
vu32SR;
vu32CR;
vu32AR;
vu32RESERVED;
vu32OBR;
vu32WRPR;
}FLASH_TypeDef;
typedefstruct{vu16RDP;
vu16USER;
vu16Data0;
vu16Data1;
vu16WRP0;
vu16WRP1;
vu16WRP2;
vu16WRP3;
}OB_TypeDef;
Table142.和Table143.例举了FLASH所有寄存器和选择字节（OptionByteOB）寄存器
/*Flashregistersbaseaddress*/#defineFLASH_BASE（（u32）0x4002201X）/*FlashOptionBytesbaseaddress*/#defineOB_BASE（（u32）0x1FFFF800）#ifndefDEBUG...#ifdef_FLASH#defineFLASH（（FLASH_TypeDef*）FLASH_BASE）#defineOB（（OB_TypeDef*）OB_BASE）#endif/*_FLASH*/...#else/*DEBUG*/...#ifdef_FLASHEXTFLASH_TypeDef*FLASH;
EXTOB_TypeDef*OB;
#endif/*_FLASH*/...#endif
使用Debug模式时，初始化指针FLASH和OB于文件：
#ifdef_FLASHFLASH=（FLASH_TypeDef*）FLASH_BASE;
OB=（OB_TypeDef*）OB_BASE;
#endif/*_FLASH*/
为了访问EXTI寄存器，_FLASH必须在文件“sm32f10x_conf.h”中定义如下：
#define_FLASH
在默认情况下，只有执行FLASH设置（延迟，预取指，半周期）的函数式允许执行的。
如果想要执行FLASH编写/擦除/保护函数，必须在文件中定义_FLASH_PROG如下：
#define_FLASH_PROG
9.2FLASH库函数
FLASH的库函数【见首页】
9.2.1函数FLASH_SetLatency
查阅该参数可取的值
/*ConfiguretheLatencycycle:
Set2Latencycycles*/FLASH_SetLatency（FLASH_Latency_2）;
函数原型如下：
voidFLASH_SetLatency（u32FLASH_Latency）
/*Checktheparameters*/
assert_param（IS_FLASH_LATENCY（FLASH_Latency））;
/*SetstheLatencyvalue*/
FLASH->
ACR&
=ACR_LATENCY_Mask;
//0x00000038，高位保留位必须保持为0
ACR|=FLASH_Latency;
9.2.2函数
FLASH_HalfCycleAccessCmd
/*EnabletheHalfCycleFlashaccess*/FLASH_HalfCycleAccessCmd（FLASH_HalfCycleAccess_Enable）;
voidFLASH_HalfCycleAccessCmd（u32FLASH_HalfCycleAccess）
assert_param（IS_FLASH_HALFCYCLEACCESS_STATE（FLASH_HalfCycleAccess））;
/*EnableordisabletheHalfcycleaccess*/
=ACR_HLFCYA_Mask;
//Mask=0xFFFFFFF7
ACR|=FLASH_HalfCycleAccess;
}
9.2.3函数FLASH_PrefetchBufferCmd
/*EnableThePrefetchBuffer*/FLASH_PrefetchBufferCmd（FLASH_PrefetchBuffer_Enable）;
voidFLASH_PrefetchBufferCmd（u32FLASH_PrefetchBuffer）
assert_param（IS_FLASH_PREFETCHBUFFER_STATE（FLASH_PrefetchBuffer））;
/*EnableordisablethePrefetchBuffer*/
=ACR_PRFTBE_Mask;
//Mask=0xFFFFFFEF
ACR|=FLASH_PrefetchBuffer;
9.2.4函数FLASH_Unlock
/*UnlockstheFlashFLASH_Unlock（）;
voidFLASH_Unlock（void）
/*AuthorizetheFPECAccess*/
KEYR=FLASH_KEY1;
//0x45670123
KEYR=FLASH_KEY2;
//0xCDEF89AB
}//写入KEY1和KEY2后，可以解除闪存----不能设置F
LASH->
CR；
FPEC模块不能使用
9.2.5函数FLASH_Lock
/*LockstheFlash*/
FLASH_Lock（）;
voidFLASH_Lock（void）
/*SettheLockBittolocktheFPECandtheFCR*/
CR|=CR_LOCK_Set;
//#defineCR_LOCK_Set（（u32）0x00000080）
}//锁住FLASH的FPEC模块和FLASH_CR。
9.2.6函数FLASH_ErasePage
/*ErasestheFlashPage0*/
FLASH_Statusstatus=FLASH_COMPLETE;
status=FLASH_ErasePage（0x08000000）;
//0x0800000是Page0的地址
/*
typedefenum
FLASH_BUSY=1,//=1；
SR.bit0
FLASH_ERROR_PG,//=2；
SR.bit2
FLASH_ERROR_WRP,//=3；
SR.bit4
FLASH_COMPLETE,//=4；
SR.bit5
FLASH_TIMEOUT//=5；
无对应寄存器控制位
}FLASH_Status;
*/
FLASH_StatusFLASH_ErasePage（u32Page_Address）
//FLASH_COMPLETE=4
assert_param（IS_FLASH_ADDRESS（Page_Address））;
//#defineIS_FLASH_ADDRESS（ADDRESS）（（（ADDRESS）>
=0x08000000）&
&
（（ADDRESS）<
0x0807FFFF））；
//大容量FLASH:
0x0807FFFF（256页）；
中等容量FLASH:
0x0801FFFF（128页）；
小容量FLASH：
0x08007FFF（32页）//按最大容量判断，方便不同IC的可移植性。
/*Waitforlastoperationtobecompleted*/
status=FLASH_WaitForLastOperation（EraseTimeout）;
//EraseTimeout=0x00000FFF
//【1】要擦除时，是否Flash内有其他操作正在进行，并返回“Complete”状态（未必一定）。
if（status==FLASH_COMPLETE）
/*ifthepreviousoperationiscompleted,proceedtoerasethepage*/
CR|=CR_PER_Set;
//【2】0x00000002；
PageEraseEnable
AR=Page_Address;
//【3】写入要擦除的页地址
CR|=CR_STRT_Set;
//【4】0x00000040，（擦除）操作开始！
//【5】判断擦除是否完成！
if（status!
=FLASH_BUSY）
/*iftheeraseoperationiscompleted,disablethePERBit*/
CR&
=CR_PER_Reset;
//【6】0x00001FFD，擦除操作完成，要关闭“页擦除使能”
}/*ReturntheEraseStatus*/
returnstatus;
//返回擦除完成状况。
调用函数如下：
/*FLASH_StatusFLASH_WaitForLastOperation（u32Timeout）//设置超时时间值Timeout=0x0000000F
篇三：
STM32-FLASH
STM32flash操作
对芯片内部flash进行操作的函数，包括读取，状态，擦除，写入等等，可以允许程序去操作flash上的数据。
基础应用1，FLASH时序延迟几个周期，等待总线同步操作。
基础应用2，开启FLASH预读缓冲功能，加速FLASH的读取。
3、阅读lib：
基础应用1，只有一个函数debug。
#ifdefDEBUG
4、阅读nvic：
基础应用1，中断的初始化函数，包括设置中断向量表位置，和开启所需的中断两部分。
//则在RAM调试
#else//如果没有定义VECT_TAB_RAM
//则在Flash里调试
#endif//结束判断语句
//抢占优先级
//NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelSubPriority=0;
//启动此通道的中断
//NVIC_Init（&
5、阅读rcc：
基础应用1：
时钟的初始化函数过程——
voidRCC_Configuration（void）//时钟初始化函数
ErrorStatusHSEStartUpStatus;
//等待时钟的稳定
RCC_DeInit（）;
//时钟管理重置
RCC_HSEConfig（RCC_HSE_ON）;
//打开外部晶振
HSEStartUpStatus=RCC_WaitForHSEStartUp（）;
//等待外部晶振就绪
if（HSEStartUpStatus==SUCCESS）
//flash读取缓冲，加速
//flash操作的延时
RCC_HCLKC
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