元器件技术规范文档格式.docx
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2无源器件
2.1电气性能要求
2.1.1功分器
本次规范只涉及腔体功分器。
根据分布系统的节点支路的要求，又分为二功分器、三功分器和四功分器。
根据不同的功率容限及互调指标，分为高品质功分器、一般品质功分器两大类。
2.1.1.1高品质功分器
高品质功分器指标要求
型号
二功分
三功分
四功分
频率范围（MHz）
800～2500
插入损耗（dB）
≤3.3
≤5.2
≤6.5
驻波比（VSWR）
≤1.25
≤1.3
带内波动（dB）
≤0.3
≤0.45
≤0.55
三阶互调（dBc）@+43dBm×
2
≤-150
≤-145
≤-140
五阶互调（dBc）@+43dBm×
≤-160
≤-155
阻抗（Ω）
50
接口类型
DIN型
N型
平均功率容限（W）
500
300
峰值功率容限（W）
1500
1000
2.1.1.2一般品质功分器
一般品质功分器指标要求
800～2500
≤-120
200
2.1.2耦合器
本次规范只涉及腔体耦合器。
根据不同的功率容限及互调指标，分为高品质耦合器、一般品质耦合器两大类。
2.1.2.1高品质耦合器
高品质耦合器具体指标要求如下：
高品质耦合器指标要求
（1）
5dB
6dB
7dB
10dB
耦合度偏差/dB
±
0.6
1
最小隔离度（dB）
≥23
≥24
≥25
≥28
≤2.15
≤1.76
≤1.47
≤0.96
输入驻波比
特性阻抗（Ω）
高品质耦合器指标要求
（2）
15dB
20dB
30dB
40dB
1.5
≥33
≥38
≥48
≥55
≤0.44
≤0.34
2.1.2.2一般品质耦合器
一般品质耦合器具体指标要求如下：
一般品质耦合器指标要求
2.1.33dB电桥
3dB电桥具体指标要求如下：
3dB电桥指标要求
≤0.5
隔离度（dB）
驻波比
/
2.1.4衰减器
衰减器具体指标要求如下：
衰减器指标要求
（1）
3dB
800-3000
衰减值精度（dB）
0.4
带内波动度（dB）
≤0.7
≤1.2
平均功率容量（W）
50W、100W、200W
5W、25W
三阶互调（dBc）
≤-105（+43dBm×
2）
≤-125（+33dBm×
五阶互调（dBc）
≤-120（+43dBm×
≤-145（+33dBm×
衰减器指标要求
（2）
0.8
≤0.8
≤1.0
2.1.5负载
负载具体指标要求如下：
负载指标要求
5W
25W
50W
100W
200W
≤-150（+43dBm×
≤-160（+43dBm×
2.2寿命要求
室温条件下MTBF应大于10万小时。
2.3机械特性要求
（1）一般结构要求：
应牢固可靠，便于安装、使用和运输。
（2）器件表面清洁，无变形、无毛刺、无伤痕。
（3）多端口无源器件（合路器、电桥等）要求各端口接头之间具有足够大的施工安装间隔。
2.4工艺、材质要求
（1）腔体功分器、耦合器、电桥，内导体须采用黄铜或铝合金,外导体采用铝合金，盖板采用铝合金；
腔体内表面采用导电氧化或镀银，接头使用铍青铜或磷青铜，镀银或三元合金；
内置负载使用射频微带大功率厚膜电阻。
（2）衰减器的散热片、内置安装管须选用铝合金，内置衰减片采用氧化铍，连接器外导体采用黄铜，连接器内导体公头用黄铜，母头使用铍青铜。
（3）负载散热片须采用铝合金，内置负载采用氧化铍，连接器外导体采用黄铜，连接器内导体公头负载采用黄铜，母头负载采用铍青铜。
2.5环境条件要求
工作温度：
-20～55℃
工作湿度≤95％（温度40℃±
2℃）
大气压力：
70～106kPa
储存温度
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