模拟电子技术随堂练习Word下载.docx
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D.最大值为10V,最小值为0V
D
A.稳定电压'
丄与相应电流IZ之比
B.稳压管端电压变化量-UZ与相应电流变化量上IZ的比值
C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值参考答案：
7.在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是（）。
A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极
C.NPN管的发射极D.NPN管的基极
8.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V,VB=-1.4V,VC=5V则该管类型为
（）。
A.NPN型锗管B.PNP型锗管
C.NPN型硅管D.PNP型硅管
A
第2章基本放大电路
1.如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流（）0
A.反向B.近似等于零
C.不变D.增大
2.晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。
A.发射结反偏，集电结正偏
B.发射结、集电结均反偏
C.发射结、集电结均正偏
D.发射结正偏、集电结反偏
3.晶体管的电流放大系数Q是指（）
A.工作在饱和区时的电流放大系数
B.工作在放大区时的电流放大系数
C.工作在截止区时的电流放大系数参考答案：
4.低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于（）
举300Q十Q十Q）竺上丄
A.；
B.乜
SOOQ-f
C.
5.某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC根据图中的数据判断该管处在（）
A.截止状态B.放大状态C.饱和状态
6.某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（）
A.P沟道耗尽型MOSt
B.N沟道增强型MOS管
C.P沟道增强型MOS管
7.已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，贝吐匕管子的夹断电压约
为（）。
A.0VB.+2VC.—2VD.—1V
11.图示电路，已知晶体管0=60,屁，忽略UBE如要将集电极电流IC调整到1.5mA.,
RB应取（）。
A.480kWB.120kWC.240kWD.360kW
12.电路如图所示，若晶体管的发射结被烧坏而形成开路，那么集电极电位UC应等于（）
A.
1
6VB.0VC.0.6VD.5.3V
o
13.某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如图所示，欲使工作点移至Q'
需使（）
A.偏置电阻RB增大B.集电极电阻RC减小C.偏置电阻RB减小
=40//A
%（V）
14.单管放大电路如图所示，其交直流负载的正确画法是图2中的（
15.对放大电路进行动态分析的主要任务是（）。
A.确定静态工作点QB.确定集电结和发射结的偏置电压
C.确定电压放大倍数二和输入，输出电阻ri,rO。
16.某一固定偏置NPN管共射放大电路如图1所示，其输入和输出电压波形如图2所示，造成这种
失真的原因是（）。
A.管子的’值太小B.电路电源电压一太高
C.偏置电阻5太小D.偏置电阻■'
上太大
17.如图所示的放大电路（）。
A.不能稳定静态工作点。
B.能稳定静态工作点，但比无二极管D的电路效果要差
C.能稳定静态工作点且效果比无二极管D的电路更好
18.与共射单管放大电路相比，射极输出器电路的特点是（）
A.输入电阻高，输出电阻低B.输入电阻低，输出电阻高C.输入，输出电阻都很高D.输入，输出电阻都很低
（
20.某两级阻容耦合共射放大电路,不接第二级时第一级的电压放大倍数为100倍,接上第二级后
第一级电压放大倍数降为50倍,第二级的电压放大倍数为50倍,则该电路总电压放大倍数为（）
A.5000倍B.2500倍C.150倍D.1000倍
21.两级阻容耦合放大电路中，第一级的输出电阻是第二级的（）。
A.输入电阻B.信号源内阻C.负载电阻
22.两级阻容耦合放大电路中，若改变第一级静态基极电流IB1，则（）。
A.第二级的基极电流'
随之而改变
B.第二级的静态值■）均不改变
C.第二级的静态电流'
不改变，但‘亠要改变
23.直流放大器中的级间耦合通常采用（）
A.阻容耦合（b）变压器耦合
（c）直接耦合（d）电感抽头耦合
第3章多级放大电路
1.差分放大电路的作用是（）
A.放大差模信号，抑制共模信号
B.放大共模信号，抑制差模信号
C.放大差模信号和共模信号
D.差模信号和共模信号都不放大参考答案：
2.集成运放输入级一般采用的电路是（）。
A.差分放大电路（b）射极输出电路
（c）共基极电路（d）电流串联负反馈电路
3.集成运放的电压传输特性之中的线性运行部分的斜率愈陡，则表示集成运放的（）。
A.闭环放大倍数越大（b）开环放大倍数越大
（c）抑制漂移的能力越强（d）对放大倍数没有影响
4.若集成运放的最大输出电压幅度为UOM则在情况下，集成运放的输出电压为一UOM
A.同相输入信号电压高于反相输入信号
B.同相输入信号电压高于反相输入信号，并引入负反馈
C.反相输入信号电压高于同相输入信号，并引入负反馈
D.反相输入信号电压高于同相输入信号，并开环
5.第一空电路的输入阻抗大，第二空电路的输入阻抗小。
第一空选择为（）
A.反相比例B.同相比例C.基本积分D.基本微分
6.第一空电路的输入阻抗大，第二空电路的输入阻抗小。
第二空选择为（）
A.反相比例B.同相比例C.基本积分D.基本微分
7.在第一空电路中，电容接在集成运放的负反馈支路中，而在第二空电路中，电容接在
输入端，负反馈元件是电阻。
A.反相比B.同相比例C.基本积分D.基本微分
8.在第一空电路中，电容接在集成运放的负反馈支路中，而在第二空电路中，电容接在
A.反相比B.同相比例C.基本积分D.基本微分参考答案：
9.某一理想运算放大器开环工作，其所接电源电压为土，，当输入对地电压叫〉込时的输出电压
比为（）。
A.—2UB.—UC.+2UD.+U
10.理想运算放大器的共模抑制比为（）。
A.零B.约120dBC.无穷大参考答案：
11.理想运算放大器的开环电压放大倍数'
是（）
A.无穷大B.零C.约120dB
12.理想运算放大器的开环差模输入电阻rid是（）。
A.无穷大B.零C.约几百千欧D.约几十欧姆
第4章集成运算放大电路
1.电路如下图所示，R1、R2支路引入的反馈为（）
A.串联电压负反馈B.正反馈C.并联电压负反馈
2.在运算放大器电路中，引入深度负反馈的目的之一是使运放（）
A.工作在线性区，降低稳定性
B.工作在非线性区，提高稳定性
C.工作在线性区，提高稳定性
1.比例运算电路如下图所示，该电路的输入电阻为（）
A.零B.R1C.无穷大
同相输入的运算放大器电路如下图所示，该电路的输入电阻为（
零B.RC.无穷大
第6章放大电路中的反馈
A.增大B.减小C.不变
参考答案:
第7章信号的运算和处理
1.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（第一空），而低频作用时放大倍数
数值下降的原因是（第二空）。
第一空选择为：
（）
A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管级间电容和分布电容的存在
C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适
2.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（第一空），而低频作用时放大倍数
第二空选择为：
3.测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是（）。
A.输入电压幅值不变，改变频率B.输入电压频率不变，改变幅值
C.输入电压的幅值与频率同时变化D.输入电压频率随机改变
4.交流负反馈是指（）。
A.阻容耦合放大电路中所引入得负反馈
B.只有放大交流信号时才有的负反馈
C.在交流通路中的负反馈
D.在直流通路中的负反馈参考答案：
第8章波形的发生和信号的转换
1.振荡器之所以能获得单一频率的正弦波输出电压，是依靠了振荡器中的（）。
A.选频环节B.正反馈环节C.基本放大电路环节
2.自激正弦振荡器是用来产生一定频率和幅度的正弦信号的装置，此装置之所以能输出信号是因为（）。
A.有外加输入信号
B.满足了自激振荡条件
C.先施加输入信号激励振荡起来，然后去掉输入信号参考答案：
3.一个振荡器要能够产生正弦波振荡，电路的组成必须包含（）
A.放大电路，负反馈电路
B.负反馈电路、选频电路
C.放大电路、正反馈电路、选频电路
4.振荡电路的幅度特性和反馈特性如图所示，通常振荡幅度应稳定在（
A.0点B.A.点C.B点D.C点
5.一个正弦波振荡器的开环电压放大倍数为I,反馈系数为F，该振荡器要能自行建立振荡，其
幅值条件必须满足（）
aWI=ib.S/kic."
bi
c
6.一个正弦波振荡器的开环电压放大倍数为I,反馈系数为F,能够稳定振荡的幅值条件是
（）。
A.「b.「讣「C.-
7.反馈放大器的方框图如图所示，要使放大器产生自激振荡，其相位条件是（）。
A.反馈电压曲与电压兔之间的相位差为90"
B.反馈电压腔与电压民「之间的相位差为1时
C.反馈电压腔与电压於5之间的相位差为零
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