习题4Word文档格式.docx

习题4Word文档格式.docx

《习题4Word文档格式.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《习题4Word文档格式.docx（12页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。

（2）计算UGS=－3V时的ID；

（3）计算UGS=3V时的ID。

（1）N沟道；

（2）

（3）

4.4画出下列FET的转移特性曲线。

（1）UP=－6V，IDSS=1mA的MOSFET；

（2）Uth=8V，Kn=0.2mA/V2的MOSFET。

（1）

（2）

4.5试在具有四象限的直角坐标上分别画出4种类型MOSFET的转移特性示意图，并标明各自的开启电压或夹断电压。

4.6判断图4.3所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。

电容对交流信号可视为短路。

图4.3习题4.6电路图

（a）能放大

（b）不能放大，增强型不能用自给偏压

（c）能放大

（d）不能放大，电源极性错误，共漏，可增加Rd，并改为共源放大

4.7电路如图4.4所示，MOSFET的Uth=2V，Kn=50mA/V2，确定电路Q点的IDQ和UDSQ值。

4.8试求图4.5所示每个电路的UDSQ，已知|IDSS|=8mA。

图4.4习题4.7电路图图4.5习题4.8电路图

（a）UGSQ=0（V）IDQ=IDSS=8（mA）UDSQ=VDD－IDQRd=12－8×

1=4（V）

（b）UGSQ=0（V）IDQ=IDSS=－8（mA）

UDSQ=VDD－IDQRd=－9+8×

0.56=－4.52（V）

4.9电路如图4.6所示，已知VT在UGS=5V时的ID=2.25mA，在UGS=3V时的ID=0.25mA。

现要求该电路中FET的VDQ=2.4V、IDQ=0.64mA，试求：

（1）管子的Kn和Uth的值；

（2）Rd和RS的值应各取多大？

（1）ID=Kn（UGS-Uth）2

2.25=Kn（5-UTh）20.25=Kn（3-Uth）2→Uth1=3.5（V）（不合理，舍去），Uth2=2（V）

求得：

Kn=0.25mA/V2，Uth=2V

（2）VDQ=VDD-IDQ·

Rd2.4=12－0.64Rd→Rd=15kΩ

→UGSQ1=0.4（V）（不合理，舍去）UGSQ2=3.6（V）

UGSQ=10－0.64·

Rs∴Rs=10kΩ

4.10电路如图4.7所示，已知FET的Uth=3V、Kn=0.1mA/V2。

现要求该电路中FET的IDQ=1.6mA，试求Rd的值应为多大？

图4.6习题4.9图图4.7习题4.10图

1.6=0.1（UGSQ－3）2∴UGSQ1=7（V）UGSQ2=－1（V）（不合理，舍去）

UDSQ=UGSQ=7（V）UDSQ=15－1.6×

Rd∴Rd=5kΩ

4.11电路如图4.8所示，已知场效应管VT的Uth=2V，U（BR）DS=16V、U（BR）GS=30V，当UGS=4V、UDS=5V时的ID=9mA。

请分析这四个电路中的场效应管各工作在什么状态（截止、恒流、可变电阻、击穿）？

图4.8习题4.11图

（a）截止

（b）UDSQ=20V>

U（BR）DS，击穿

（c）ID=Kn（UGS-Uth）29=Kn（4－2）2∴Kn=2.25mA/V2

UGSQ=3VIDQ=2.25（3－2）2∴IDQ=2.25mA

→UDSQ=12－2.25×

5=0.75（V）<

UGSQ－Uth=1V

∴处于可变电阻区

（d）UDSQ=12－2.25×

3=5.25（V）>

∴处于恒流区

4.12电路如图4.9所示，已知场效应管VT1的Kn=0.16mA/V2、Uth=3.5V；

VT2的IDSS=－2mA、UP=2V。

试分析这二个电路中的场效应管各工作在截止区、恒流区、可变电阻区中的哪个区。

图4.9习题4.12图

（a）UGSQ=2V<

Uth，截止

（b）UGSQ=0V假设处于恒流区，则IDQ=IDSS=－2mA

→UDSQ=－10+2×

3=－4（V）<

UGSQ－UP=－2V

4.13图4.10所示场效应管工作于放大状态，忽略不计，电容对交流视为短路。

跨导为。

（1）画出电路的交流小信号等效电路；

（2）求电压放大倍数和源电压放大倍数；

（3）求输入电阻和输出电阻。

图4.10习题4.13电路图

（2）Ri=Rg3+Rg2//Rg1=2+0.3//0.1=2.075（MΩ）

Ro=Rd=10kΩ

4.14电路如图4.11所示，已知FET在Q点处的跨导gm=2mS，λ=0，试求该电路的、Ri、Ro的值。

图4.11习题4.14电路图

Ri=Rg2//Rg1=2//0.5=0.4（MΩ）

Ro=Rs//=3//=429（Ω）

4.15电路如图4.12所示，场效应管的，忽略不计。

试求共漏放大电路的源电压增益、输入电阻和输出电阻。

图4.12习题4.15电路图

Ri=Rg2//Rg1=240//240=120（kΩ）

Ro=R//=0.75//=79.2Ω

4.16放大电路如图4.13所示，已知场效应管的，=4V，忽略不计，若要求场效应管静态时的，各电容均足够大。

试求：

（1）的阻值；

（2）、及的值。

图4.13习题4.16电路图

∴Rg1=1.2（MΩ）

Ri=Rg3+Rg2//Rg1=2+0.05//1.2=2.048（MΩ）

Ro=Rd=10kΩ

4.17图4.14（a）所示电路中的场效应管的转移特性为图4.14（b）所示，试求解该电路的、和。

图4.14习题4.17图

由图（a）可知：

UGS=－1V，由图（b）可得ID=2mA，可求得：

UDS=12－2×

5=2V

4.18电路如图4.15所示，已知FET的IDSS=3mA、UP=－3V、U（BR）DS=10V。

试问在下列三种条件下，FET各处于哪种状态？

（1）Rd=3.9kΩ；

（2）Rd=10kΩ；

（3）Rd=1kΩ。

图4.15习题4.18图

UGSQ=0（V）∴IDQ=IDSS=3mA

（1）UDSQ=15－3×

3.9=3.3（V）∴处于恒流区；

（2）UDSQ=15－3×

10=－15（V）∴处于可变电阻区；

（3）UDSQ=15－3×

1=12（V）∴处于击穿区。

4.19电路如图4.16所示

（1）JFET的UP=－8V，IDSS=16mA，确定电路Q点的IDQ和UDSQ值。

（2）将VT换成UP=－10V，IDSS=12mA的JFET，重新确定电路Q点的IDQ和UDSQ值

图4.16习题4.19图

（1）UGSQ=－5V

UDSQ=10－2.25×

2.2=5.05V

（2）UGSQ=－5V

UDSQ=10－3×

2.2=3.4V

4.20源极输出器电路如图4.17所示，已知场效应管在工作点上的互导，忽略不计，其他参数如图中所示。

求电压增益、输入电阻和输出电阻。

图4.17习题4.20电路图

Ri=Rg3+Rg2//Rg1=2+0.3//0.1=2.075（MΩ）

Ro=R//=12//=1.02kΩ

（此文档部分内容来源于网络，如有侵权请告知删除，文档可自行编辑修改内容，供参考，感谢您的配合和支持）