集成电路技术集成电路技术综合练习精选试题Word文件下载.docx

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19、集成电路中常用的电容有哪些？

20、为什么基区薄层电阻需要修正？

21、为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线？

22、电压传输特性

23、开门电平

24、关门电平

25、逻辑摆幅

26、静态功耗

27、在四管标准与非门中，那个管子会对瞬态特性影响最大，并分析原因以及带来那些困难。

28、两管与非门有哪些缺点，四管及五管与非门的结构相对于两管与非门在那些地方做了改善，并分析改善部分是如何工作的。

四管和五管与非门对静态和动态有那些方面的改进。

29、相对于五管与非门六管与非门的结构在那些部分作了改善，分析改进部分是如何工作的？

30、四管与非门中，如果高电平过低，低电平过高，分析其原因，如与改善方法，请说出你的想法。

31、为什么TTL与非门不能直接并联。

32、OC门在结构上作了什么改进，它为什么不会出现TTL与非门并联的问题？

33、什么是器件的亚阈值特性，对器件有什么影响？

34、MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？

35、请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。

36、什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响？

37、为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？

38、采用MOSFET作为nMOS反相器的负载器件有哪些优点？

39、耗尽型负载nMOS反相器相比于增强型负载nMOS反相器有哪些好处？

40、举例说明什么是有比反相器和无比反相器。

41、简述CMOS静态逻辑门功耗的构成。

42、降低电路的功耗有哪些方法？

43、简述动态组合逻辑电路中存在的常见的三种问题，以及他们产生的原因和解决的方法。

44、解释静态存储和动态存储的区别和优缺点比较。

45、阐述静态存储和动态存储的不同的的存储方法。

46、哪一年在哪儿发明了晶体管？

发明人哪一年获得了诺贝尔奖？

47、世界上第一片集成电路是哪一年在哪儿制造出来的？

发明人哪一年为此获得诺贝尔奖？

48、什么是晶圆？

晶圆的材料是什么？

49、目前主流集成电路设计特征尺寸已经达到多少？

预计2021年能实现量产的特征尺寸是多少？

50、晶圆的度量单位是什么？

当前主流晶圆的尺寸是多少？

51、摩尔是哪个公司的创始人？

什么是摩尔定律？

52、什么是SoC？

英文全拼是什么？

53、一套掩模一般只能生产多少个晶圆？

54、什么是有生产线集成电路设计？

55、什么是集成电路的一体化（IDM）实现模式？

56、什么是集成电路的无生产线（Fabless）设计模式？

57、一个工艺设计文件（PDK）包含哪些内容？

58、设计单位拿到PDK文件后要做什么工作？

59、什么叫“流片”？

60、什么叫多项目晶圆（MPW）？

MPW英文全拼是什么？

61、集成电路设计需要哪些知识范围？

62、对于通信和信息学科，所包括的系统有哪些？

63、RFIC、MMIC和M3IC是何含义？

64、著名的集成电路分析程序是什么？

有哪些著名公司开发了集成电路设计工具？

65、从事逻辑电路级设计和晶体管级电路设计需要掌握哪些工具？

66、为了使得IC设计成功率高，设计者应该掌握哪些主要工艺特征？

67、SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI的中文含义是什么？

68、电子系统特别是微电子系统应用的材料有哪几类？

69、集成电路制造常用的半导体材料有哪些？

70、为什么说半导体材料在集成电路制造中起着根本性的作用？

71、半导体材料得到广泛应用的原因是什么？

72、Si、GaAs、InP三种基本半导体材料中，电子迁移率最高的是哪种？

最低的是哪种？

73、0.13umCMOS工艺制成的CPU运行速度已达多少？

74、硅基最先进的工艺线晶圆直径已达到多少？

75、为什么市场上90%的IC产品都是基于Si工艺的？

76、与Si材料相比，GaAs具有哪些优点？

77、基于GaAs的集成电路中有哪几种有源器件？

78、为什么说InP适合做发光器件和OEIC？

79、IC系统中常用的几种绝缘材料是什么？

80、什么是欧姆接触和肖特基接触？

81、多晶硅的特点是什么？

82、在MOS及双极型器件中，多晶硅可用来做什么？

83、什么是材料系统？

84、半导体材料系统？

85、异质半导体材料的主要应用有哪些？

86、什么是半导体/绝缘体材料系统？

87、晶体和非晶体的区别？

88、什么是共价键结构？

89、什么是本征半导体和杂质半导体？

90、本征半导体有何特点？

91、杂质半导体中，多子和少子是如何形成的？

92、什么是扩散运动？

什么是漂移运动？

93、PN结的主要特点是什么？

94、双极型三极管三个区有什么不同？

95、双极型三极管有几种工作状态？

每个状态PN结偏置情况如何？

96、在放大状态下，三极管内部载流子传输过程是怎样进行的？

97、为什么晶体管的反向工作状态一般不用，尤其是在集成电路中更是如此？

98、MOS管的核心结构是什么？

99、根据形成导电沟道载流子类型的不同，MOS管有几种类型？

100、简述PMOS管的具体结构。

101、简述MOS管的导电沟道是如何形成的。

102、什么叫阈值电压？

阈值电压是否可变？

阈值电压为负时称为什么电压？

103、对NMOS晶体管，注入何种杂质使阈值电压增加或降低？

104、根据阈值电压不同，常把MOS器件分为几种？

105、在CMOS电路里，MOS管一般采用何种类型？

106、为什么说MOS晶体管是一种电压控制器件？

107、MOS管的IDS大小除与源漏电压和栅极电压有关外，还与哪些因素有关？

108、一个MOS管的正常导电特性可分为几个区域？

109、用什么参数衡量MOS器件的增益？

110、外延生长的目的是什么？

111、外延生长的方法有哪几种？

112、什么是卤素传递生长法？

它属于4种生长方法中的哪一种？

113、液态生长有什么优缺点？

114、金属有机物气相外延生长和一般的气相外延生长的最大区别是什么？

115、分子束外延生长有什么特点？

116、什么是掩模？

掩模与集成电路制造有什么关系？

制做掩模的数据从哪儿来？

117、什么是整版接触式曝光？

118、光刻的作用是什么？

119、什么是光刻？

光刻的主要流程有哪些？

120、负性和正性光刻胶有什么区别和特点？

121、光刻的曝光方式有几种？

各有何特点？

122、接触曝光方式的关键技术有哪些？

它的主要优缺点是什么？

123、什么是非接触曝光方式？

124、氧化的目的是什么？

125、为什么说栅氧化层的生长是非常重要的一道工序？

126、淀积的主要作用是什么？

127、什么是湿法刻蚀？

128、湿法刻蚀有什么缺点？

129、什么是刻蚀？

130、什么是干法刻蚀？

干法有几种刻蚀方法？

131、掺杂的目的是什么？

掺杂在何时进行？

惨杂方法有哪几种？

132、离子注入法有哪些优点？

133、说明用硅材料采用CMOS工艺可形成哪些元件、电路形式以及可达到的电路规模？

134、集成电路特别是逻辑集成电路技术的类型有哪些？

135、为什么说速度和功耗是每一种工艺两个最重要的特性？

136、在各种工艺中，哪种工艺的速度最高？

哪种工艺的功耗最小？

137、双极型硅工艺的特点是什么？

有哪些主要应用？

138、典型双极型硅工艺中的硅晶体管存在哪些问题？

139、双极型晶体管的最高速度取决于哪些因素？

140、超高频Si双极型晶体管的截止频率fT已达多少？

141、什么是异质结？

按照两种材料的导电类型不同，异质结可分为哪些类型？

异质结形成的条件是什么？

制造异质结的技术通常有哪些？

142、异质结有什么特点？

它适宜于制作哪些器件？

143、为什么GaAs同质结双极型晶体管的性能很难达到或超过硅基BJT的性能？

144、为什么采用AlGaAs/GaAs异质结结构制造的双极型晶体管（HBT）具有好的性能？

145、InP/InGaAsHBT具有什么特点？

146、目前，III/V族化合物构成的高速HBT可达到哪些性能？

147、Si/SiGe材料系统的HBT工艺取得了哪些长足进步？

148、HBT的主要优点是什么？

适于何种应用？

149、MESFET的有源层是如何形成的？

它的导电沟道是如何控制的？

150、为什么说栅长是MESFET的重要参数？

151、进一步提高MESFET性能的措施是什么？

152、高电子迁移率晶体管（HEMT）速度高的主要原因是什么？

153、二维电子气是如何形成的？

154、亚微米、深亚微米和纳米的具体范围是多少？

155、什么情况下器件的栅极通常要考虑采用蘑菇型即T型栅极？

156、什么是赝晶或赝配HEMT？

157、由Si/SiGe材料系统研制的HEMT取得了哪些进展？

158、HEMT有更高截止频率更高跨导和更低噪声的原因？

它的主要应用领域是什么？

159、与Si三极管相比，MESFET和HEMT存在哪些缺点？

160、MOS工艺包括有哪几种？

MOS工艺的重要参数是什么？

什么是特征尺寸？

161、铝栅MOS工艺的缺点是什么？

162、铝栅重叠设计方法虽然可解决铝栅MOS工艺的缺点，但还存在哪些缺点？

163、什么是自对准技术？

164、硅栅工艺有哪些优点？

165、为什么NMOS工艺优于PMOS工艺？

166、FET的不同分类方法有哪些？

167、CMOS工艺是如何在一种衬底材料上实现不同类型场效应晶体管的？

阱有几种类型？

每种类型可制作什么类型的场效应管？

168、CMOS包括哪几种具体工艺？

169、什么是BiCMOS？

BiCMOS的特点是什么？

170、BiCMOS有几种类型？

每种类型有什么特点？

171、哪种BiCMOS工艺用的较多？

为什么？

172、以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺存在哪些缺点？

173、以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺有哪些优缺点？

174、集成电路中，有源器件是指哪些种类的晶体管？

175、什么是CMOS工艺？

176、MOS管的实际组成是什么？

基本参数是什么？

177、为什么说MOS电容的组成复杂？

178、按MOS沟道随栅压正向和负向增加而形成或消失的机理，存在着哪两种类型的MOS器件？

179、什么是MOS管的体效应？

180、阈值电压VT与衬底掺杂浓度是什么关系？

采取什么方式或手段以调整VT大小？

影响VT的其它因素有哪些？

181、MOS