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1、（2） 计算UGS = 3V时的ID；（3） 计算UGS = 3V时的ID。（1） N沟道；（2） （3） 4.4 画出下列FET的转移特性曲线。（1） UP = 6V，IDSS = 1mA的MOSFET；（2） Uth = 8V，Kn = 0.2mA/V2的MOSFET。 （1） （2） 4.5 试在具有四象限的直角坐标上分别画出4种类型MOSFET的转移特性示意图，并标明各自的开启电压或夹断电压。4.6 判断图4.3所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。电容对交流信号可视为短路。 图4.3 习题4.6电路图 （a） 能放大 （b） 不能放大，增强型不能用自给偏压 （c） 能放大（d）不能放

2、大，电源极性错误，共漏，可增加Rd，并改为共源放大4.7 电路如图4.4所示，MOSFET的Uth = 2V，Kn = 50mA/V2，确定电路Q点的IDQ和UDSQ值。4.8 试求图4.5所示每个电路的UDSQ，已知|IDSS| = 8mA。图4.4 习题4.7电路图 图4.5 习题4.8电路图（a） UGSQ=0（V） IDQ=IDSS=8（mA） UDSQ=VDDIDQRd = 1281=4（V） （b） UGSQ=0（V） IDQ=IDSS=8（mA） UDSQ=VDDIDQRd = 9+80.56=4.52（V）4.9 电路如图4.6所示，已知VT在UGS = 5V时的ID = 2.

3、25mA，在UGS = 3V时的ID = 0.25mA。现要求该电路中FET的VDQ = 2.4V、IDQ = 0.64mA，试求：（1） 管子的Kn和Uth的值；（2） Rd和RS的值应各取多大？（1）ID=Kn（UGS-Uth）22.25= Kn（5-UTh）2 0.25= Kn（3-Uth）2 Uth1=3.5（V） （不合理，舍去），Uth2=2（V）求得：Kn=0.25mA/V2，Uth=2V（2）VDQ=VDD-IDQRd 2.4=120.64Rd Rd=15k UGSQ1=0.4（V）（不合理，舍去） UGSQ2=3.6（V）UGSQ=100.64Rs Rs=10k4.10 电路

4、如图4.7所示，已知FET的Uth = 3V、Kn = 0.1mA/V2。现要求该电路中FET的IDQ = 1.6mA，试求Rd的值应为多大？ 图4.6 习题4.9图 图4.7 习题4.10图1.6=0.1（UGSQ3）2 UGSQ1=7（V） UGSQ2=1（V）（不合理，舍去）UDSQ=UGSQ=7（V） UDSQ=151.6Rd Rd=5k4.11 电路如图4.8所示，已知场效应管VT的Uth = 2V，U（BR）DS = 16V、U（BR）GS = 30V，当UGS = 4V、UDS = 5V时的ID = 9mA。请分析这四个电路中的场效应管各工作在什么状态（截止、恒流、可变电阻、击穿

5、）？图4.8 习题4.11图（a） 截止 （b） UDSQ=20VU（BR）DS，击穿（c） ID=Kn（UGS-Uth）2 9= Kn （42）2 Kn =2.25mA/V2 UGSQ=3V IDQ=2.25（32）2 IDQ=2.25mA UDSQ=122.255=0.75（V） 处于恒流区4.12 电路如图4.9所示，已知场效应管VT1的Kn = 0.16mA/V2、Uth = 3.5V；VT2的IDSS = 2mA、UP = 2V。试分析这二个电路中的场效应管各工作在截止区、恒流区、可变电阻区中的哪个区。图4.9 习题4.12图（a） UGSQ=2VUth，截止（b） UGSQ=0V

6、假设处于恒流区，则IDQ=IDSS=2mA UDSQ=10+23=4（V）UGSQUP=2V4.13 图4.10所示场效应管工作于放大状态，忽略不计，电容对交流视为短路。跨导为。（1）画出电路的交流小信号等效电路；（2）求电压放大倍数和源电压放大倍数；（3）求输入电阻和输出电阻。图4.10 习题4.13电路图（2） Ri=Rg3+Rg2/Rg1=2+0.3/0.1=2.075（M） Ro=Rd=10k4.14 电路如图4.11所示，已知FET在Q点处的跨导gm = 2mS，=0，试求该电路的、Ri、Ro的值。 图4.11 习题4.14电路图Ri=Rg2/Rg1=2/0.5=0.4（M）Ro=R

7、s/=3/=429（）4.15 电路如图4.12所示，场效应管的，忽略不计。试求共漏放大电路的源电压增益、输入电阻和输出电阻。图4.12 习题4.15电路图Ri=Rg2/Rg1=240/240=120（k）Ro=R/=0.75/=79.24.16 放大电路如图4.13所示，已知场效应管的， = 4V，忽略不计，若要求场效应管静态时的，各电容均足够大。试求：（1）的阻值；（2）、及的值。图4.13 习题4.16电路图 Rg1=1.2（M）Ri=Rg3+Rg2/Rg1=2+0.05/1.2=2.048（M）Ro=Rd=10k4.17 图4.14（a）所示电路中的场效应管的转移特性为图4.14（b）

8、所示，试求解该电路的、和。图4.14 习题4.17图由图（a） 可知：UGS= 1V，由图（b）可得 ID=2mA，可求得：UDS=1225=2V4.18 电路如图4.15所示，已知FET的IDSS = 3mA、UP = 3V、U（BR）DS = 10V。试问在下列三种条件下，FET各处于哪种状态？（1） Rd = 3.9k；（2） Rd = 10k；（3） Rd = 1k。图4.15 习题4.18图UGSQ=0（V） IDQ=IDSS=3mA（1） UDSQ=1533.9=3.3（V） 处于恒流区；（2） UDSQ=15310=15（V） 处于可变电阻区；（3） UDSQ=1531=12（V

9、） 处于击穿区。4.19 电路如图4.16所示（1） JFET的UP = 8V，IDSS = 16mA，确定电路Q点的IDQ和UDSQ值。（2） 将VT换成UP = 10V，IDSS = 12mA的JFET，重新确定电路Q点的IDQ和UDSQ值图4.16 习题4.19图（1） UGSQ=5V UDSQ=102.252.2=5.05V（2） UGSQ=5V UDSQ=1032.2=3.4V4.20 源极输出器电路如图4.17所示，已知场效应管在工作点上的互导，忽略不计，其他参数如图中所示。求电压增益、输入电阻和输出电阻。图4.17 习题4.20电路图Ri=Rg3+Rg2/Rg1=2+0.3/0.1=2.075（M）Ro=R/=12/=1.02k（此文档部分内容来源于网络，如有侵权请告知删除，文档可自行编辑修改内容，供参考，感谢您的配合和支持）