TL494标准的应用参数Word下载.docx
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反相输入端2脚输入5V基准电压（由14脚输出）。
当输出电压降低时，1脚电压降低，误差放大器输出低电平，通过PWM电路使输出电压升高。
正常时1脚电压值为5.4V，2脚电压值为5V，3脚电压值为0.06V。
此时输出AC电压为235V（方波电压）。
第4脚外接R6、R4、C2设定死区时间。
正常电压值为0.01V。
第5、6脚外接CT、RT设定振荡器三角波频率为100Hz。
正常时5脚电压值为1.75V，6脚电压值为3.73V。
第7脚为共地。
第8、11脚为内部驱动输出三极管集电极，第12脚为TL494前级供电端，此三端通过开关S控制TL494的启动/停止，作为逆变器的控制开关。
当S1关断时，TL494无输出脉冲，因此开关管VT4～VT6无任何电流。
S1接通时，此三脚电压值为蓄电池的正极电压。
第9、10脚为内部驱动级三极管发射极，输出两路时序不同的正脉冲。
正常时电压值为1.8V。
第13、14、15脚其中14脚输出5V基准电压，使13脚有5V高电平，控制门电路，触发器输出两路驱动脉冲，用于推挽开关电路。
第15脚外接5V电压，构成误差放大器反相输入基准电压，以使同相输入端16脚构成高电平保护输入端。
此接法中，当第16脚输入大于5V的高电平时，可通过稳压作用降低输出电压，或关断驱动脉冲而实现保护。
在它激逆变器中输出超压的可能性几乎没有，故该电路中第16脚未用，由电阻R8接地。
该逆变器采用容量为400VA的工频变压器，铁芯采用45×
60mm2的硅钢片。
初级绕组采用直径1.2mm的漆包线，两根并绕2×
20匝。
次级取样绕组采用0.41mm漆包线绕36匝，中心抽头。
次级绕组按230V计算，采用0.8mm漆包线绕400匝。
开关管VT4～VT6可用60V/30A任何型号的N沟道MOSFET管代替。
VD7可用1N400X系列普通二极管。
该电路几乎不经调试即可正常工作。
当C9正极端电压为12V时，R1可在3.6～4.7kΩ之间选择，或用10kΩ电位器调整，使输出电压为额定值。
如将此逆变器输出功率增大为近600W，为了避免初级电流过大，增大电阻性损耗，宜将蓄电池改用24V，开关管可选用VDS为100V的大电流MOSFET管。
需注意的是，宁可选用多管并联，而不选用单只IDS大于50A的开关管，其原因是：
一则价格较高，二则驱动太困难。
建议选用100V/32A的2SK564，或选用三只2SK906并联应用。
同时，变压器铁芯截面需达到50cm2，按普通电源变压器计算方式算出匝数和线径，或者采用废UPS-600中变压器代用。
如为电冰箱、电风扇供电，请勿忘记加入LC低通滤波器。
单驱动器-大功率逆变器电路设计过程详解
目前就世界范围来说，可直接驱动MOSFET管的IC品种仍不多，单端驱动器常用的是UC3842系列，而用于推挽电路双端驱动器有SG3525A（驱动N沟道场效应管）、SG3527A（驱动P沟道场效应管）和SG3526N（驱动N沟道场效应管）。
然而在开关电源快速发展的近40年中，毕竟有了一大批优秀的、功能完善的双端输出驱动IC。
同时随着MOSFET管应用普及，又开发了不少新电路，可将其用于驱动MOSFET管，解决MOSFET的驱动无非包括两个内容：
一是降低驱动IC的输出阻抗;
二是增设MOSFET管的灌电流通路。
为此，不妨回顾SG3525A、SG3527A、SG3526N以及单端驱动器UC3842系列的驱动级。
图2a为上述IC的驱动输出电路（以其中一路输出为例）。
振荡器的输出脉冲经或非门，将脉冲上升沿和下降沿输出两路时序不同的驱动脉冲。
在脉冲正程期间，Q1导通，Q2截止，Q1发射极输出的正向脉冲，向开关管栅极电容充电，使漏—源极很快达到导通阈值。
当正程脉冲过后，若开关管栅—源极间充电电荷不能快速放完，将使漏源极驱动脉冲不能立即截止。
为此，Q1截止后，或非门立即使Q2导通，为栅源极电容放电提供通路。
此驱动方式中，Q1提供驱动电流，Q2提供灌电流（即放电电流）。
Q1为发射极输出器，其本身具有极低的输出阻抗。
为了达到上述要求，将普通用于双极型开关管驱动输出接入图2b的外设驱动电路，也可以满足MOSFET管的驱动要求。
设计驱动双极型开关管的集成电路，常采用双端图腾柱式输出两路脉冲，即两路输出脉冲极性是相同的，以驱动推挽的两只NPN型三极管。
为了让推挽两管轮流导通，两路驱动脉冲的时间次序不同。
如果第一路输出正脉冲，经截止后，过一死区时间，第二路方开始输出。
两路驱动级采用双极型三极管集射极开路输出，以便于取得不同的脉冲极性，用于驱动NPN型或PNP型开关管。
图2b中接入了PNP型三极管Q和二极管D，其作用是分别使驱动电流和灌电流分路。
前级驱动IC内部缓冲器的发射极，在负载电阻R1上建立未倒相的正极性驱动脉冲使三极管Q截止。
在驱动脉冲上升沿开始，正极性脉冲通过二极管D加到MOSFET开关管栅—源极，对栅源极电容CGS充电，当充电电压达到开关管栅极电压阈值时，其漏源极导通。
正脉冲持续期过后，IC内部缓冲放大器发射极电平为零，输出端将有一定时间的死区。
此时，Q的发射极带有CGS充电电压，因而Q导通，CGS通过Q的ec极放电，Q的集电极电流为灌电流通路。
R2为开关管的栅极电阻，目的是避免开关管的栅极在Q、D转换过程中悬空，否则其近似无穷大的高输入阻抗极容易被干扰电平所击穿。
采用此方式利用普通双端输出集成电路，驱动MOSFET开关管，可以达到比较理想的效果。
为了降低导通/截止损耗，D应选用快速开关二极管。
Q的集电极电流应根据开关管决定，若为了提高输出功率，每路输出采用多只MOSFET管并联应用，则应选择ICM足够大的灌流三极管和高速开关二极管。
3、TL494简介
目前所有的双端输出驱动IC中，可以说美国德克萨斯仪器公司开发的TL494功能最完善、驱动能力最强，其两路时序不同的输出总电流为SG3525的两倍，达到400mA。
仅此一点，使输出功率千瓦级及以上的开关电源、DC/DC变换器、逆变器，几乎无一例外地采用TL494。
虽然TL494设计用于驱动双极型开关管，然而目前绝大部分采用MOSFET开关管的设备，利用外设灌流电路，也广泛采用TL494。
为此，本节中将详细介绍其功能及应用电路。
其内部方框图如图3所示。
其内部电路功能、特点及应用方法如下：
A.内置RC定时电路设定频率的独立锯齿波振荡器，其振荡频率fo（kHz）=1.2/R（kΩ）·
C（μF），其最高振荡频率可达300kHz，既能驱动双极性开关管，增设灌电流通路后，还能驱动MOSFET开关管。
B.内部设有比较器组成的死区时间控制电路，用外加电压控制比较器的输出电平，通过其输出电平使触发器翻转，控制两路输出之间的死区时间。
当第4脚电平升高时，死区时间增大。
C.触发器的两路输出设有控制电路，使Q1、Q2既可输出双端时序不同的驱动脉冲，驱动推挽开关电路和半桥开关电路，同时也可输出同相序的单端驱动脉冲，驱动单端开关电路。
D.内部两组完全相同的误差放大器，其同相输入端均被引出芯片外，因此可以自由设定其基准电压，以方便用于稳压取样，或利用其中一种作为过压、过流超阈值保护。
E.输出驱动电流单端达到400mA，能直接驱动峰值电流达5A的开关电路。
双端输出脉冲峰值为2×
200mA，加入驱动级即能驱动近千瓦的推挽式和桥式电路。
TL494的各脚功能及参数如下：
第1、16脚为误差放大器A1、A2的同相输入端。
最高输入电压不超过VCC+0.3V。
第2、15脚为误差放大器A1、A2的反相输入端。
可接入误差检出的基准电压。
第3脚为误差放大器A1、A2的输出端。
集成电路内部用于控制PWM比较器的同相输入端，当A1、A2任一输出电压升高时，控制PWM比较器的输出脉宽减小。
同时，该输出端还引出端外，以便与第2、15脚间接入RC频率校正电路和直接负反馈电路，一则稳定误差放大器的增益，二则防止其高频自激。
另外，第3脚电压反比于输出脉宽，也可利用该端功能实现高电平保护。
第4脚为死区时间控制端。
当外加1V以下的电压时，死区时间与外加电压成正比。
如果电压超过1V，内部比较器将关断触发器的输出脉冲。
第5脚为锯齿波振荡器外接定时电容端，第6脚为锯齿波振荡器外接定时电阻端，一般用于驱动双极性三极管时需限制振荡频率小于40kHz。
第7脚为接地端。
第8、11脚为两路驱动放大器NPN管的集电极开路输出端。
当第8、11脚接Vcc，第9、10脚接入发射极负载电阻到地时，两路为正极性图腾柱式输出，用以驱动各种推挽开关电路。
当第8、11脚接地时，两路为同相位驱动脉冲输出。
第8、11脚和9、10脚可直接并联，双端输出时最大驱动电流为2×
200mA，并联运用时最大驱动电流为400mA。
第14脚为内部基准电压精密稳压电路端。
输出5V±
0.25V的基准电压，最大负载电流为10mA。
用于误差检出基准电压和控制模式的控制电压。
TL494的极限参数：
最高瞬间工作电压（12脚）42V，最大输出电流250mA，最高误差输入电压Vcc+0.3V，测试/环境温度≤45℃，最大允许功耗1W，最高结温150℃，使用温度范围0～70℃，保存温度-65～+150℃。
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