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1、CM3将复位视作异常，优先级最高的异常。stm32f1有三种复位：系统复位、电源复位、备份区复位。前两种是真正的复位，对他的响应由硬件完成，这个响应对软件流的影响是这样的：程序指针指向0x0000 0004，这个 单元 存储的是复位服务子程序（或者汇编叫子过程），同时从0x0000 0000获取堆栈顶的地址。不同的复位类型还有对其他寄存的不同复位方式，这就完成了复位。而备份区复位则不然， 零地址存放的是堆栈顶的地址，之后就是以Reset_Handler打头的向量表。上面所说的向量表的存储从零地址开始，这是缺省的情况，可以通过NVIC的一个寄存器来重定向向量表。（权威指南7.3向量表）三、fla

2、sh读写 没仔细看，但能实现读写，不过用这两个函数的话，有一个bug，记下来回头研究。flash必须先擦再写，flash_write以后，再写确实不行了，但再次上电，就能在同一个地址写了。而且flash确实烧写好了，掉电后数据不会消失有时需要存储一些数据，在复位后仍然不会丢失，这可能就会用到片上flash，stm32的片上flash结构见。对flash的编程逻辑上是比较简单的，flash编程手册上写的很清楚，3.5固件库给出的例程为：FLASH_UnlockBank1（）;FLASH_ClearFlag（FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLA

3、G_WRPRTERR）;FLASHStatus=FLASH_ErasePage（0x0803F800）;/擦除整页 FLASHStatus=FLASH_ProgramHalfWord（0x0803F800, DATA）;/写入数据,在指定地址编写半字,DATA：待写入的数据需要注意的是，在写之前必须要保证已经擦除，不然硬件不会执行编程指令。在写0时，不需要先擦除，擦除后存储单元的值为0XFF。据此可以判断：所谓的编程，就是与操作，0XFF与任何数与变成那个数，0与任何数与还是0。另外，擦除一页要21.9ms（对于2k大小的一页），比较慢。基础应用1FLASH时序延迟几个周期，等待总线同步操作。

4、推荐按照单片机系统运行频率，024MHz时，取Latency=0；2448MHz时，取Latency=1；4872MHz时，取Latency=2。所有程序中必须的用法：FLASH_SetLatency（FLASH_Latency_2）;位置：RCC初始化子函数里面，时钟起振之后。基础应用2开启FLASH预读缓冲功能，加速FLASH的读取。所有程序中必须的 用法：FLASH_PrefetchBufferCmd（FLASH_PrefetchBuffer_Enable）;/使能或者失能预取指缓存阅读lib：调试所有外设初始化的函数。我的理解不理解，也不需要理解。只要知道所有外设在调试的时候，EWRA

5、M需要从这个函数里面获得调试所需信息的地址或者指针之类的信息。基础应用3只有一个函数debug。所有程序中必须的。#ifdef DEBUGdebug（）;#endifmain函数开头，声明变量之后。阅读nvic：系统中断管理。我的理解管理系统内部的中断，负责打开和关闭中断。基础应用4中断的初始化函数，包括设置中断向量表位置，和开启所需的中断两部分。 void NVIC_Configuration（void）NVIC_InitTypeDef NVIC_InitStructure; /中断管理恢复默认参数#ifdef VECT_TAB_RAM /如果C/C+ CompilerPreprocesso

6、rDefined symbols中的定义了VECT_TAB_RAM（见程序库更改内容的表格）NVIC_SetVectorTable（NVIC_VectTab_RAM, 0x0）; /则在RAM调试 #else /如果没有定义VECT_TAB_RAMNVIC_SetVectorTable（NVIC_VectTab_FLASH, 0x0）;/则在Flash里调试 #endif /结束判断语句/以下为中断的开启过程，不是所有程序必须的。/NVIC_PriorityGroupConfig（NVIC_PriorityGroup_2）;/设置NVIC优先级分组，方式。/注：一共16个优先级，分为抢占式和响

7、应式。两种优先级所占的数量由此代码确定，NVIC_PriorityGroup_x可以是0、1、2、3、4，分别代表抢占优先级有1、2、4、8、16个和响应优先级有16、8、4、2、1个。规定两种优先级的数量后，所有的中断级别必须在其中选择，抢占级别高的会打断其他中断优先执行，而响应级别高的会在其他中断执行完优先执行。/NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannel = 中断通道名; /开中断，中断名称见函数库/NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority = 0; /抢占优先级 /NVIC_InitStructu

8、re.NVIC_IRQChannelSubPriority = 0; /响应优先级/NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelCmd = ENABLE; /启动此通道的中断 /NVIC_Init（&NVIC_InitStructure）; /中断初始化阅读rcc：单片机时钟管理。我的理解管理外部、内部和外设的时钟，设置、打开和关闭这些时钟。RCC在RCC部分学习过了，没有问题篇二：STM32F10x_Flash9.1 FLASH寄存器结构.1049 FLASH存储器（FLASH）Section 9.1 FLASH寄存器结构描述了固件函数库所使用的数据结构，Sectio

9、n 9.2 固件库函数介绍了函数库里的所有函数。9.1 FLASH寄存器结构FLASH寄存器结构，FLASH_TypeDef和OB_TypeDef，在文件中定义如下：typedef struct vu32 ACR; vu32 KEYR; vu32 OPTKEYR; vu32 SR;vu32 CR;vu32 AR; vu32 RESERVED; vu32 OBR; vu32 WRPR; FLASH_TypeDef; typedef struct vu16 RDP; vu16 USER;vu16 Data0;vu16 Data1;vu16 WRP0; vu16 WRP1;vu16 WRP2;vu1

10、6 WRP3; OB_TypeDef;Table 142.和 Table 143.例举了FLASH所有寄存器和选择字节（Option Byte OB）寄存器/* Flash registers base address */ #define FLASH_BASE （u32）0x4002201X） /* Flash Option Bytes base address */ #define OB_BASE （u32）0x1FFFF800） #ifndef DEBUG . #ifdef _FLASH #define FLASH （FLASH_TypeDef *） FLASH_BASE） #defin

11、e OB （OB_TypeDef *） OB_BASE） #endif /*_FLASH */ . #else /* DEBUG */ . #ifdef _FLASH EXT FLASH_TypeDef *FLASH; EXT OB_TypeDef *OB; #endif /*_FLASH */ . #endif 使用 Debug 模式时，初始化指针FLASH 和 OB 于文件：#ifdef _FLASH FLASH = （FLASH_TypeDef *） FLASH_BASE; OB = （OB_TypeDef *） OB_BASE; #endif /*_FLASH */为了访问 EXTI

12、寄存器，_FLASH必须在文件“sm32f10x_conf.h ”中定义如下：#define _FLASH在默认情况下，只有执行FLASH设置（延迟，预取指，半周期）的函数式允许执行的。如果想要执行 FLASH编写/擦除/保护函数，必须在文件中定义_FLASH_PROG如下：#define _FLASH_PROG9.2 FLASH库函数FLASH的库函数【见首页】9.2.1 函数FLASH_SetLatency查阅该参数可取的值/* Configure the Latency cycle: Set 2 Latency cycles */ FLASH_SetLatency（FLASH_Laten

13、cy_2）;函数原型如下：void FLASH_SetLatency（u32 FLASH_Latency）/* Check the parameters */assert_param（IS_FLASH_LATENCY（FLASH_Latency）;/* Sets the Latency value */FLASH-ACR &= ACR_LATENCY_Mask;/ 0x00000038，高位保留位必须保持为0ACR |= FLASH_Latency;9.2.2 函数FLASH_HalfCycleAccessCmd/* Enable the Half Cycle Flash access */

14、FLASH_HalfCycleAccessCmd（FLASH_HalfCycleAccess_Enable）;void FLASH_HalfCycleAccessCmd（u32 FLASH_HalfCycleAccess）assert_param（IS_FLASH_HALFCYCLEACCESS_STATE（FLASH_HalfCycleAccess）;/* Enable or disable the Half cycle access */= ACR_HLFCYA_Mask;/Mask = 0xFFFFFFF7ACR |= FLASH_HalfCycleAccess; 9.2.3 函数FLA

15、SH_PrefetchBufferCmd/* Enable The Prefetch Buffer */ FLASH_PrefetchBufferCmd（FLASH_PrefetchBuffer_Enable）;void FLASH_PrefetchBufferCmd（u32 FLASH_PrefetchBuffer）assert_param（IS_FLASH_PREFETCHBUFFER_STATE（FLASH_PrefetchBuffer）;/* Enable or disable the Prefetch Buffer */= ACR_PRFTBE_Mask;/ Mask = 0xFFF

16、FFFEFACR |= FLASH_PrefetchBuffer;9.2.4 函数FLASH_Unlock/* Unlocks the Flash FLASH_Unlock（）;void FLASH_Unlock（void）/* Authorize the FPEC Access */KEYR = FLASH_KEY1;/ 0x45670123KEYR = FLASH_KEY2;/ 0xCDEF89AB/写入KEY1和KEY2后，可以解除闪存-不能设置F LASH-CR；FPEC模块不能使用 9.2.5 函数FLASH_Lock/* Locks the Flash */FLASH_Lock（）

17、;void FLASH_Lock（void）/* Set the Lock Bit to lock the FPEC and the FCR */CR |= CR_LOCK_Set;/ #define CR_LOCK_Set （u32）0x00000080）/ 锁住FLASH的FPEC模块和FLASH_CR。9.2.6 函数FLASH_ErasePage/* Erases the Flash Page 0 */FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;status = FLASH_ErasePage（0x08000000）; /0x0800000是Page0的地

18、址/*typedef enumFLASH_BUSY = 1,/=1；SR.bit0FLASH_ERROR_PG, /=2；SR.bit2FLASH_ERROR_WRP, /=3；SR.bit4FLASH_COMPLETE, /=4；SR.bit5FLASH_TIMEOUT /=5；无对应寄存器控制位FLASH_Status;*/FLASH_Status FLASH_ErasePage（u32 Page_Address）/ FLASH_COMPLETE = 4assert_param（IS_FLASH_ADDRESS（Page_Address）;/ #define IS_FLASH_ADDRES

19、S（ADDRESS） （ADDRESS） = 0x08000000） & （ADDRESS） 0x0807FFFF）；/大容量FLASH: 0x0807FFFF（256页）；中等容量FLASH: 0x0801FFFF（128页）；小容量FLASH：0x08007FFF（32页） /按最大容量判断，方便不同IC的可移植性。/* Wait for last operation to be completed */status = FLASH_WaitForLastOperation（EraseTimeout）; / EraseTimeout = 0x00000FFF/【1】要擦除时，是否Flash

20、内有其他操作正在进行，并返回“Complete”状态（未必一定）。if（status = FLASH_COMPLETE）/* if the previous operation is completed, proceed to erase the page */CR|= CR_PER_Set;/【2】 0x00000002；Page Erase EnableAR = Page_Address; /【3】写入要擦除的页地址CR|= CR_STRT_Set;/ 【4】0x00000040，（擦除）操作开始！/【5】判断擦除是否完成！if（status != FLASH_BUSY）/* if the

21、 erase operation is completed, disable the PER Bit */CR &= CR_PER_Reset;/【6】0x00001FFD，擦除操作完成，要关闭“页擦除使能”/* Return the Erase Status */return status;/返回擦除完成状况。调用函数如下：/* FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation（u32 Timeout）/设置超时时间值Timeout = 0x0000 000F篇三：STM32-FLASHSTM32 flash操作对芯片内部flash进行操作的函数，包括读取，状态

22、，擦除，写入等等，可以允许程序去操作flash上的数据。基础应用1，FLASH时序延迟几个周期，等待总线同步操作。基础应用2，开启FLASH预读缓冲功能，加速FLASH的读取。3、 阅读lib：基础应用1，只有一个函数debug。 #ifdef DEBUG4、 阅读nvic：基础应用1，中断的初始化函数，包括设置中断向量表位置，和开启所需的中断两部分。 /则在RAM调试#else /如果没有定义VECT_TAB_RAM/则在Flash里调试#endif /结束判断语句 /抢占优先级/NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelSubPriority = 0; /启动此通道的中断/NVIC_Init（&5、 阅读rcc：基础应用1：时钟的初始化函数过程void RCC_Configuration（void） /时钟初始化函数ErrorStatus HSEStartUpStatus; /等待时钟的稳定RCC_DeInit（）; /时钟管理重置RCC_HSEConfig（RCC_HSE_ON）; /打开外部晶振HSEStartUpStatus = RCC_WaitForHSEStartUp（）; /等待外部晶振就绪if （HSEStartUpStatus = SUCCESS）/flash读取缓冲，加速 /flash操作的延时RCC_HCLKC