模电第四版习题解答Word格式.docx

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模电第四版习题解答Word格式.docx

二、选择正确答案填入空内。

(1)PN结加正向电压时,空间电荷区将A。

A.变窄B.基本不变C.变宽

(2)稳压管的稳压区是其工作在C。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿

(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为B。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏

(4)Ugs=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A、C。

A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管

三、写出图TI.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压Ud=0.7V。

?

<

-O+

Tnz

■©

+

■O.

图T1.3

解:

Uoi=1.3V,Uo2=0V,Uo3=-1.3V,Uo4=2V,Uo5=1.3V,Uo6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值Uz=6V,稳定电流的最小值lzmin=5mA。

求图TI.4所示电路

中Uoi和Uo2各为多少伏。

(b)

图T1.4

左图中稳压管工作在击穿状态,故Uoi=6V。

右图中稳压管没有击穿,故UO2=5V。

五、电路如图T1.5所示,Vcc=15V,-=100,

试问:

(1)Rb=50k「.时,Uo=?

⑵若T临界饱和,贝URb=?

解:

(1)IB=VBBUbe=26」A,

Rb

lc=0|B=2.6mA,

Uo二Vcc-IcRc=2/。

Ibs"

cs/—28.6'

A

VBB-Ube

…%一

IBS

=45.5kf1

六、测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表TI.6所示,它们的开启电压也在表中。

试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区),并填入表

内。

表T1.6

AvV口

吕号

UGS(th)/V

Us/V

Ug/V

Ud/V

工作状态

T1

4

-5

1

3

恒流区

T2

-4

10

截止区

T3

6

5

可变电阻区

因为三只管子均有开启电压,所以它们均为增强型MOS管。

根据表中所示

各极电位可判断出它们各自的工作状态,如表TI.6最后一栏所示。

习题

1.1选择合适答案填入空内。

(1)在本征半导体中加入(A)元素可形成N型半导体,加入(C)元素可形成P型半导体。

A.五价B.四价C.三价

(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A)。

A.增大B.不变C.减小

(3)工作在放大区的某三极管,如果当Ib从12uA增大到22uA时,lc从ImA变为

2mA,那么它的B约为(C)。

A.83B.91C.100

⑷当场效应管的漏极直流电流Id从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将(A)。

A.增大;

B.不变;

C.减小

1.2电路如图P1.2所示,已知Ui=10sin「t(v),试画出Ui与u。

的波形。

设二极

管导通电压可忽略不计。

图P1.2

ui与u°

的波形如解图PI.2所示。

1.3电路如图P1.3所示,已知ui=5sin「t(v),二极管导通电压Ud=0.7V。

试画

出ui与u°

的波形图,并标出幅值。

1.4电路如图P1.4所示,二极管导通电压交流信号可视为短路;

ui为正弦波,有效值为的有效值为多少?

二极管的直流电流

Ud=0.7V,常温下Ut:

26mV,电容C对

10mV。

试问二极管中流过的交流电流

Id=(V-Ud)/R=2.6mA

其动态电阻:

图P1.4

rD<

-UT/1D=10‘」

故动态电流的有效值:

|d=Ui/rD:

1mA

1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V和8V,正向导通电压为0.7V。

试问:

⑴若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?

各为多少?

(2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?

⑴串联相接可得4种:

1.4V;

14V;

6.7V;

8.7V。

(2)并联相接可得2种:

0.7V;

6V。

1.6已知图Pl.6所示电路中稳压管的稳定电压Uz=6V,最小稳定电流

IZmin=5mA,最大稳定电流Lmax=25mA。

⑴分别计算Ui为10V、15V、35V三种情况下输出电压U。

的值;

⑵若U|=35V时负载开路,则会出现什么现象?

为什么?

5D迁―脇Q陆

(1)只有当加在稳压管两端的

电压大于其稳压值时,输出电压才为6V。

•••U|=10V时,UOR^U|=3.3V;

R+Rl

图Pl.6

R

U|=15V时,UO-U|=5V;

RRl

UI-35V时,UOR^UI11.7VUZ,•UO=UZ=6V。

R+R_

0.1

⑵当负载开路时,

Iz

_U|-Uz

-R

=29mA■|zmax=25mA,

故稳压管将被烧毁。

1.7在图Pl.7所示电路中,发光二极管导通电压Ud=1.5V,正向电流在5~15mA时才能正常工作。

试问:

(1)开关S在什么位置时发光二极管才能发光?

(2)R的取值范围是多少?

o+r

(TV)

(1)S闭合。

(2)R的范围为:

Rmin-(V-Ud)/Idmax233:

:

Rmax=(V-Ud)/IDmin700'

.1

图P1.7

1.8现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图P1.8所示。

分别求另一电极

图Pl.8

解图Pl.8

答案如解图Pl.8所示。

放大倍数分别为飞=1mA/10」A=100和“=5mA/100」A=50

1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。

在圆圈中画出管子,

并说明它们是硅管还是锗管。

图P1.9

如解图1.9。

SiSiGctie

解图1.9

1.10电路如图P1.10所示,晶体管导通时

Ube=0.7V,3=50。

试分析Vbb为0V、

1V、3V三种情况下T的工作状态及输出电压Uo的值。

⑴当Vbb=0时,T截止,U°

=12V

(2)当Vbb=1V时,因为

1BQ

VBB_UBEQ

=60」A

Icq二-Ibq二3mA

图P1.10

Uo=VccTcqRc=9V

所以T处于放大状态。

^Vbb—LJbeq

⑶当VBB3时,因为"

十,

Icq=2|bq=23mALlCsUces-11.3mA,所以T处于饱和状态。

Rc

1.11电路如图PI.11所示,晶体管的3=50,Ube=0.2V,饱和管压降UCES=°

・V;

稳压管的稳定电压Uz=5V,正向导通电压Ud=0.5V。

当ul=0V时uO=?

当5--5V时uO=?

当U|=0V时,晶体管截止,稳压管击穿,

Uo-~Uz=_5Vo

+I0H2

当q二-5V时,晶体管饱和,

uo=-0.1Vo

因为:

图P1.11

u-U

Ib=—=480#A,lc|=0|Ib=24mA,Uec=Vcc-lcRC"

1.12分别判断图Pl.12所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。

(a)(b)(c)

十GV

(a)可能;

(b)可能;

(c)不能;

(d)不能,T的发射结会因电流过大而损坏。

(e)

可能。

1.13已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极①、②、③的电位分别为4V、8V、12V,管子工作在恒流区。

试判断它可能是哪种管子(结型管、MOS管、增

强型、耗尽型),并说明①、②、③与G、S、D的对应关系。

管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管,三个极①、②、③与G、S、

D的对应关系如解图Pl.13所示。

解图Pl.13

1.14已知场效应管的输出特性曲线如图Pl.14所示,画出它在恒流区的转移特性

解图Pl.14

在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图Pl.14(a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐标值及Ugs值,建立i°

=f(UGs)坐标系,描点,连线,即可得到转移特性曲线,如解图Pl.14(b)所示。

1.15电路如图P1.15所示,T的输出特性如图Pl.14所示,分析当*=4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。

5V,根据图Pl.15所

根据图P1.14所示T的输出特性可知,其开启电压为示电路可知UGS二U|。

当U|=4V时,Ugs小于开启电压,故T截止。

当Ui=8V时,设T工作在恒流区,根据输出

特性可知iD:

0.6mA,管压降Uds>

Vdd-ioRd:

10V,

因此,UGD=UGS_UDS-2V,小于开启电压,

说明假设成立,即T工作在恒流区。

图Pl.15

当U|=12V时,由于Vdd=12V,必然使T工作在可变电阻区。

DD

(c)

图P1.16

(d)

1.16分别判断图Pl.16所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。

 

(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。

补充1.电路如补图P1⑻、(b)所示,稳压管的稳定电压Uz=3V,R的取值合适,

Ui的波形如图(C)所示。

试分别画出Uoi和u°

2的波形。

补图P1

波形如下图所示

补充2.在温度20°

C时某晶体管的Icbo=2^A,试问温度是60°

C时的Icbo二?

解:

ICBO60“CBO2024=224=32」A。

补充3.有两只晶体管,一只的3=200,Iceo=2004A;

另一只的3=100

Iceo=io」a,其它参数大致相同。

你认为应选用哪只管子?

为什么?

选用3=100,IceoMIOPIA的管子,因其3适中,Leo较小,因而温度稳定

性较另一只管子好。

补充4.电路如补图P4所示,试问3大于多少时晶体管饱和?

取UCES~UBE,若管子饱和,

则]VCCU^E=VCCWe,即R

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