M25P32技术手册 中文Word格式文档下载.docx
《M25P32技术手册 中文Word格式文档下载.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《M25P32技术手册 中文Word格式文档下载.docx（15页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。
2.2数据输入
2.3时钟
2.4片选
2.5保护
2.6写保护,提高编程电压
2.7工作电压
2.8电源地
3SPI协议
4操作方法和时序
4.1页操作
4.2扇区的擦除和整块的擦写
4.3写检测和循环擦除
4.4快速编程和擦除操作
4.5激活，正常工作，睡眠模式
4.6状态寄存器
4.7保护方法
4.8保持条件
5存储组织结构
6操作说明
6.1写操作使能
6.2使能复位
6.3读器件ID
6.4读状态寄存器
6.4.1WIP位
6.4.2WEL位
6.4.3BP2,BP1,BP0位
6.4.4SRWD位
6.5写状态寄存器
6.6读数据操作
6.7快速读数据操作
6.8页操作
6.9扇区擦除操作
6.10整个器件擦除
6.11睡眠模式
6.12激活器件
7
8原始状态
9极限参数
10DC和AC参数
11硬件结构
12编号
13修订记录
1描述
M25P32是32Mbit（4M*8）的串行flash存储器，具有增强写保护结构。
存取采用SPI总线协议。
一次性可编程1-256个字节（参考页编程操作说明）。
增强型快速编程、擦除模式可适用于需要快速存储的场合。
当VPPH达到写保护或增强编程电压时即可进入此模式。
存储结构分为64个扇区，每个含有256页，每页256字节的宽度，所以整个器件可以看成有16384页组成（或者4194304个字节组成）
整个器件的擦除（参考整块擦除说明），一次擦除一个扇区（参考扇区擦除说明）
图1
表1
信号端口
功能
说明
C
时钟
输入
D
数据输入
Q
数据输出
输出
S
片选
W/VPP
写保护，高编程电压
HOLD
Hold
VCC
电源
VSS
地
图2
2.1串行数据输出（Q）
2.2串行数据输入（D）
图3
1．DU=Don’tuse
2.3串行时钟信号
2.4片选（）
当片选端输入为高时，那么取消选定器件，此时串行数据输出为高阻态，除非内部编程，循环对擦除、写寄存器进行操作，器件将工作在标准电源模式下（非睡眠模式）
当器件片选信号拉低使能时，即器件进入正常工作模式。
在写入任何指令操作前，必须进行上电，拉低片选端（片选使能）。
2.5控制信号
控制信号用于终止任何器件与外部的通讯，在控制信号条件下，输出端口（Q）为高阻态（输入端口（D）、时钟信号（C）不用考虑）。
2.6写保护、提高编程电压
是控制输入和电源的引脚，这两个功能是根据供电电压的范围来选择。
如果输入电压在低压范围（0-Vcc）此时作为控制输入功能，这种控制信号保护存储单元（写保护），禁止编程和擦除操作（参考BP2,BP1,BP0位的在状态寄存器中的状态）。
3SPI通信协议
M25P32与微控制器（单片机等）进行通讯是串口SPI通讯方式，有两种模式：
◆CPOL=0,CPAL=0
◆CPOL=1,CPAL=1
这两种模式，输入信号都是随着时钟信号的上升沿而跳变，输出信号都是时钟信号的下降沿而变化。
这两种模式的不同之处是在通信开始和结束时时钟的极性不同（看图5）
◆C保持0（CPOL=0,CPAL=0）
◆C保持1（CPOL=1,CPAL=1）
图4
Note：
1.写保护和HOLD功能应该设置，是高还是低适当设置
这是三个设备与MCU基于SPI总线的连接图，一次只能有一个设备与MCU进行通讯，也就是在Q线上一次只有一个设备在输出数据，其他设备呈高阻态。
电阻R确保M25P32在总线中（）线呈高阻态时不被选择。
当总线进入一种状态—输入和输出端口同时呈高阻态（例如当总线复位时），时钟线（C）必须接一个下拉电阻，原因在于当输入/输出端口变为高阻态时，片选（）线拉高同时时钟线（C）拉低，这样就保证（）与（C）不同时变高，这样就符合时序要求。
R的标准值是100K。
冲放电时间常数R*Cp（Cp总线的寄生电容），要小于总线控制器保持SPI总线呈高阻态的时间。
例如Cp=50PF,那么R*Cp=5us，那么总线控制器保持SPI总线呈高阻态的时间一定要大于5us。
图5
4器件操作方法
4.1页编程
去编程一个字节数据，两个指令要求：
写指令（WREN），这是一个字节，和页编程（PP）顺序，其中包含四个字节和数据。
这是按照内部编程循环周期。
页编程指令允许一次编程多大256字节（前提条件：
它们是连续地址在同一页上的内存）。
优化时序，推荐使用页编程操作指示去对所有指定的连续的字节（在一个单一序列）与使用数个页编程序列（每个只有几个字节）。
（见6.8页编程（PP））。
4.2扇区擦除、整块擦除
4.3页编程允许把bit的状态从1变为0，前提条件是这个bit所在的扇区事先被擦除过
（为FFh），一次可以擦除一个扇区。
或者你可以擦除整块。
详细见扇区擦除操作
和整块擦除操作说明（在擦除前要写（WREN）写指令（写使能））。
4.4M25P32提供快速编程和擦除模式，使用快速编程和擦除操作要一些特殊的条件（Vcc必须在正常的范围）
◆引脚电压必须等于VPPH（见Table10）
◆周围环境温度在25℃±
10℃
◆引脚的电压等于VPPH的累计时间不能超过80小时。
4.5有用功率模式，备用功率模式，睡眠模式
当片选端（-s）为低时，器件被选中，这时器件工作在有用功率工作模式。
当片选端（-s）为高时，器件没被选中，器件退出有用功率工作模式，除非这时内部还有事情在处理（编程，擦除，写状态寄存器）。
这时器件进入备用功率工作模式，器件的功耗下降到ICC1。
当特殊的指令DP（DeepPowerDownInstruction）z执行时，器件进入睡眠模式，这可以作为一种软件保护装置。
如果器件没有被激活，这样可以保护意外的编程，擦写操作。
4.6状态寄存器中包含一些状态和控制位，可用于读写和设置。
详细操作见6.4。
4.7保护模式
存储组织：
4194304bytes（8位）
64个扇区（每个扇区65536字节，即512k）
16384页（每页256bytes）
每页可以单独进行编程，但是擦除操作只能针对一个扇区或整块进行，对页不能进行擦除操作。
图7
表3存储组织结构
6指令说明
所有的指令控制着数据（地址，数据）输入、输出。
当片选端（-s）拉低以后，串行数据输入（D）是在取样第一个上升沿串行时钟，接着一个字节的指令码写入器件，每一位被时钟信号的上升沿锁存。
指令说明见表4
每个指令时序是从一个字节的指令代码开始，跟着指令码之后，这可能是地址字节，或数据字节，或由两个或无。
表4
6.1
6.2
6.3
6.4读状态寄存器
状态寄存器读指令可以对状态寄存器进行读写，状态寄存器在任何时候都可以进行读，甚至在编程，擦除，写状态寄存器时都可以，当器件内部正在执行指令，处理数据时，建议在向器件写入新的指令
前应该检测WIP（WriteInProgress）位,可以连续读取状态寄存器，见图11
图11
6.5
6.6
6.7
6.8页编程
页编程指令就是向存储器中写数据，第一步先向器件写入写使能指令（WREN），写使能位置1。
同样在页编程之前片选端应该为低（-s），接着写入页地址，和器件地址（同时保证写入的地址的每位（A7-A0）都不为0）。
最后将数据写入存储单元。
在数据传输之前都要进行写入当前页，开始的存储物理单元的地址。
而且片选信号在连续数据传输过程中必须保持为低。
如果一次传输的数据超过256bytes那么先前的数据将会丢失，最新的256bytes数据将会被保存在同一页。
如果传输的数据少于256bytes，它们会被正确地存放在你要求的地址单元，而不会影响同一页中的其他数据。
优化时序编程序列（每个只有几个字节）。
片选信号必须等最后8位数据传输结束后才能拉高。
否则页编程（PP）指令无效。
如果片选信号拉高，而此时页编已经开始（连续周期内），虽然页编程正在进行，状态寄存器可以读取（WIP位），页编程周期内WIP位是1，当页编程结束后变为0。
在页编程周期完成之前一个不确定的时间内写使能（WEL位）复位。
扇区擦除操作是将所选择的扇区所有的为置1（FFh）,第一步写入写使能命令（WREN），执行写使能命令以后，硬件将WEL位置1，接着拉低片选信号，然后向串口数据口（D）写入三个地址数据（有效地地址可以参考表3），在写入地址数据期间片选信号必须为0。
写入地址时序见图16
当三个8位的地址写入完以后，将片选信号拉高，否则扇区擦除指令不会执行，当片选信号拉高以后，即进入擦除周期（擦除时间为tSE，大约为3秒），在扇区擦除周期内
可以访问状态寄存器中WIP（WriteInProgress）位，在擦除周期内WIP位为1。
擦除结束后WIP位为0。
在擦除结束前的不确定时间WEL（WriteEnableLatch）位是复位状态。
6.10整块擦除操作
整块擦除操作指令是将所有位置1，在执行擦除操作指令之前，第一步先向器件写入写使能指令（WREN）。
接着拉低片选信号（-s）、写入擦除命令（BE）,在写入擦除命令（BE）期间片要保持选信号（-s）一直为高。
写擦除命令时序图如图17
图17
当擦除操作指令（BE）的第八位写入结束时，要把片选信号（-s）拉高，否则擦除操作不会执行，当片选信号（-s）拉高，接着进入整块擦除时间（擦除时间为tBE，大约80秒）,在擦除期间可以访问状态寄存器中WIP（WriteInProgress）位,在擦除周期内WIP位为1，当擦除结束时WIP位为0.在擦除完成之前的不确定时间WEL（WriteEnableLatch）位是复位状态。
提醒：
英文版叙述更加详细
升级会员 